年度傳感器產(chǎn)品、年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品、年度最具潛力第三代半導(dǎo)體技術(shù)……安森美(onsemi)一舉入圍2024年度全球電子成就獎(jiǎng)四大獎(jiǎng)項(xiàng)，一起細(xì)數(shù)入圍產(chǎn)品。

全球電子成就獎(jiǎng) (World Electronics Achievement Awards) 旨在評(píng)選并表彰對(duì)推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)和管理者，由AspenCore全球資深產(chǎn)業(yè)分析師組成的評(píng)審委員會(huì)以及來(lái)自亞、美、歐洲的網(wǎng)站用戶群共同評(píng)選出得獎(jiǎng)?wù)摺?/p>

Hyperlux LP圖像傳感器

主要特征、規(guī)格及應(yīng)用領(lǐng)域

Hyperlux LP圖像傳感器系列基于1.4 μm 像素，提供業(yè)界領(lǐng)先的圖像質(zhì)量和低功耗，同時(shí)大幅提高圖像性能，即使在惡劣的照明條件下也能捕獲清晰、生動(dòng)的圖像，適合門禁、生物識(shí)別、監(jiān)控、安防、工業(yè)自動(dòng)化、公共和民用安全以及視頻會(huì)議等各種應(yīng)用。

此產(chǎn)品系列還采用堆棧式架構(gòu)設(shè)計(jì)，能最大限度地減少產(chǎn)品體積，最小型號(hào)小如一粒米，成為受尺寸限制困擾的緊湊型設(shè)備的理想選擇。客戶可以根據(jù)使用情況，選用500萬(wàn)分辨率的AR0544、800萬(wàn)分辨率的AR0830或2000萬(wàn)分辨率的AR2020。

主要優(yōu)勢(shì)

Hyperlux LP 傳感器的差異化優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在功耗和架構(gòu)方面。該系列產(chǎn)品經(jīng)過(guò)專門構(gòu)建和設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)低功耗。為了進(jìn)一步完善硅架構(gòu)，Hyperlux LP 傳感器還具備面向特定目的的功能，如運(yùn)動(dòng)喚醒 (WOM) 和 SmartROI，這些功能在各種工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中非常實(shí)用。

這些功能使 Hyperlux LP 傳感器能夠在帶寬和功耗之間進(jìn)行權(quán)衡，使得視覺(jué)系統(tǒng)可在極低功耗模式下運(yùn)行。傳統(tǒng)傳感器由于不具備相關(guān)功能，往往需要搭載昂貴的電力電子元件和占用(電子器件)空間，無(wú)法實(shí)現(xiàn)理想的圖像質(zhì)量。

該產(chǎn)品已入圍2024年度全球電子成就獎(jiǎng) - 年度傳感器產(chǎn)品。

CEM102 模擬前端(AFE)

主要特征、規(guī)格及應(yīng)用領(lǐng)域

CEM102能以超低的電流實(shí)現(xiàn)超高精度的電化學(xué)傳感。CEM102具備小巧外形和業(yè)內(nèi)超低功耗，是依賴電池供電的電化學(xué)傳感器應(yīng)用的理想之選，工程師采用它能為工業(yè)、環(huán)境和醫(yī)療保健應(yīng)用開發(fā)小巧的多用途解決方案，如空氣和氣體檢測(cè)、食品加工和農(nóng)業(yè)監(jiān)測(cè)，以及連續(xù)血糖監(jiān)測(cè)等醫(yī)療可穿戴設(shè)備。

主要優(yōu)勢(shì)

CEM102 被設(shè)計(jì)為與 RSL15 Bluetooth 5.2微控制器配合使用，RSL15提供行業(yè)功耗最低的藍(lán)牙低功耗技術(shù)。作為一個(gè)完整的電子解決方案，它使生物傳感器和環(huán)境傳感器能精確測(cè)量化學(xué)電流，同時(shí)以超低系統(tǒng)功耗和寬電源電壓范圍運(yùn)行。這兩個(gè)器件的無(wú)縫集成、緊湊的尺寸和業(yè)界領(lǐng)先的能效，在縮小設(shè)備體積和確保其持久運(yùn)行方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，而這正是電池供電解決方案的關(guān)鍵因素。

與其他產(chǎn)品相比，該解決方案具有更高的精度、降噪和低功耗。它還簡(jiǎn)化了物料清單(BoM)，易于校準(zhǔn)，并降低制造復(fù)雜性。該系統(tǒng)具有寬電源電壓范圍(1.3 V至 3.6 V) ，可使用 1.5 V 氧化銀電池或 3 V 紐扣電池工作。

其運(yùn)行功耗在禁用模式下僅為 50 nA，在傳感器偏置模式下為 2 uA，在 18 位 ADC 連續(xù)轉(zhuǎn)換的測(cè)量模式下為 3.5 uA。這相當(dāng)于僅使用 3 mAh 電池就能工作 14 天，使用大容量電池則能工作數(shù)年，其表現(xiàn)在市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位。

該產(chǎn)品已入圍2024年度全球電子成就獎(jiǎng) - 年度傳感器產(chǎn)品。

PowerTrench T10

主要特征、規(guī)格及應(yīng)用領(lǐng)域

PowerTrench T10 系列專為處理對(duì)DC-DC功率轉(zhuǎn)換級(jí)至關(guān)重要的大電流而設(shè)計(jì)，可提高數(shù)據(jù)中心能效，實(shí)現(xiàn)大幅節(jié)能，滿足人工智能計(jì)算的龐大處理需求。該系列產(chǎn)品以緊湊的封裝尺寸提供了更高的功率密度和卓越的熱性能。這是通過(guò)屏蔽柵極溝槽設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的，該設(shè)計(jì)具有超低柵極電荷和小于 1 毫歐的導(dǎo)通電阻RDS(on)。

此外，軟恢復(fù)體二極管和較低的 Qrr 有效地減少了振鈴、過(guò)沖和電氣噪聲，從而確保了在壓力下的最佳性能、可靠性和穩(wěn)健性。采用 T10，電子變流器可以設(shè)計(jì)為高效的分立方案，允許將柵極驅(qū)動(dòng)器放置在 MOSFET 附近，使電流路徑更短。

PowerTrench T10 系列還符合汽車應(yīng)用所需的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)，適用于各種需要 40V 和 80V MOSFET 的新型 48V 應(yīng)用和傳統(tǒng) 12V 應(yīng)用。

主要優(yōu)勢(shì)

對(duì)于低壓 FET，襯底電阻可能占 RDS(ON) 的很大一部分。因此，隨著技術(shù)的進(jìn)步，使用較低電阻率的襯底和減薄晶圓變得至關(guān)重要。在 T10 技術(shù)中，安森美成功減小了晶圓厚度，從而將 40V MOSFET 中襯底對(duì) RDS(ON) 的影響從約 50% 減少到 22%。更薄的襯底也提高了器件的熱性能。

與傳統(tǒng)的 T8 溝槽柵極技術(shù)相比，T10 實(shí)現(xiàn)了：

更低的 RDS(ON) 和柵極電荷 QG，RDS(ON) < 1mΩ，QG < 10 nC。

更低的 Rsp(RDS(ON) vs 面積)

改進(jìn)了 FOM(Rds x Qoss/QG/Qgd)，提高了性能和整體效率。

業(yè)界領(lǐng)先的軟恢復(fù)體二極管(Qrr、Trr)，減少了振鈴、過(guò)沖和噪聲。

安森美與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手對(duì)比：≈1 m? RDS(ON) 40V 器件規(guī)格

該產(chǎn)品入圍2024年度全球電子成就獎(jiǎng) - 年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品。

安森美領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

EliteSiC M3S 650V MOSFET

EliteSiC M3S 650V MOSFET提供了卓越的開關(guān)性能和更低的器件電容，可在數(shù)據(jù)中心和儲(chǔ)能系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率。與上一代產(chǎn)品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的柵極電荷減半，并且將儲(chǔ)存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量均減少了44%。與超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET 相比，它們?cè)陉P(guān)斷時(shí)沒(méi)有拖尾電流，在高溫下性能優(yōu)越，能顯著降低開關(guān)損耗。這使得設(shè)計(jì)人員能夠在提高工作頻率的同時(shí)減小系統(tǒng)元件的尺寸，從而全面降低系統(tǒng)成本。

全新 EliteSiC 功率集成模塊 (PIM)

九款全新 EliteSiC 功率集成模塊 (PIM) 賦能更小、更輕的雙向快速充電平臺(tái)，可為電動(dòng)汽車 (EV) 直流超快速充電樁和儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS) 提供雙向充電功能。與傳統(tǒng)的硅基 IGBT 解決方案相比，尺寸最多可減小 40%，重量最多可減輕 52%，實(shí)現(xiàn)在短短 15 分鐘內(nèi)將電動(dòng)汽車電池充電至 80%，解決電動(dòng)汽車普及的關(guān)鍵難題。

優(yōu)勢(shì)：

針對(duì)每個(gè)模塊， 安森美使用來(lái)自同一晶圓的芯片來(lái)確保更高的一致性和可靠性;

采用第三代 M3S SiC MOSFET技術(shù)，提供超低的開關(guān)損耗和超高的效率;

支持多電平T型中性點(diǎn)鉗位(TNPC)、半橋和全橋等關(guān)鍵拓?fù)?

支持 25 kW 至 100 kW 的可擴(kuò)展輸出功率段，支持多個(gè)直流快速充電和儲(chǔ)能系統(tǒng)平臺(tái)，包括雙向充電;

采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) F1 和 F2 封裝，可選擇預(yù)涂熱界面材料 (TIM) 和壓接引腳;

實(shí)現(xiàn)最佳熱管理，避免因過(guò)熱導(dǎo)致的系統(tǒng)故障;

全碳化硅模塊最大限度地減少功率損耗，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能和降低成本;

提供更高的穩(wěn)健性和可靠性，從而確保持續(xù)連貫工作。

安森美已入圍2024年度全球電子成就獎(jiǎng) - 年度最具潛力第三代半導(dǎo)體技術(shù)。