特瑞諾TRINNO高性能IGBT說明介紹
今天為大家介紹一款特瑞諾(TRINNO)堅固耐用、性能卓越的IGBT ，這款IGBT器件TGH80N65F2DS的額定電壓為650V，具有快速恢復反并聯(lián)二極管，漏電流極低，在高結溫和低結溫下也表現(xiàn)出出色的傳導和開關特性。
TGH80N65F2DS IGBT 采用先進的細溝槽柵極場截止 (FS) 技術，可確保整個器件的電場分布一致。該技術使 IGBT 能夠承受更高的擊穿電壓，并增強其動態(tài)控制能力。這些器件將通過提供傳導和開關損耗之間的最佳平衡以及改進的電磁干擾 (EMI )設計，提高中高開關頻率的各種電源轉換設計的效率。
TGH80N65F2DS絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 提供 650V/80A的額定電壓和電流。這些 IGBT 提供 TO247 或 TO-247-3L 封裝，具體取決于所選的具體器件。所有器件均可在最高結溫 (Tj) 175°C 下工作，并且已在此極限下接受高壓 H3TRB(高濕度、高溫和高壓反向偏置)和 100% 偏置 HTRB(高溫反向偏置)測試。
專為太陽能逆變器、電機控制系統(tǒng)、不間斷電源 (UPS) 和焊接應用而設計，正溫度系數(shù)使其更易于并聯(lián)運行，適用于需要更高性能的應用，裸片、分立和模塊產品變體的可用性為各種目標設計提供了靈活性。
特征
? 650V場阻溝槽IGBT技術
? 寬溫度范圍的低開關損耗
? 正溫度系數(shù)
? 輕松并行操作
? 符合RoHS
? JEDEC資格
? 175℃工作溫度
應用
? UPS、逆變器、太陽能、焊機
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