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      MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解

      深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-05-27 11:16 ? 次閱讀
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      今天我們來講一款FST SIC DIODE模塊MPRA1C65-S61，這款SiC Module可以適用更高的開關(guān)頻率，可忽略的反向恢復(fù)與開關(guān)損耗，大大的提高整機(jī)效率，可適當(dāng)?shù)臏p少散熱器件體積。

      wKgZomZT-vSAZ-xYAAR8JLleOHQ269.png

      模塊采用帶有散熱片的S6小型封裝，具有體積小、結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、用戶使用簡單靈活的特點(diǎn)，是焊接切割設(shè)備，開關(guān)電源 充電設(shè)備等領(lǐng)域的理想功率模塊。

      快速參考數(shù)據(jù):

      650V/100A 碳化硅DIODE模塊

      反向重復(fù)峰值電壓：600V

      連續(xù)正向電流:100A

      熱阻：0.68℃/W

      安裝扭矩-端子：3±15%Nm

      安裝扭矩-散熱器：5±15%Nm

      模塊大約重量：170g

      特征：

      絕緣耐壓

      端子與外殼之間外加交流電 1 分鐘

      封裝形式:S6，

      多種保護(hù)功能，包括欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、過溫保護(hù)

      故障狀態(tài)報(bào)告輸出線性溫度感測(cè)輸出

      S6封裝形式(Package Outline)：

      wKgaomZT-wGAAEYmAACW1TU9ppo156.png

      應(yīng)用：

      焊接切割設(shè)備

      開關(guān)電源

      充電設(shè)備

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