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NXP正式推出了全球首款5納米汽車(chē)MCU

佐思汽車(chē)研究 ? 來(lái)源:佐思汽車(chē)研究 ? 2024-05-10 14:24 ? 次閱讀
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2024年3月底,NXP正式推出了全球首款5納米汽車(chē)MCU,不過(guò)NXP并未稱(chēng)其為MCU,而是叫S32N55 Vehicle Super-Integration Processor,實(shí)際上它就是MCU,當(dāng)然稱(chēng)其為SoC也未嘗不可。它具備高級(jí)汽車(chē)MCU的典型特征,首先是具備一個(gè)高效率的強(qiáng)調(diào)實(shí)時(shí)性的運(yùn)算核心,其次是具備高安全內(nèi)核,最高可達(dá)ASIL-D級(jí)標(biāo)準(zhǔn),再次是具備多種網(wǎng)絡(luò)接口,包括CAN、LIN、FlexRay、車(chē)載以太網(wǎng)、CAN-FD、CAN-XL以及PCIe,CAN網(wǎng)絡(luò)接口至少有15個(gè)。當(dāng)然稱(chēng)其為MCU還是有些勉強(qiáng),因?yàn)樗鼪](méi)有嵌入式閃存,只有SRAM

S32N的E/E定位

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圖片來(lái)源:NXP

S32N有點(diǎn)像多個(gè)MCU的集成,以S32N55為例,是集成了車(chē)輛動(dòng)態(tài)控制、車(chē)身、舒適、中央網(wǎng)關(guān)。

NXP的S32N系列處理器分布

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圖片來(lái)源:NXP

5納米的S32N55是S32N系列的首款產(chǎn)品,將來(lái)還有三款產(chǎn)品,這個(gè)系列應(yīng)該至少都是5納米制造工藝,不排除有3納米制造工藝。圖上可以看出S32N55主要面對(duì)底盤(pán)、車(chē)身和網(wǎng)關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用。

MCU是一個(gè)市場(chǎng)集中度很高的領(lǐng)域,2023年全球MCU市場(chǎng)大約298億美元,前五廠家市場(chǎng)占有率超過(guò)80%。

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圖片來(lái)源:英飛凌

汽車(chē)MCU領(lǐng)域,英飛凌增長(zhǎng)迅速,2020年還是全球第四,市場(chǎng)占有率不到10%,2024年已經(jīng)成為全球第一,原本并列第一的瑞薩和NXP市場(chǎng)占有率快速下降,下降最快的則是德州儀器,從第三跌至第六。前五廠家市場(chǎng)占有率超過(guò)90%,國(guó)產(chǎn)汽車(chē)MCU的市場(chǎng)占有率估計(jì)不到2%。

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圖片來(lái)源:英飛凌

眾所周知,相對(duì)汽車(chē)SoC,汽車(chē)MCU的制造工藝是很落后的,大部分國(guó)產(chǎn)汽車(chē)MCU是90納米,稍微高端的是65納米,國(guó)外高端主流的汽車(chē)MCU是40納米制造工藝,比如英飛凌的TC39X(由美國(guó)格羅方德代工),瑞薩的RH850,NXP的i.MX系列,40納米工藝已經(jīng)有10年歷史了。隨著對(duì)MCU算力的增長(zhǎng),晶體管數(shù)量快速增加,汽車(chē)MCU的制造工藝在加速進(jìn)化,2019年2月瑞薩第一個(gè)推出28納米制造工藝的汽車(chē)MCU,即RH850/U2A。2023年4月瑞薩推出首款22納米MCU,不過(guò)不是汽車(chē)領(lǐng)域。2024年年初,英飛凌的TC49X系列也開(kāi)始使用28納米制造工藝,意法半導(dǎo)體則在CES2024上展出了28納米汽車(chē)MCU樣品。

最先進(jìn)的還是NXP,NXP在2022年就推出了S32Z和S32E系列汽車(chē)MCU,采用了16納米制造工藝,不過(guò)NXP稱(chēng)之為Safe and Secure High-Performance Real-Time Processors,本質(zhì)上就是汽車(chē)MCU。

汽車(chē)MCU在40納米制造工藝徘徊近十年,最主要的因素還是受限MCU內(nèi)部的嵌入式閃存(eFlash)本身制程。閃存的制造工藝擴(kuò)展到40nm以下非常困難,不僅要考慮各種參數(shù)和成本,同時(shí)很難集成到非常復(fù)雜的高K金屬柵極技術(shù)中。也就是說(shuō)先進(jìn)工藝汽車(chē)MCU的關(guān)鍵不在MCU廠家本身,而在晶圓代工廠那里。隨著汽車(chē)智能化和電動(dòng)化,汽車(chē)MCU的嵌入式閃存容量暴增,比如采用更加先進(jìn)的制造工藝和更先進(jìn)的存儲(chǔ)技術(shù)才能滿足這個(gè)需求。四大MCU廠家中,瑞薩和NXP都選擇了STT-MRAM,意法半導(dǎo)體的方向是PCM(相變存儲(chǔ)器),也是計(jì)劃在2024年量產(chǎn),英飛凌則選擇RRAM技術(shù)。

三種技術(shù)比較:

PCM RESET后的冷卻過(guò)程需要高熱導(dǎo)率,會(huì)帶來(lái)更高功耗,且由于其存儲(chǔ)原理是利用溫度實(shí)現(xiàn)相變材料的阻值變化,所以對(duì)溫度十分敏感,無(wú)法用在寬溫場(chǎng)景。為了使相變材料兼容CMOS工藝,PCM必須采取多層結(jié)構(gòu),因此存儲(chǔ)密度過(guò)低,在容量上無(wú)法替代NAND Flash,成本偏高。不過(guò)意法半導(dǎo)體稱(chēng)自己已經(jīng)解決了這些缺點(diǎn)。

MRAM雖然性能較好,但臨界電流密度和功耗仍需進(jìn)一步降低。目前MRAM的存儲(chǔ)單元尺寸仍較大且不支持堆疊,工藝較為復(fù)雜,大規(guī)模制造難以保證均一性,存儲(chǔ)容量和良率爬坡緩慢。

RRAM,它的缺點(diǎn)是器件級(jí)變化性。器件級(jí)變化性直接關(guān)乎芯片的可靠性,但由于RRAM器件狀態(tài)的轉(zhuǎn)變需要透過(guò)給兩端電極施加電壓來(lái)控制氧離子在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下的漂移和在熱驅(qū)動(dòng)下的擴(kuò)散兩方面的運(yùn)動(dòng),使得導(dǎo)電絲的三維形貌難以調(diào)控,再加上噪聲的影響,因此容易造成器件級(jí)變化性,不過(guò)臺(tái)積電解決了這個(gè)問(wèn)題。貌似是幾大MCU廠家在競(jìng)爭(zhēng),實(shí)際都是依靠臺(tái)積電,瑞薩的MCU大部分也是臺(tái)積電生產(chǎn)的。

MRAM的制造工藝可達(dá)16納米,相信NXP的16納米汽車(chē)MCU就是用了MRAM。

為什么要采用5納米工藝制造MCU,需求主要來(lái)自三方面:

一方面是電動(dòng)車(chē)的車(chē)輛控制算法越來(lái)越復(fù)雜,特別是加入了智能駕駛以后,不僅需要常規(guī)的串行計(jì)算,還有并行計(jì)算乃至矢量或矩陣運(yùn)算。車(chē)輛控制算法要求高實(shí)時(shí)性,延遲低于1毫秒,因此需要高算力。

另一方面是軟件系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜,MCU上需要運(yùn)行很多中間件和中小型的虛擬機(jī)和操作系統(tǒng),這也會(huì)消耗大量算力。

最后是車(chē)身和舒適系統(tǒng)也變得越來(lái)越復(fù)雜,特別是座椅和車(chē)燈,也需要消耗大量算力。高算力意味著更多的晶體管數(shù)量,這就需要先進(jìn)工藝的高晶體管密度,這里的算力不是AI算力,所謂AI算力基本上指的是矩陣乘法運(yùn)算,汽車(chē)領(lǐng)域99%的運(yùn)算都不是矩陣乘法。高算力催生了5納米汽車(chē)處理器芯片。

回到S32N55,針對(duì)電機(jī)控制,S32N55有Automotive Math and Motor Control Library (AMMCLib)算子庫(kù),支持AUTOSAR和小型實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)如Zephyr,支持AUTOSAR MCAL實(shí)時(shí)驅(qū)動(dòng)RTD,支持Type1型虛擬機(jī),支持平臺(tái)內(nèi)通訊協(xié)議棧IPCF,支持Safety Software Framework (SAF) 和Structural Core Self-Test (SCST)。

S32N55內(nèi)部框架圖

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S32N55內(nèi)部包含4個(gè)實(shí)時(shí)運(yùn)算單元,每單元一個(gè)4核心的Cortex-R52。

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R52典型制造工藝是16納米,最高時(shí)鐘頻率大約1.6GHz,性能一般是2.72DMIPS/MHz,S32N55的R52頻率是1.2GHz,算力就是16*1200*2.72=52KDMIPS,這個(gè)算力是國(guó)產(chǎn)智能駕駛主流芯片CPU算力的兩倍,與德州儀器TDA4中檔芯片的CPU算力持平。常見(jiàn)的底盤(pán)MCU如英飛凌的TC397,算力是1.3-4KDMIPS,不到S32N55的1/10。

S32N55主要特點(diǎn)

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圖片來(lái)源:NXP

S32N55擁有多達(dá)48MB的SRAM,傳統(tǒng)汽車(chē)MCU如底盤(pán)界霸主英飛凌的TC397其SRAM容量最高不到7MB,如此高的容量如果還用傳統(tǒng)的28或40納米工藝,那成本會(huì)非常驚人。為了降低成本,S32N55內(nèi)部沒(méi)有NVM,采用外接的8通道Octal Nor Flash,畢竟嵌入式NVM最高容量也不過(guò)64MB,外接式可以輕易到256MB。

S32N55面向軟件定義汽車(chē)而生,自然少不了虛擬原型Digital Twin和云端部署支持,這部分支持主要由Synopsys完成。

S32N55虛擬原型生態(tài)系統(tǒng)

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圖片來(lái)源:NXP

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S32N55虛擬原型,可直接在ARM平臺(tái)電腦編程后直接上車(chē),即最頂級(jí)的虛擬ECU。

S32N55生態(tài)系統(tǒng)

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圖片來(lái)源:NXP

S32N55代表了軟件定義汽車(chē)(SDV)時(shí)代MCU的設(shè)計(jì)。SDV時(shí)代,MCU的數(shù)量會(huì)減少30-60%,高集成高算力MCU是未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:重大進(jìn)展,NXP推出全球首款5納米汽車(chē)MCU

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