前言記錄：

簡(jiǎn)化放大器設(shè)計(jì)、適用于寬帶應(yīng)用、極低的Crss、簡(jiǎn)單的偏置電路、低噪聲、高增益(最小10dB)？

D2219UK 金電極通用型硅DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管

其實(shí)拿到這個(gè)料的規(guī)格手冊(cè)不難看出，為什么標(biāo)注品牌 TT Electronics 但是手冊(cè)中顯示的卻是Semelab？

TT Electronics與Semelab前者收購(gòu)合并后者

2008年8月21日，傳感器和電子元件技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者TT Electronics宣布，通過(guò)結(jié)合這兩家領(lǐng)先公司的創(chuàng)新、創(chuàng)意和技術(shù)，收購(gòu)了Semelab Ltd.大部分業(yè)務(wù)的資產(chǎn)，TT electronics和Semelab將為汽車、國(guó)防、航空航天、電信、計(jì)算和工業(yè)電子市場(chǎng)的客戶提供令人振奮的新解決方案。

關(guān)鍵詞解釋

DMOS：（Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）是一種半導(dǎo)體器件制造技術(shù)，主要用于制造功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFETs）。DMOS技術(shù)通過(guò)兩次擴(kuò)散過(guò)程來(lái)形成晶體管的源極和漏極，從而實(shí)現(xiàn)較高的擊穿電壓和較低的導(dǎo)通電阻。

RF FET：（Radio Frequency Field-Effect Transistor）通常是指射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管

金電極：金電極指的是該場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極使用了金作為電極材料。金具有較低的電阻率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性和抗氧化性，因此被廣泛用作半導(dǎo)體器件的電極材料。使用金電極可以降低柵極電阻，改善器件的開關(guān)特性，提高其可靠性。在射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，金電極有助于降低柵極電容，改善高頻性能。

D2219UK實(shí)物圖

TT Electronics 的 D2219UK，金電極多用途硅DMOS RF FET，該RF FET是一種功率型硅DMOS FET，具有2.5W的輸出功率、12.5V的工作電壓和高達(dá)1GHz的工作頻率。主要特點(diǎn)包括簡(jiǎn)化放大器設(shè)計(jì)、適合寬帶應(yīng)用、極低的反向傳輸電容Crss、簡(jiǎn)單的偏置電路、低噪聲和高增益(最小10dB)。文檔提供了詳細(xì)的電氣特性參數(shù)、典型S參數(shù)、以及測(cè)試夾具圖。D2219UK可用于高頻/甚高頻/超高頻通信系統(tǒng)，覆蓋1MHz到1GHz的頻率范圍。

基本信息

型號(hào)：D2219UK
品牌：TT Electronics（原Semelab）
覆蓋頻率：1MHz到1GHz的頻率范圍
連續(xù)漏極電流 (ID)：2A
漏源電壓 (Vdss)：40V
柵源電壓 (Vgs)：20V
輸入電容：12皮法
最高工作溫度：200℃
最大功耗：17.5瓦
引腳：8
包裝：50/盒子
封裝：SO8封裝

應(yīng)用范圍

高頻/甚高頻/超高頻通信，頻率范圍從1 MHz到1 GHz
簡(jiǎn)化放大器設(shè)計(jì)
適用于寬帶應(yīng)用
低噪聲
高增益，最小10分貝
用于1 GHz的功率放大器
負(fù)載失配容忍度高達(dá)20:1

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