三星電子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM
三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)樹立了新的性能標(biāo)桿。
HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）是一種專為高性能計(jì)算設(shè)計(jì)的內(nèi)存技術(shù)，其特點(diǎn)在于極高的數(shù)據(jù)傳輸速率和低延遲。而HBM3E作為HBM的進(jìn)化版本，更是在性能上有了顯著的提升。三星的這款36GB HBM3E 12H DRAM，不僅容量大，而且?guī)挊O高，非常適合用于處理大規(guī)模數(shù)據(jù)和復(fù)雜計(jì)算任務(wù)。
三星能夠?qū)崿F(xiàn)如此高的性能，關(guān)鍵在于其采用了先進(jìn)的熱壓縮非導(dǎo)電薄膜技術(shù)。這種技術(shù)允許三星在相同的面積內(nèi)堆疊更多的DRAM層數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)了更高的存儲(chǔ)密度。傳統(tǒng)的DRAM可能只能在相同面積內(nèi)堆疊8層，但三星通過這一技術(shù)，成功地將層數(shù)提升到了12層。這不僅提高了存儲(chǔ)密度，還有助于提升整體性能。
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