作者： 楊勇，來源： 英飛凌工業(yè)半導體微信公眾號

在IGBT驅動電路中有時會用到鉗位電路，其主要目的是為了保護IGBT器件，避免運行參數(shù)超過集電極或者門極的極限參數(shù)，今天我們總結一下Vce以及Vge鉗位電路設計使用注意事項。

Vce鉗位電路

Vce鉗位電路目的是為了避免在大電流、短路、低溫等特殊工況時，Vce之間的尖峰電壓超過器件可以耐受的最大值，該電路的基本結構如下圖所示。該電路由于設計簡單而且能起到立桿見影的效果，被很多設計者采用。

圖一 有源鉗位電路示意圖

其鉗位電壓的選擇可以采用以下公式：

其中：

Vmax為電路設計中允許的Vce電壓最大值， 應考慮器件阻斷電壓以及余量

Vz為鉗位二極管的額定電壓

aT為溫漂系數(shù)，通常為0.1%，具體的數(shù)值需要查閱所選擇器件的數(shù)據(jù)手冊

Tj為器件實際的工作溫度

Tv為器件鉗位電壓值的容差，比如有5%或者10%，具體值查閱器件數(shù)據(jù)手冊

Vce peak為器件阻斷電壓

但是，對于該電路也存在兩種截然不同的觀點，一種觀點認為，由于鉗位二極管容差以及溫漂影響很大，其實際運行時開啟的電壓值變化幅度大，導致鉗位電壓值不固定，因此在實際設計中不采用；另一種觀點認為，這種電路實現(xiàn)比較簡單，即使二極管特性不是很穩(wěn)定但是適當增加冗余或者采用多個鉗位電壓較低的二極管串聯(lián)，也可以達到減小鉗位二極管容差的目的，從而使鉗位電壓值偏差相對減小。兩種設計思路各有利弊，你會考慮哪種呢，歡迎大家發(fā)表各自的見解。詳細工作原理也可參照微信文章鏈接如何抑制IGBT集電極過壓尖峰

Vge鉗位電路

在IGBT驅動電路設計中，可以采用三種方式來控制Vge之間的電壓在器件允許的范圍內。

第一種如圖二中VDZ，GE之間采用雙向鉗位二極管；

第二種將門極通過快速二極管連接到驅動電源（如圖二中VD2）；

第三種是在GE之間采用三極管把門極電壓下拉到發(fā)射極(如圖三)。

圖二 Vge通過快速二極管連接到驅動電源

圖三 Vge通過米勒鉗位電路避免直通

首先看GE之間采用雙向鉗位二極管。這種電路可以有效地降低Vge電壓尖峰，以確保Vge的電壓在特定場合比如短路中，保持在設計者期望的電壓水平。但是在多年的實際應用實踐中，筆者發(fā)現(xiàn)雙向二極管在長時間運行后會發(fā)生單向擊穿，出現(xiàn)單邊失效呈現(xiàn)短路狀態(tài)，請大家在設計使用中特別留意。

第二種設計是在Vge電路中通過肖特基二極管連接到驅動的正電源，如上圖二的二極管VD2。這種電路其實是前面第一種電路的簡化設計，由于電路的工作特點，驅動回路中的負電壓比較穩(wěn)定，可以通過電源設計解決，而正電壓在dudt發(fā)生變化時會通過米勒電容的電流抬升門極電壓，因此需要鉗位電路把門極正電壓鉗在合適的位置，比如+15V的驅動電源。在選擇二極管時考慮40V的耐壓即可，另外在封裝允許的條件下盡可能選擇平均電流稍大的器件，這樣在實際應用中壓降小更容易使電壓鉗位在接近正電源的水平，同時在布線時該二極管要靠近門極。

第三種電路又叫米勒鉗位，主要是用在門極關斷電壓是0V的情況，常用于一些小功率場合。在對管開通時，dudt的變化會抬高處于關閉狀態(tài)的另一個IGBT的門極電壓，這種情況在某些條件下會導致處于串聯(lián)的IGBT器件同時開通，從而導致短路。為了避免這個情況可以采用圖三所示的Rb+T電路，在IGBT處于關斷狀態(tài)時，Vge電壓處于低電平，比如0V，因此三極管T處于開通狀態(tài)。在布線時確保三極管放在靠近IGBT門極的位置，以確保IGBT的門極電壓水平處于下拉水平，從而為米勒電流提供了一條低阻回路，避免門極電壓水平受到米勒電流的影響而抬高電壓，導致IGBT誤導通。詳細的測試波形請參看鏈接IGBT門極驅動到底要不要負壓

小結一下

1.給出Vce有源鉗位電路二極管選型的計算參考，但是是否選用該電路取決于設計者的設計傾向以及風險評估。
2.Vge鉗位電路有以下三種：

采用雙向鉗位二極管，但是使用中會出現(xiàn)單邊失效問題，謹慎采用；

通過肖特基二極管連接門極+15v到電源正極，達到鉗位的作用；

在門極關斷電壓是0V時，通過三極管在門極和集電極之間設置低阻回路，避免米勒電壓引起的寄生導通。位二極管，但是使用中會出現(xiàn)

審核編輯 黃宇