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日本晶圓廠,開發(fā)1nm

旺材芯片 ? 來源:芯榜 ? 2023-11-20 17:14 ? 次閱讀
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據(jù)《日經(jīng)新聞》獲悉,日本芯片制造商 Rapidus 和東京大學(xué)正在與法國研究機構(gòu) Leti 合作,共同開發(fā)使用 1 納米范圍技術(shù)設(shè)計芯片的基礎(chǔ)技術(shù)。

合作伙伴最早將于明年開始積極交換人員并共享技術(shù)。Leti將貢獻其在芯片組件方面的專業(yè)知識,以構(gòu)建供應(yīng)1納米產(chǎn)品的基礎(chǔ)設(shè)施。

Rapidus已經(jīng)與IBM和比利時研發(fā)集團Imec合作,實現(xiàn)2027年量產(chǎn)2納米芯片的目標。預(yù)計1納米半導(dǎo)體最快將在2030年代進入主流。

與 2 納米相比,1 納米技術(shù)可將功效和計算性能提高 10% 至 20%。IBM 也在考慮在 1 納米領(lǐng)域進行合作。

跨越日本、美國和歐洲的跨境合作伙伴關(guān)系預(yù)計將為下一代芯片帶來穩(wěn)定的供應(yīng)鏈。

去年,Rapidus、東京大學(xué)和其他日本國立大學(xué)與日本理化學(xué)研究所聯(lián)合成立了尖端半導(dǎo)體技術(shù)中心(LSTC)。10 月,LSTC 與 Leti 簽署了一份諒解備忘錄,探討合作。

LSTC 和 Leti 希望建立設(shè)計采用 1.4 納米至 1 納米工藝制造的半導(dǎo)體所需的基本技術(shù)。制造1納米產(chǎn)品需要不同的晶體管結(jié)構(gòu),而在該領(lǐng)域,Leti在薄膜沉積和類似技術(shù)方面實力雄厚。

Leti牽頭研究新的晶體管結(jié)構(gòu),LSTC將合作評估和測試原型,以及派遣人員。

對于傳統(tǒng)的芯片元件結(jié)構(gòu),超過一定程度的小型化會降低功率效率并限制性能提高的范圍。日本在 1 納米范圍內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)計開發(fā)方面沒有本土技術(shù)。

有鑒于此,Rapidus和其他日本利益相關(guān)者設(shè)想通過聯(lián)合研究和進口1納米設(shè)計技術(shù)與海外研究機構(gòu)和公司建立關(guān)系。Rapidus于去年在日本政府的支持下成立,旨在重振國內(nèi)芯片行業(yè)。

2000年代初期,日本啟動了多個旨在開發(fā)小型化技術(shù)的國家半導(dǎo)體項目,但均未能取得有意義的成果。由于巨大的成本負擔(dān),日本大型電子制造商退出了先進芯片的開發(fā)。

目前,日本企業(yè)只能生產(chǎn)40納米工藝的半導(dǎo)體。

麥肯錫公司 (McKinsey & Co.) 表示,到 2030 年,全球半導(dǎo)體市場有望達到 1 萬億美元,而 2021 年約為 6000 億美元。各國正在激烈競爭大規(guī)模生產(chǎn)先進芯片。

全球領(lǐng)先的三星電子和臺積電預(yù)計將于 2025 年大規(guī)模生產(chǎn)采用 2 納米技術(shù)的半導(dǎo)體。生產(chǎn) 4 納米產(chǎn)品的英特爾計劃明年開始采用 1.8 納米工藝制造芯片。

Rapidus 將于 2025 年 4 月啟動一條生產(chǎn) 2 納米產(chǎn)品的試驗生產(chǎn)線。該公司計劃于 2027 年在北海道大規(guī)模生產(chǎn)半導(dǎo)體。

Rapidus 成立于去年 8 月,由豐田汽車和 NTT 等八家日本公司投資 73 億日元(4,850 萬美元)。經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省正在向 Rapidus 提供 3300 億日元的補貼。

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原文標題:日本晶圓廠,開發(fā)1nm

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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