主驅逆變器是電動汽車動力執(zhí)行單元的關鍵部件,它從VCU獲取扭矩指令,從高壓電池包獲取電能,經(jīng)過逆變后控制電機工作,為整車提供驅動和制動力矩,從而保證車輛正常的行駛功能。
主驅逆變器產(chǎn)品圖

傳統(tǒng)主驅逆變器中的功率器件主要是硅基IGBT,受限于Si材料特性極限以及近年來800V高壓平臺的加速布局,SiC功率器件被越來越廣泛應用在主驅逆變器中。???????????
根據(jù)相關報告分析,采用SiC器件的逆變器組件與傳統(tǒng)Si基器件相比,控制器體積可以減少1/5,重量減輕35%,電力損耗從20%降低到5%,效率達到99%以上,整車續(xù)航里程提升5%以上。
我司推薦一款1200V 40mΩ高壓低導通電阻的國產(chǎn)SiC MOSFET,最大漏源電流56A(Tc= 25°C),工作結溫范圍-55°C~175°C,最大耗散功率不高于300W,反向電容13pF,已在多家頭部客戶批產(chǎn),性能反饋優(yōu)異。
除了SiCMOS,我司在逆變器中還可提供變壓器、電感定制,隔離驅動、半橋驅動、電流傳感器、通用運放、TVS、熱敏電阻等國產(chǎn)器件的選型匹配。
審核編輯:劉清
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原文標題:國產(chǎn)碳化硅MOS推薦----主驅逆變器
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