18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-主驅逆變器

全芯時代 ? 來源:全芯時代 ? 2023-11-16 09:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

主驅逆變器是電動汽車動力執(zhí)行單元的關鍵部件,它從VCU獲取扭矩指令,從高壓電池包獲取電能,經(jīng)過逆變后控制電機工作,為整車提供驅動和制動力矩,從而保證車輛正常的行駛功能。

主驅逆變器產(chǎn)品圖

aae446da-8417-11ee-939d-92fbcf53809c.png

傳統(tǒng)主驅逆變器中的功率器件主要是硅基IGBT,受限于Si材料特性極限以及近年來800V高壓平臺的加速布局,SiC功率器件被越來越廣泛應用在主驅逆變器中。???????????

根據(jù)相關報告分析,采用SiC器件的逆變器組件與傳統(tǒng)Si基器件相比,控制器體積可以減少1/5,重量減輕35%,電力損耗從20%降低到5%,效率達到99%以上,整車續(xù)航里程提升5%以上。

我司推薦一款1200V 40mΩ高壓低導通電阻的國產(chǎn)SiC MOSFET,最大漏源電流56A(Tc= 25°C),工作結溫范圍-55°C~175°C,最大耗散功率不高于300W,反向電容13pF,已在多家頭部客戶批產(chǎn),性能反饋優(yōu)異。

除了SiCMOS,我司在逆變器中還可提供變壓器、電感定制,隔離驅動、半橋驅動、電流傳感器、通用運放、TVS、熱敏電阻等國產(chǎn)器件的選型匹配。







審核編輯:劉清

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電動汽車
    +關注

    關注

    156

    文章

    12514

    瀏覽量

    235895
  • 逆變器
    +關注

    關注

    298

    文章

    5017

    瀏覽量

    213952
  • MOS
    MOS
    +關注

    關注

    32

    文章

    1447

    瀏覽量

    99236
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3223

    瀏覽量

    51497
  • 控制電機
    +關注

    關注

    0

    文章

    249

    瀏覽量

    19011

原文標題:國產(chǎn)碳化硅MOS推薦----主驅逆變器

文章出處:【微信號:quanxin100,微信公眾號:全芯時代】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    高功率密度碳化硅MOSFET軟開關三相逆變器損耗分析

    MOSFET 逆變器的功率密度,探討了采用軟開關技術的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關頻率下的零電壓開關三相逆變器及硬開關三相逆變器
    發(fā)表于 10-11 15:32 ?33次下載

    碳化硅器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?877次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應用優(yōu)勢

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構 1 國產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?658次閱讀

    碳化硅MOS驅動電壓如何選擇

    碳化硅MOS驅動電壓選擇15V還是18V,是電力電子設計中的關鍵權衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
    的頭像 發(fā)表于 06-04 09:22 ?1111次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOS</b>驅動電壓如何選擇

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應用

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應用
    發(fā)表于 04-02 11:40 ?0次下載

    SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

    結合國產(chǎn)碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經(jīng)有
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?610次閱讀

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅動的真空鍍膜電源設計方案

    傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅動的真空鍍膜電源設計方案,助力射頻電源業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜致力于推動
    的頭像 發(fā)表于 02-13 21:56 ?709次閱讀
    <b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET和隔離驅動的真空鍍膜電源設計方案

    碳化硅戶用工商業(yè)50kW光伏并網(wǎng)逆變器設計方案

    傾佳電子楊茜介紹全國產(chǎn)碳化硅SiC功率器件(如BASiC基本股份)50kW光伏逆變器設計方案: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在
    的頭像 發(fā)表于 02-13 12:17 ?600次閱讀
    全<b class='flag-5'>碳化硅</b>戶用工商業(yè)50kW光伏并網(wǎng)<b class='flag-5'>逆變器</b>設計方案

    高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代
    的頭像 發(fā)表于 02-09 20:17 ?834次閱讀
    高頻電鍍電源<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

    碳化硅薄膜沉積技術介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1545次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術介紹

    碳化硅在半導體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2140次閱讀

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅的應用領域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢

    的功率器件具有高耐壓、低導通電阻和高頻率的特性,適用于電動汽車、太陽能逆變器、高速鐵路牽引驅動等領域。 射頻器件 :在5G通信、雷達、衛(wèi)星通信等領域,碳化硅材料因其高頻特性被用于制造高性能的射頻器件。 照明領域 : LED照明 :碳化
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:27 ?6317次閱讀

    碳化硅SiC在電動車中的應用

    。使用碳化硅可以提高充電設備的效率,降低能耗,從而縮短充電時間。這是因為碳化硅具有更高的能效和更高的開關速度,能夠實現(xiàn)更高的功率密度和更小的體積。 二、電動車驅動系統(tǒng) 碳化硅在電動車驅動系統(tǒng)中主要用于
    的頭像 發(fā)表于 11-25 17:32 ?2015次閱讀