RK3588 VDD_NPU電源PCB設(shè)計(jì)

1、VDD_NPU的覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)?，路徑不能被過孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳的路徑都足夠。

2、VDD_NPU的電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過孔（7個(gè)以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降；去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用。

3、如圖1所示，原理圖上靠 RK3588的VDD_NPU電源管腳綠線以內(nèi)的去耦電容務(wù)必放在對應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如圖2所示。其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。

4、RK3588芯片VDD_NPU的電源管腳，每個(gè)管腳就近有一個(gè)對應(yīng)過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如圖3所示 ，建議走線線寬10mil。

圖1 RK3588芯片VDD_NPU的原理圖電源管腳去耦電容

圖2 電源管腳背面去耦電容放置

圖3 VDD_NPU電源管腳“井”字形鏈接

5、VDD_NPU電源在NPU區(qū)域線寬不得小于300mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil，盡量采用覆銅方式，降低走線帶來的壓降（其它信號(hào)換層過孔請不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅，如圖4）

6、電源過孔40mil范圍(過孔中心到過孔中心間距)內(nèi)的GND過孔數(shù)量，建議≧9個(gè)。如圖5所示。

圖4 VDD_NPU電源層覆銅情況

圖5 NPU電源地過孔放置圖