為什么硅二極管的死區(qū)電壓比鍺二極管的死區(qū)電壓大？

硅二極管和鍺二極管是電子學中非常常見的兩種二極管。二極管的死區(qū)電壓是指當二極管處于反向偏置狀態(tài)時，為了使其在逆向方向上有所響應，所需的外部驅動電壓。 死區(qū)電壓通常是根據半導體二極管的結構確定的。 在這篇文章中，我們將詳細討論硅二極管和鍺二極管的結構和特性，并解釋為什么硅二極管的死區(qū)電壓比鍺二極管的死區(qū)電壓要大。

首先，我們來了解一下什么是半導體二極管。二極管是由半導體P型和N型材料組成的電子元件。P型半導體富含正電荷載流子（空穴），N型半導體富含負電荷載流子（電子）。當這兩種半導體材料連接在一起時，它們的電子會交換位置，從而形成一個PN結。PN結具有非常有趣的電學特性，它允許電流在特定的方向上流動，而在相反的方向上則會被阻止。

現(xiàn)在，我們來看看硅二極管和鍺二極管的材料特性。硅和鍺是兩種最常用的半導體材料，它們有很多相似的特性，但也存在一些差異。硅的帶隙比鍺更大，因此電子需要更多的能量才能躍過帶隙并形成導電。因此，在相同的溫度下，硅的電阻率通常比鍺更高。此外，硅具有更穩(wěn)定的溫度特性，也就是說，它的電學性能不會隨溫度而產生明顯的變化。

接下來，我們來看一下兩種二極管的結構特點。 鍺和硅二極管的結構幾乎相同，它們的主體都是由兩個相互摻雜的半導體 PN 結構組成。然而，它們之間的最大差異是材料化學性質的不同，這些性質反映了三者之間的晶格距離，而晶格距離則決定了電子流的可能性。 在鍺二極管中，電子的流動性是由于化學鍵增強，較易接受，并能形成空穴，而在硅二極管中則需要更高的能量才能形成空穴，這導致硅二極管中空穴的濃度比鍺二極管要小。

現(xiàn)在，讓我們來研究一下為什么硅二極管的死區(qū)電壓比鍺二極管的死區(qū)電壓要大。在正常情況下，當二極管處于正向偏置狀態(tài)時，它的阻抗非常低，電流可以非常容易地通過它流出。 然而，在反向偏置狀態(tài)下，二極管將從電導狀態(tài)轉換為電阻狀態(tài)，需要一個很大的反向電場來克服它。 此時，如果反向電壓達到二極管的死區(qū)電壓，電阻狀態(tài)將不再可逆轉，這意味著電流不會再通過二極管，電壓將被完全阻隔。 因此，死區(qū)電壓越低，二極管就越容易被搞壞。

硅二極管和鍺二極管之間的關鍵差異是晶格距離，這決定了它們在反向偏置狀態(tài)下的響應。鍺二極管具有較短的晶格距離，從而形成了一個短的 PN 結構。這意味著鍺二極管的電子很容易跨越 PN 結，因此在反向偏置狀態(tài)下，其響應非常靈敏。換句話說，鍺二極管的死區(qū)電壓很低，只需非常小的反向電壓即可將其處于電阻狀態(tài)。

相比之下，硅二極管的死區(qū)電壓要高得多，原因是硅的晶格距離更長，因此PN結構更大。 這意味著硅二極管需要更高的反向電場才能在反向偏置狀態(tài)下創(chuàng)造一個完全電阻的狀態(tài)。 硅二極管的死區(qū)電壓的高度也意味著它更難被損壞，因為更高的反向電壓是不太可能出現(xiàn)在電路中的。

綜上所述，硅二極管和鍺二極管都是非常常見的半導體器件，但在反向偏置狀態(tài)下，它們的響應存在很大的差異。由于硅的晶格距離更長，因此PN結構更大，這導致硅二極管需要更高的反向電場才能形成完全電阻的狀態(tài)，因此死區(qū)電壓更高。 相比之下，鍺二極管具有較短的晶格距離和更小的 PN 結構，使用更低的反向電場就可以使其處于電阻狀態(tài)，因此具有更低的死區(qū)電壓。這就是為什么硅二極管的死區(qū)電壓比鍺二極管的死區(qū)電壓要高得多的原因。