來源：意法半導體

近日，意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。

這款單通道驅(qū)動器可連接最高1200V的電壓軌，而STGAP2GSN 窄版可連接高達 1700V的電壓軌，柵極驅(qū)動電壓最高15V。該驅(qū)動器能夠向所連接的 GaN 晶體管柵極灌入和源出最高3A的電流，即使在高工作頻率下也能精準控制功率晶體管的開關(guān)操作。

STGAP2GS 跨越隔離勢壘的傳播延時極短，只有 45ns，動態(tài)響應(yīng)快速。此外，在整個工作溫度范圍內(nèi)，dV/dt 瞬變電壓耐量為 ±100V/ns，可防止晶體管柵極電流發(fā)生不必要的變化。STGAP2GS 具有獨立的灌電流和源電流引腳，可輕松調(diào)整柵極驅(qū)動操作方式和性能。

STGAP2GS 驅(qū)動器無需使用光學隔離分立元件，方便消費電子、工業(yè)控制等產(chǎn)品設(shè)備采用高效、穩(wěn)健的 GaN 技術(shù)。目標應(yīng)用包括計算機服務(wù)器電源、工廠自動化設(shè)備、電機驅(qū)動器、太陽能發(fā)電、風力發(fā)電系統(tǒng)、家用電器、家用電風扇和無線充電器。

除了集成電流隔離功能外，新驅(qū)動器還具有內(nèi)置系統(tǒng)保護功能，包括針對 GaN 技術(shù)優(yōu)化的熱關(guān)斷和欠壓鎖定 (UVLO)，確保驅(qū)動器的可靠性和耐變性。

EVSTGAP2GS和EVSTGAP2GSN 兩個演示板分別集成標準版STGAP2GS 和窄版 STGAP2GSN 與 ST 的 SGT120R65AL 75mΩ、650V 增強型 GaN 晶體管，幫助用戶評估驅(qū)動器的功能。

采用 SO-8 寬體封裝的 STGAP2GS 和 SO-8窄體封裝的STGAP2GSN現(xiàn)已上市。

審核編輯：湯梓紅