18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

NAND Flash 原理深度解析(上)

UnionMemory憶聯(lián) ? 來(lái)源:未知 ? 2023-09-05 18:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線(xiàn)性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性?xún)r(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。本文則將為大家介紹Nand Flash的工作原理和自身的特性。


一、NAND Flash Wafer、PKG及SSD


Nand Flash Die 是從Wafer身上切割出來(lái),一個(gè)Wafer有很多個(gè)Die。之后再進(jìn)行封裝,變成一個(gè)顆粒。像圖1所示,一個(gè)封裝可以放1/2/4/8/16個(gè)Die,分別叫做SDP/DDP/QDP/ODP/HDP。將顆粒和主控、DDR,電阻電容等一起焊到PCB板上,就形成了SSD產(chǎn)品。


圖1


二、NAND 的歷史


自1991年全球首個(gè)4MB NAND閃存問(wèn)世,此后12MB NAND閃存、1GB NAND閃存、1GB MLC NAND閃存也相繼推出,直至2007年NAND閃存正式從2D進(jìn)入3D時(shí)代。


國(guó)際存儲(chǔ)廠商們發(fā)布了10年的路標(biāo),未來(lái)10年介質(zhì)將持續(xù)演進(jìn)。綜合半導(dǎo)體設(shè)備制造商以及原廠長(zhǎng)期路標(biāo)來(lái)看,預(yù)計(jì)3D NAND堆疊層數(shù)可達(dá)500層以上(~2030年)。在未來(lái)3年,預(yù)計(jì)介質(zhì)存儲(chǔ)密度(Gb/mm2)增加一倍,單位成本($/GB)降低50%+,因此,搭載最新的介質(zhì)來(lái)打造SSD產(chǎn)品可以充分享受介質(zhì)技術(shù)進(jìn)步的紅利。


三、NAND Flash 2D to 3D


閃存的技術(shù)從2D演變到了3D。2D NAND主流技術(shù)是Floating Gate(FG) , 通過(guò)減小特征尺((e.g. 20nm到16nm) 提高存儲(chǔ)密度;3D NAND主流技術(shù)是Charge Trap(CT),通過(guò)提高堆疊層數(shù)(e.g. 64L到96L)提高存儲(chǔ)密度,現(xiàn)在主流的存儲(chǔ)介質(zhì)都是基于Charge Trap技術(shù)的3D NAND。

圖2


3D NAND的演進(jìn)趨勢(shì)

- Multi-Stack

通過(guò)Multi-Stack技術(shù)解決3D堆疊工藝挑戰(zhàn),但Stack之間會(huì)產(chǎn)生額外可靠性問(wèn)題。不同Layer間參數(shù)不同,可能導(dǎo)致單Block內(nèi)RBER/tPROG/tR差異加劇。


- CNA到CUA/PUC

閃存的Die里面分為存儲(chǔ)陣列和外圍控制電路,原來(lái)并排分布的,即CMOS Near Array(CNA)。后來(lái)隨著尺寸越來(lái)越小,外圍電路占的面積越來(lái)越大,不利于成本降低,因此把存儲(chǔ)陣列放在了電路下面,即CMOS Under Array(CUA)。

圖3


- TLC到QLC到PLC

隨著存儲(chǔ)密度不斷增加,3D TLC (3bits/cell)成為主流存儲(chǔ)介質(zhì),3D QLC (4bits/cell)蓄勢(shì)待發(fā)。但是隨著密度的增加,可靠性會(huì)隨之降低,所以在應(yīng)用的時(shí)候需要格外小心?,F(xiàn)在PLC(5bits/cell)處于實(shí)驗(yàn)室技術(shù)預(yù)研階段,將持續(xù)提高存儲(chǔ)密度。

圖4


- IOB/Interface Chip

隨著介質(zhì)接口的速度越來(lái)越高,Nand引入了接口芯片?,F(xiàn)在主流NAND的接口速率是2.4Gbps左右,并快速向3.6/4.8Gbps演進(jìn)。當(dāng)產(chǎn)品對(duì)介質(zhì)速率有要求、并且負(fù)載較重時(shí),需要IO Buffer(即IOB)來(lái)提升介質(zhì)總線(xiàn)速率。


四、介質(zhì)持續(xù)演進(jìn)帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn)


介質(zhì)將會(huì)持續(xù)演進(jìn),隨之帶來(lái)的是在硬盤(pán)產(chǎn)品設(shè)計(jì)上的挑戰(zhàn),當(dāng)介質(zhì)隨著層數(shù)增加,Block會(huì)越來(lái)越大。未來(lái)一個(gè)Block可能將從現(xiàn)在的20-30MB一直擴(kuò)大到100+MB,而一旦Block受到損壞,將導(dǎo)致100+MB容量空間中的內(nèi)容直接丟失,這是對(duì)系統(tǒng)管理的一大挑戰(zhàn)。同時(shí),多次堆疊形成的3D介質(zhì),其讀寫(xiě)的時(shí)延和出錯(cuò)率的一致性,特別是邊界上介質(zhì)的可靠性,都需要特別關(guān)注。


下一期將繼續(xù)為大家分享關(guān)于NAND Flash原理和應(yīng)用的內(nèi)容。


長(zhǎng)按識(shí)別關(guān)注更多憶聯(lián)資訊

了解更多:

PCIe標(biāo)準(zhǔn)演進(jìn)歷史


什么是PCIe?


憶聯(lián)SSD端到端數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)——企業(yè)關(guān)鍵業(yè)務(wù)的“守護(hù)者”


原文標(biāo)題:NAND Flash 原理深度解析(上)

文章出處:【微信公眾號(hào):UnionMemory憶聯(lián)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 存儲(chǔ)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    13

    文章

    4638

    瀏覽量

    89212
  • SSD
    SSD
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    3042

    瀏覽量

    121483

原文標(biāo)題:NAND Flash 原理深度解析(上)

文章出處:【微信號(hào):UnionMemory憶聯(lián),微信公眾號(hào):UnionMemory憶聯(lián)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

    NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同,NAND
    的頭像 發(fā)表于 09-08 09:51 ?4967次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>的基本原理和結(jié)構(gòu)

    東芯半導(dǎo)體:強(qiáng)化SLC NAND Flash技術(shù)優(yōu)勢(shì),擁抱可穿戴、汽車(chē)等新機(jī)會(huì)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)在2025elexcon深圳國(guó)際電子展,東芯半導(dǎo)體帶來(lái)了全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品的展示,其SPI NAND Flash、PPI NAND
    的頭像 發(fā)表于 09-04 15:38 ?4934次閱讀
    東芯半導(dǎo)體:強(qiáng)化SLC <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>技術(shù)優(yōu)勢(shì),擁抱可穿戴、汽車(chē)等新機(jī)會(huì)

    什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

    NAND 文章目錄 NAND 一、FLASH閃存是什么? 二、SD NAND Flash 三、STM32例程 一、
    發(fā)表于 07-03 14:33

    Nginx核心功能深度解析

    Nginx核心功能深度解析
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:50 ?550次閱讀

    MCU片Flash

    ? ? MCU片Flash是微控制器內(nèi)部集成的非易失性存儲(chǔ)器,主要用于存儲(chǔ)程序代碼、常量數(shù)據(jù)及系統(tǒng)配置信息。其核心特性與功能如下: 一、定義與類(lèi)型? 片Flash采用浮柵晶體管技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 05-06 14:26 ?701次閱讀

    兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

    中國(guó)北京(2025 年4 月15 日) —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商 兆易創(chuàng)新 GigaDevice (股票代碼 603986)宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash
    發(fā)表于 04-22 10:23 ?1396次閱讀
     兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>

    兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

    今日,兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash,該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理(BBM)功能,可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速
    的頭像 發(fā)表于 04-16 13:50 ?918次閱讀

    NAND Flash與SD NAND的存儲(chǔ)扇區(qū)架構(gòu)差異

    NAND Flash?和?SD卡(SD NAND)的存儲(chǔ)扇區(qū)分配表都是用于管理存儲(chǔ)設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的,以及文件或數(shù)據(jù)與扇區(qū)的對(duì)應(yīng)關(guān)系,以便實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確讀寫(xiě)和存儲(chǔ)空間的有效管理。
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:20 ?1430次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>與SD <b class='flag-5'>NAND</b>的存儲(chǔ)扇區(qū)架構(gòu)差異

    Nand flash 和SD卡(SD NAND)存儲(chǔ)扇區(qū)分配表異同

    NAND Flash 和 SD卡(SD NAND)的存儲(chǔ)扇區(qū)分配表在原理上有相似之處,但由于二者的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用場(chǎng)景不同,也存在一些差異。以下是它們的異同點(diǎn)和用法介紹:相同點(diǎn): 基本功能:NA
    發(fā)表于 03-13 10:45

    NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略

    根據(jù)知名研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦(TrendForce)最新發(fā)布的研究報(bào)告,NAND Flash產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)在2025年將持續(xù)面臨需求疲弱與供給過(guò)剩的雙重嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。這一趨勢(shì)迫使NAND Flash的主
    的頭像 發(fā)表于 01-24 14:20 ?955次閱讀

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

    SD nand,貼片式SD卡,使用起來(lái)和SD卡一致,不同的是采用,通常采用LGA-8封裝,尺寸為8mm x 6mm x 0.75mm,重點(diǎn)是采用貼片封裝,可以直接貼在板卡,直接解決了SD卡固定
    的頭像 發(fā)表于 01-15 18:16 ?1151次閱讀
    SD <b class='flag-5'>NAND</b>、SPI <b class='flag-5'>NAND</b> 和 Raw <b class='flag-5'>NAND</b> 的定義與比較

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

    SD nand,貼片式SD卡,使用起來(lái)和SD卡一致,不同的是采用,通常采用LGA-8封裝,尺寸為8mm x 6mm x 0.75mm,重點(diǎn)是采用貼片封裝,可以直接貼在板卡,直接解決了SD卡固定
    發(fā)表于 01-15 18:15

    韓廠首傳減產(chǎn)消息,NAND Flash市場(chǎng)迎供需平衡預(yù)期

    近期,NAND Flash市場(chǎng)再次迎來(lái)重要變動(dòng)。據(jù)媒體報(bào)道,繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后,市場(chǎng)又傳出三星、SK海力士?jī)纱箜n廠也將減產(chǎn)消費(fèi)級(jí)NAND Flash的消息。這標(biāo)志著首次有韓國(guó)廠
    的頭像 發(fā)表于 01-07 14:04 ?672次閱讀

    【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash的一些小知識(shí)

    技術(shù)方案。   三、NAND Flash分類(lèi)   NAND閃存卡的主要分類(lèi)以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主,NAND閃存顆粒根據(jù)存儲(chǔ)原理分為SL
    發(fā)表于 12-17 17:34

    江波龍自研SLC NAND Flash累計(jì)出貨突破1億顆!

    江波龍充分發(fā)揮自身芯片設(shè)計(jì)能力,持續(xù)積極投入存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),聚焦 SLC NAND Flash 等存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)。 SLC NAND Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品是應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、安防監(jiān)控
    發(fā)表于 11-14 17:42 ?494次閱讀
    江波龍自研SLC <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>累計(jì)出貨突破1億顆!