碳化硅外延片全球首個(gè)SEMI國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布，瀚天天成主導(dǎo)
國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（semi）正式公布了世界最早的“碳化硅半導(dǎo)體外延晶片全球首個(gè)semi國際標(biāo)準(zhǔn)——《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》 （specification for 4h-sic homoepitaxial wafer）”。該標(biāo)準(zhǔn)由瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司主導(dǎo)編寫，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司，wolfspeed等12家公司參與編寫，歷時(shí)3年。
據(jù)了解，《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》這一國際標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布和實(shí)施，將在規(guī)范國際硅電石半導(dǎo)體外延行業(yè)有序發(fā)展，在降低國際貿(mào)易合作成本，加快新技術(shù)全球推廣等方面具有深遠(yuǎn)意義。
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發(fā)表于 09-09 07:31
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