18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電路應(yīng)用丨MOS場(chǎng)效應(yīng)管作用開關(guān)

永裕泰KUU ? 2023-04-19 10:30 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

MOSFET很容易飽和,這就意味著說,MOSFET完全打開,且非??煽?,可以在飽和區(qū)域之間進(jìn)行非??焖俚那袚Q,這就意味著MOSFET可以用作開關(guān),尤其是適用于電機(jī)、燈等大功率應(yīng)用。在實(shí)際應(yīng)用中,可以使用與大功率設(shè)備相同的電源來操作MOSFET,使用機(jī)械開關(guān)施加?xùn)艠O電壓。或者也可以使用電子信號(hào),例如微控制器激活MOSFET。

N-MOSFET

60812852-da9d-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

N-MOSFET開關(guān)電路

如上圖,N-MOSFET開關(guān)電路圖。當(dāng)按下按鈕時(shí),LED亮起。R2電阻充當(dāng)下拉電阻,將柵極電壓保持在與電池負(fù)極端子相同的電位,直到按下按鈕。這會(huì)在柵極施加正電壓,打開漏極和源極引腳之間的通道,并允許電流流過LED。

P-MOSFET

609935aa-da9d-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

P-MOSFET開關(guān)電路圖


產(chǎn)品推薦60b51f54-da9d-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

9435

SOP-8

Vds:30V

Id:5.3A

60b51f54-da9d-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

4409

SOP-8

Vds:30V

Id:15A

60fc9a82-da9d-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

KM3134K

SOT-723

Vds:20V

Id:750mA

60fc9a82-da9d-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

KM3139K

SOT-723

Vds:20V

Id:660mA


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    173

    文章

    6058

    瀏覽量

    177036
  • MOS
    MOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1452

    瀏覽量

    99239
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-23 15:03 ?2次下載

    貼片MOS場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)如何識(shí)別?

    貼片MOS場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)的識(shí)別需結(jié)合命名規(guī)則、封裝特征及參數(shù)查詢?nèi)矫孢M(jìn)行,以下是具體方法: 一、型號(hào)命名規(guī)則解析 貼片MOS的型號(hào)通常由制造商標(biāo)識(shí)、基本型號(hào)、功能標(biāo)識(shí)、封裝形式及技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 08-05 14:31 ?1433次閱讀
    貼片<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)管</b>型號(hào)如何識(shí)別?

    如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管mos三個(gè)引腳

    場(chǎng)效應(yīng)管mos三個(gè)引腳怎么區(qū)分
    發(fā)表于 03-07 09:20 ?0次下載

    場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)

    場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)
    發(fā)表于 01-08 13:44 ?3次下載

    電機(jī)對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管MOS)的關(guān)鍵要求

    在現(xiàn)代半導(dǎo)體行業(yè)中的電力電子控制系統(tǒng),MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管)因其高效、快速的開關(guān)特性,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具、家電等設(shè)備的電機(jī)控制系統(tǒng)中。由于電機(jī)驅(qū)動(dòng)通常需要高效的功率控制和調(diào)
    的頭像 發(fā)表于 01-03 10:06 ?1549次閱讀
    電機(jī)對(duì)<b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)管</b>(<b class='flag-5'>MOS</b>)的關(guān)鍵要求

    場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 如何降低場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲

    在設(shè)計(jì)場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路時(shí),降低場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲是至關(guān)重要的。以下是一些有效的措施來降低場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲: 一、電源噪聲的抑制 選擇穩(wěn)定的電源 : 使用低噪聲、穩(wěn)定的電源為
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:17 ?1736次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管在工業(yè)自動(dòng)化中的應(yīng)用

    ,適合用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的功率開關(guān)。例如,在伺服電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、BLDC電機(jī)等的驅(qū)動(dòng)中,場(chǎng)效應(yīng)管可以提高系統(tǒng)響應(yīng)速度和效率。 IRF1404PBF等型號(hào)的
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:11 ?1439次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)介紹 如何測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管的功能

    場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,主要通過改變輸入端的電壓來控制輸出端的電流。場(chǎng)效應(yīng)管廣泛應(yīng)用于放大、開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。 場(chǎng)
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:02 ?4143次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管在 RF 電路中的應(yīng)用

    射頻(RF)電路是電子工程中的一個(gè)重要分支,它涉及到無線電波的發(fā)射、接收和處理。隨著無線通信技術(shù)的飛速發(fā)展,RF電路的設(shè)計(jì)和性能要求越來越高。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)因其高頻率響應(yīng)、低噪聲特性和良好的線性
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:01 ?1302次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì) 場(chǎng)效應(yīng)管的負(fù)載能力分析

    更低的噪聲水平,適合用于音頻放大器和射頻放大器。 快速開關(guān)特性 :MOSFET等場(chǎng)效應(yīng)管具有非??斓?b class='flag-5'>開關(guān)速度,適合用于高速數(shù)字電路開關(guān)電源
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:58 ?2052次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管常見問題及解決方案

    屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。JFET使用PN結(jié)作為控制門,而MOSFET使用金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。 2. 場(chǎng)效應(yīng)管的常見問題 2.1 柵極電壓不穩(wěn)定 問題描述: 柵極電壓波動(dòng)可能導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管工作不穩(wěn)定,影響
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:57 ?2151次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管與晶體的區(qū)別是什么呢

    場(chǎng)效應(yīng)管與晶體在多個(gè)方面存在顯著的區(qū)別,以下是對(duì)這兩者的比較: 一、工作原理 場(chǎng)效應(yīng)管 : 導(dǎo)電過程主要依賴于多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng),因此被稱為單極型晶體。 通過柵極電壓(uGS)來
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:55 ?3308次閱讀

    常見場(chǎng)效應(yīng)管類型 場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理

    場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,它利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流的流動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)管的主要類型有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)、金屬氧化
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:52 ?2875次閱讀

    晶體場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別 晶體的封裝類型及其特點(diǎn)

    通過改變溝道中的電場(chǎng)來控制源極和漏極之間的電流。 輸入阻抗 : 晶體 :輸入阻抗相對(duì)較低,因?yàn)榛鶚O需要電流來控制。 場(chǎng)效應(yīng)管 :輸入阻抗非常高,因?yàn)闁艠O控制是通過電壓實(shí)現(xiàn)的,不需要電流。 功耗 : 晶體 :在
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?1423次閱讀

    請(qǐng)問OPA2134輸出端是不是場(chǎng)效應(yīng)管呢?

    網(wǎng)上看到有資料說OPA2134輸入是場(chǎng)效應(yīng)管,但是在官方資料看不到,而且也沒有內(nèi)部電路原理圖。所以想驗(yàn)證一下。
    發(fā)表于 11-01 08:17