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中山大學(xué)吳武強(qiáng)/昆士蘭大學(xué)王連洲:大面積防水耐用的鈣鈦礦發(fā)光紡織品

鋰電聯(lián)盟會(huì)長 ? 來源:鋰電聯(lián)盟會(huì)長 ? 2023-02-06 13:48 ? 次閱讀
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近年來,鹵化鉛鈣鈦礦在可穿戴光電子學(xué)領(lǐng)域展示了廣闊的應(yīng)用潛力,然而其實(shí)際應(yīng)用受限于它們在光照、濕度和溫度應(yīng)力下的不穩(wěn)定性、有害的鉛離子泄漏以及大規(guī)模高通量制備均勻發(fā)光紡織品仍存在困難。為了克服這些障礙,中山大學(xué)吳武強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合昆士蘭大學(xué)王連洲教授團(tuán)隊(duì),通過簡易靜電紡絲技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高通量、低成本制備超穩(wěn)定的大面積(》 375 cm2)鈣鈦礦復(fù)合纖維(PLT)。

該鈣鈦礦紡織品展現(xiàn)了明亮且窄帶光致發(fā)光(光致發(fā)光量子產(chǎn)率(PLQY)49.7 %,F(xiàn)WHM 《17 nm),室溫條件下的T50發(fā)光時(shí)長可達(dá)14193小時(shí),展示了優(yōu)異的水穩(wěn)定性(浸泡水時(shí)長》 3300 h),耐強(qiáng)紫外線照射,高溫(高達(dá)250 °C)和壓力激增(30 MPa)耐受性等。

防水的鈣鈦礦紡織品能夠經(jīng)受強(qiáng)烈的水沖刷,展現(xiàn)可忽略不計(jì)的鉛泄露。此外,該發(fā)光紡織品的成本為~0.05 $/cm2,顯示了低成本大規(guī)模生產(chǎn)的前景,這些低成本制備且可擴(kuò)展的PLT可以滿足在海上救援中的突破性應(yīng)用。

與之前關(guān)于聚合物封裝鈣鈦礦復(fù)合材料的研究不同,本研究采用了一種簡單的單噴嘴靜電紡絲方法(如圖1a所示),可以直接、連續(xù)地大規(guī)模生產(chǎn)PLT,產(chǎn)速可以達(dá)到~1500 cm2/h。該P(yáng)TL可以應(yīng)用在大面積圖案化顯示、平板照明和其他可穿戴光電子領(lǐng)域(圖1b)。

特別地,鈣鈦礦被包裹在聚合物、環(huán)糊精超分子和氟化疏水硅烷材料中,其中疏水性樹脂聚合物作為載體負(fù)載鈣鈦礦納米顆粒,提供防水性能的同時(shí)并確保其機(jī)械柔韌性。具有主體結(jié)構(gòu)的桶狀環(huán)糊精分子(HPβCD),其沿內(nèi)外腔壁具有多齒羥基,可以與鈣鈦礦強(qiáng)烈相互作用形成穩(wěn)定的主客體復(fù)合物,同時(shí)鈍化鈣鈦礦的晶體缺陷。如電子顯微鏡(SEM)圖1c所示,在靜電紡絲過程中,僅僅只有聚丙乙烯(PS)的聚合物作為一個(gè)纖維支架可以將CsPbBr3納米晶體固定在基質(zhì)中。

然而,大量的CsPbBr3晶體形狀不規(guī)則且尺寸偏大。相比之下,CsPbBr3@HPβCD復(fù)合材料制成的纖維薄膜在聚合物基體的內(nèi)部和/或表面有更均勻的分散(圖1d)。這主要得益于HPβCD會(huì)自聚集和共聚形成具有中尺度和/或宏觀空腔的團(tuán)簇網(wǎng)絡(luò),這可以在空間上限制晶體生長,限制CsPbBr3納米晶體顆粒尺寸的進(jìn)一步增大。在高壓電場輔助的靜電紡絲過程中,HPβCD團(tuán)簇被自發(fā)地?cái)D壓到CsPbBr3納米晶的表面,形成一個(gè)巧妙的穩(wěn)定的主客體復(fù)合物的同時(shí)還穩(wěn)定和鈍化了CsPbBr3的表面缺陷。

鑒于部分CsPbBr3納米晶體暴露在纖維膜表面,不利于保證CsPbBr3@HPβCD纖維膜良好的耐水性,從而限制了其實(shí)際應(yīng)用,縮短了其壽命。為了解決這一問題,在靜電紡絲過程中,作者將全氟硅烷(PFOS)作為一種分離的納米相成分加入到CsPbBr3@HPβCD纖維復(fù)合材料中(圖1e)。

一方面,極疏水的PFOS可以自發(fā)地完全覆蓋纖維的外表面,因此沒有觀察到暴露的CsPbBr3納米晶體(圖1e,with PFOS)。另一方面,疏水PFOS分子中許多氟(F)原子可以與HPβCD中的-OH基團(tuán)形成強(qiáng)大的氫鍵,從而構(gòu)建一個(gè)具有良好界面接觸的CsPbBr3@HPβCD@PFOS復(fù)合纖維。

更重要的是,厚度約為50 nm PFOS可以作為一個(gè)有效的保護(hù)層(圖1f)來增強(qiáng)納米纖維復(fù)合膜的防水性。通過高分辨電子透射顯微鏡(HRTEM)鑒定了CsPbBr3@HPβCD復(fù)合纖維的晶態(tài)和非晶態(tài)區(qū)域(圖1f)。晶體區(qū)域表現(xiàn)出清晰的晶格條紋(即距離0.356 nm),對應(yīng)于高結(jié)晶CsPbBr3的(111)晶體面。

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圖1. PLT的制備過程示意圖和形貌表征

考慮到海洋環(huán)境和真實(shí)環(huán)境是復(fù)雜和動(dòng)態(tài)的(如水流速度、pH值和深度),作者專門研究了PLT的抗酸/堿性,并評估了其安全性和可靠性。CsPbBr3@HPβCD@PFOS紡織品在pH = 1.2(PLQY = 31.4%)和pH = 12.8(PLQY = 36.3%)的水中浸泡24小時(shí)后,保存了其PLQY的~63-73 %。

在該研究中,PLT在水中的高壓耐受性也進(jìn)行了評估,其表明當(dāng)救援者或者潛水儀器潛入深海時(shí),在高壓30 MPa 擠壓(相當(dāng)于水下3000米的深度),PLT仍然保持了其初始PL強(qiáng)度的38%(圖2a)。此外,基于CsPbBr3@HPβCD@PFOS的PLT顯示出很強(qiáng)的抗水性,即使在浸泡3260 h后(圖2b),依舊保持 85% 的熒光強(qiáng)度。

利用自制的動(dòng)態(tài)水裝置模擬了570 mL/ min快速流速?zèng)_刷下PLT的真實(shí)情況,結(jié)果顯示PLT可以連續(xù)發(fā)出綠光(圖2c)。電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)測量結(jié)果表明,在動(dòng)態(tài)水沖刷3300小時(shí)過程中,泄露的Pb2+濃度僅僅為3.94 ppt,這低于世界衛(wèi)生組織規(guī)定的安全飲用水的Pb2+濃度 (《0.01 ppm)8個(gè)數(shù)量級。這種抑制鉛離子泄漏的優(yōu)異能力可以歸因于HPβCD團(tuán)簇對重金屬離子的原位封裝和有效的化學(xué)吸附。

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圖2. PLT在海上救援中的應(yīng)用

這項(xiàng)工作,將促進(jìn)下一代智能和可穿戴光電子領(lǐng)域的發(fā)光紡織品的大規(guī)模生產(chǎn)和實(shí)際應(yīng)用。該工作發(fā)表在Nature Communications 上。文章共同第一作者是中山大學(xué)博士后田甜博士和博士生楊梅芳,王連洲教授和吳武強(qiáng)教授為通訊作者。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:Nat Commun:中山大學(xué)吳武強(qiáng)/昆士蘭大學(xué)王連洲:大面積防水耐用的鈣鈦礦發(fā)光紡織品

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