三相逆變橋設(shè)計(jì)主要：柵極電阻、MOS管下拉電阻、MOS管、檢流電阻、反電動(dòng)勢(shì)分壓電阻以及濾波電容； 關(guān)鍵點(diǎn)是MOS管和檢流電阻。

正點(diǎn)原子原理圖：

（一）MOS管

在講MOS管選擇之前，先看一下導(dǎo)通電阻Rdson與額定電壓、額定電流的相互制約關(guān)系：

額定電壓越高，導(dǎo)通電阻Rdson就越大； 導(dǎo)通電阻越大，則功耗越高，則額定電流就做不高； 一般就是低壓大電流或高壓小電流；

1.1耐壓

MOS管的電壓擊穿是瞬間的，因此耐壓值不能太小，一般耐壓按VBUS的2-3倍去選取MOS管；

1.2 電流

MOS管的電流損壞是熱損壞，可以承受瞬間大電流，在滿足散熱條件下選擇平均電流的1.5-2倍；若受空間限制，可按6倍額定電流來選取；

1.3 散熱

散熱的常見方法：覆銅開窗、增加銅厚如2oz、使用散熱器等；

1.4 千克

根據(jù)柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流，以及PWM頻率計(jì)算出最大的Qg（柵極驅(qū)動(dòng)芯片DRV8353R（二）中有說明）

（二）檢流電阻

檢流電阻的封裝不多，先確定封裝，比如選擇2512，那么電阻功率為1W（一般裕量為50%，則按0.5W來使用），如下是電阻封裝與功率對(duì)應(yīng)關(guān)系表：

然后根據(jù)設(shè)定電流值，選擇阻值（柵極驅(qū)動(dòng)芯片DRV8353R（二）中有說明）

或者根據(jù)電壓幅值來計(jì)算電阻阻值，通常電壓幅值在200-500mV比較好； 這個(gè)電壓幅值具備一定的抗干擾能力，同時(shí)對(duì)差分放大的放大倍數(shù)沒有太高的要求。

如果電阻封裝功率不夠，可通過多個(gè)電阻并聯(lián)的方式，來提高電阻的散熱能力。