一家基于專有的氮化鎵（“GaN”）加工技術(shù)開發(fā)創(chuàng)新型高壓功率開關(guān)元件的半導(dǎo)體器件公司Odyssey Semiconductor Technologies, Inc今天宣布，公司的垂直GaN產(chǎn)品樣品制作完成，并于 2023 年第一季度開始向客戶發(fā)貨。

該公司的首席執(zhí)行官評(píng)論道：“我們積壓的客戶一直在熱切地等待這些垂直 GaN 產(chǎn)品樣品。我很自豪地報(bào)告說(shuō)，制造已按計(jì)劃于 2022 年第四季度完成，現(xiàn)在正在準(zhǔn)備樣品，以便在本季度晚些時(shí)候運(yùn)送給客戶?！薄拔覀儗⑴c這些初始客戶密切合作，以獲得有關(guān)他們產(chǎn)品功能的寶貴反饋。我們希望在 2023 年第二季度末與客戶達(dá)成產(chǎn)品開發(fā)協(xié)議?！彼又f(shuō)。

CEO進(jìn)一步指出，產(chǎn)品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應(yīng)用垂直 GaN 技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。它需要我們的重要知識(shí)產(chǎn)權(quán)來(lái)制造適用于客戶用例的產(chǎn)品。展望未來(lái)，Odyssey 繼續(xù)開發(fā)和保護(hù)所需的 IP，并將通過(guò)與主要客戶合作獲得更多優(yōu)勢(shì)，這些客戶將提供更多見(jiàn)解以確保產(chǎn)品成功。

據(jù)報(bào)道，Odyssey 的垂直 GaN 方法將比碳化硅或橫向 GaN 提供比硅更大的商業(yè)優(yōu)勢(shì)。垂直 GaN 在競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)無(wú)法達(dá)到的性能和成本水平上比碳化硅 (SiC) 具有 10 倍的優(yōu)勢(shì)。

報(bào)道指出，650 伏部分是當(dāng)今更大的市場(chǎng)，預(yù)計(jì)將以 20% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。1200 伏產(chǎn)品細(xì)分市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以 63% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率更快地增長(zhǎng)，并將在本十年的下半年成為更大的市場(chǎng)。根據(jù)法國(guó)市場(chǎng)研究公司 Yole Group 的數(shù)據(jù)，到 2027 年，650 伏和 1200 伏功率設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將超過(guò) 50 億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為 40%。

從報(bào)道可以看到，Odyssey Semiconductor Technologies, Inc開發(fā)了一項(xiàng)專有技術(shù)，旨在讓 GaN 取代 SiC 作為新興的高壓功率開關(guān)半導(dǎo)體材料。公司總部位于紐約州伊薩卡，擁有并經(jīng)營(yíng)一個(gè) 10,000 平方英尺的半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)施，配備 1,000 級(jí)和 10,000 級(jí)潔凈空間以及用于先進(jìn)半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)的工具。Odyssey Semiconductor 還提供世界一流的半導(dǎo)體器件開發(fā)和代工服務(wù)。

審核編輯 ：李倩