廈門云天Fine Pitch光刻工藝突破2um L/S
來源：云天半導體
廈門云天半導體繼九月初8&12吋 “晶圓級封裝與無源器件生產線”正式通線后，經過團隊的不懈努力， 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發(fā)終破2/2um L/S大關；
以下為部分工藝條件及成果展示：
膠厚均勻性 3.4%
CD開口均勻性 3%
在Test Vehicle光罩下，測試了長線條&短線條，結果不論是在正性光阻還是負性光阻下， 2um的L/S下的線條都是完整而清晰的，而且沒有任何顯影不潔或過顯的外觀異常；
2um 短線條（光刻后）
2um長線條-負膠（光刻后）
2um長線條-正膠（光刻后）
SEM切片效果圖如下，膠厚：3.308um，CD上開口：2.272um，CD下開口：1.716um，側壁垂直度約85.2°；
2um孔徑SEM
2um長線條經過電鍍及種子層刻蝕后，線寬及線距均在工藝管控范圍內，未出現(xiàn)線路Peeling及斷短路等外觀異常；
2um長線條-負膠（電鍍后）
2um長線條-負膠（PVD刻蝕后）
廈門云天半導體目前量產化最小L/S為10/10um，工程樣品能力最小L/S為7/7um，2/2um的L/S工藝的成功開發(fā)是二期通線后的一次重大突破。目前2/2um的L/S工藝還需進一步的開拓驗證，為后續(xù)量產化的導入做足準備。廈門云天半導體將持續(xù)追求“創(chuàng)新、卓越、合作、奮斗”的精神，不斷挑戰(zhàn)極限、勇攀高峰！
審核編輯黃昊宇
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