近期，上海瞻芯電子科技有限公司的比鄰驅(qū)動(dòng)（NextDrive）芯片IVCR1412正式量產(chǎn)，這是業(yè)界第一款集成負(fù)壓和米勒效應(yīng)抑制功能，且為極緊湊SOT23-6封裝的柵極驅(qū)動(dòng)芯片，可為SiC MOSFET、Si MOSFET和IGBT提供簡(jiǎn)便、緊湊且可靠的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案。

IVCR1412驅(qū)動(dòng)芯片的輸出是一個(gè)準(zhǔn)電流源，從而免除了所有柵極電阻，又能貼近功率管安裝，可最大限度地減小了柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)路雜散電感，動(dòng)態(tài)均流效果提升明顯。該驅(qū)動(dòng)芯片集成了一個(gè)負(fù)壓電荷泵，可以以提供-2V的關(guān)斷電壓。如果不需要-2V的關(guān)斷電壓，直接使用OUT輸出即可。由于柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)路上沒(méi)有柵極電阻，驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)下拉輸出可實(shí)現(xiàn)有源米勒效應(yīng)抑制功能，從而可靠地關(guān)斷MOSFET。該驅(qū)動(dòng)芯片也適用于硅MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)。在關(guān)斷時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片的輸出首先以4A電流下拉80ns，然后以3 Ω的下拉電阻使輸出保持低電平，從而為柵極環(huán)路振蕩提供必要的阻尼。該驅(qū)動(dòng)芯片還具有一個(gè)驅(qū)動(dòng)電流大小的編程引腳，可調(diào)節(jié)開(kāi)通時(shí)上拉的峰值電流大小，用于 MOSFET 的導(dǎo)通速度調(diào)節(jié)，便于優(yōu)化SiC MOSFET的開(kāi)通速度與系統(tǒng)噪聲。IVCR1412是一款高速驅(qū)動(dòng)芯片，器件之間延時(shí)失配最大值為3 ns。它非常適合并聯(lián) MOSFET的一對(duì)一驅(qū)動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)良好的動(dòng)態(tài)均流。主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)OBC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器、服務(wù)器和通信設(shè)備的整流器、EV/HEV逆變器及DC/DC轉(zhuǎn)換器、光伏升壓及逆變、UPS等領(lǐng)域。

IVCR1412的主要特性如下：l 6引腳SOT-23封裝l 高達(dá)2A的峰值拉電流和4 A的峰值灌電流l 80ns灌電流持續(xù)控制l 高達(dá)30V的寬幅VDD供電l VDD 欠壓保護(hù)，4.5V到25V推薦工作電壓l 集成-2V電壓輸出（默認(rèn)），或者0V輸出選項(xiàng)l 抑制米勒效應(yīng)l 可配置輸出驅(qū)動(dòng)電流l 低至-5V負(fù)壓輸入l 兼容TTL和CMOS輸入電平l 低傳播延遲（16ns）l 輸入浮空時(shí)輸出為低電平l-40℃至125℃的工作溫度范圍