3nm芯片什么時(shí)候出 3nm芯片有多少個(gè)晶體管
3nm芯片是2020年臺(tái)積電剛剛生產(chǎn)出來(lái)的目前最為先進(jìn)的芯片，它對(duì)信息化產(chǎn)業(yè)、通訊產(chǎn)業(yè)具有戰(zhàn)略意義。那么這款3nm芯片什么時(shí)候?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)呢？他又有多少個(gè)晶體管呢？
芯片內(nèi)的晶體管越多，則功率和能效就越高，據(jù)報(bào)道臺(tái)積電的這款3nm芯片對(duì)比5nm芯片來(lái)看，在性能方面提升了10%—15%，功耗方面則降低了25%—30%。臺(tái)積電使用3nm的FinFET晶體管，F(xiàn)inFET有助于控制電路中的電流和電壓的流動(dòng)，臺(tái)積電3nm芯片將具有每平方毫米近3億個(gè)晶體管的晶體管密度。
臺(tái)積電3納米芯片依據(jù)原定時(shí)程，它已在2020年動(dòng)工，將于2022年下半年啟動(dòng)量產(chǎn)。
審核編輯：chenchen
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
462文章
53252瀏覽量
455459 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10103瀏覽量
145206 -
3nm
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
236瀏覽量
14864
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
小米自研3nm旗艦SoC、4G基帶亮相！雷軍回顧11年造芯路
XRING O1旗艦芯片。除了大芯片之外，還有此前未有曝光的，搭載小米自研4G基帶的玄戒T1手表芯片，以及小米首款豪華高性能SUV小米YU7。下面我們來(lái)回顧一下發(fā)布會(huì)上的亮點(diǎn)，以及小米自研芯片
MediaTek發(fā)布天璣座艙S1 Ultra芯片
MediaTek 3nm 旗艦座艙芯片——天璣 座艙 S1 Ultra 正式亮相，以先進(jìn)的生成式 AI 技術(shù)和卓越的 3nm 制程，帶來(lái)遠(yuǎn)超同級(jí)的算力突破與智能座艙體驗(yàn)。
今日看點(diǎn)：我國(guó)科學(xué)家研制出高精度可擴(kuò)展模擬矩陣計(jì)算芯片；Microchip 推出首款 3nm PCIe Gen 6 交換芯片
? Microchip 推出首款 3nm PCIe Gen 6 交換芯片 ? 近日，Microchip 宣布推出 Switchtec Gen 6系列PCIe交換芯片，這也是全球首款采用3nm
發(fā)表于 10-14 11:34
?947次閱讀
【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)
。
叉行片：連接并集成兩個(gè)晶體管NFET和PFET，它們之間同時(shí)被放置一層不到10nm的絕緣膜，放置缺陷的發(fā)生。
CFET：屬于下一代晶體管結(jié)構(gòu)，采用
發(fā)表于 09-15 14:50
【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話
。
FinFET是在22nm之后的工藝中使用，而GAA納米片將會(huì)在3nm及下一代工藝中使用。
在叉形片中，先前獨(dú)立的兩個(gè)晶體管NFET和PFET被連接和集成在兩邊，從而進(jìn)一步提升了集成
發(fā)表于 09-06 10:37
下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了！
晶體管的密度，同時(shí)減少了芯片的橫向面積。
相比傳統(tǒng)的FinFET和納米片晶體管，叉片晶體管能夠顯著減少nFET和pFET之間的間距，從而在相同的芯片
發(fā)表于 06-20 10:40
蘋(píng)果A20芯片的深度解讀
）工藝，相較iPhone 17 Pro搭載的A19 Pro（3nm N3P）實(shí)現(xiàn)代際跨越。 ? 性能與能效 ?：晶體管密度提升15%，同等功耗下性能提升15%，同等性能下功耗降低24-35%，能效比
【awinic inside】猜一猜這款3nm機(jī)型里藏有幾顆艾為芯？
5月22日，小米科技發(fā)布新一代旗艦手機(jī)15SPro備受矚目。這款手機(jī)作為小米15周年獻(xiàn)禮之作，其搭載自研“玄戒O1采用第二代3nm工藝”旗艦處理器成為最大看點(diǎn)。這一消息意味著小米在核心技術(shù)領(lǐng)域跨出
雷軍:小米自研芯片采用二代3nm工藝 雷軍分享小米芯片之路感慨
Ultra，小米首款SUV小米yu7 等。 雷軍還透露，小米玄戒O1，采用第二代3nm工藝制程，力爭(zhēng)躋身第一梯隊(duì)旗艦體驗(yàn)。此次小米發(fā)布會(huì)的最大亮點(diǎn)之一肯定是小米自研手機(jī)SoC芯片「玄戒O1」，這標(biāo)志著小米在芯片領(lǐng)域的自主研發(fā)能
跨越摩爾定律，新思科技掩膜方案憑何改寫(xiě)3nm以下芯片游戲規(guī)則
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）在半導(dǎo)體行業(yè)邁向3nm及以下節(jié)點(diǎn)的今天，光刻工藝的精度與效率已成為決定芯片性能與成本的核心要素。光刻掩模作為光刻技術(shù)的“底片”，其設(shè)計(jì)質(zhì)量直接決定了晶體管結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)度
臺(tái)積電加大亞利桑那州廠投資，籌備量產(chǎn)3nm/2nm芯片
據(jù)最新消息，臺(tái)積電正計(jì)劃加大對(duì)美國(guó)亞利桑那州工廠的投資力度，旨在推廣“美國(guó)制造”理念并擴(kuò)展其生產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)悉，此次投資將著重于擴(kuò)大生產(chǎn)線規(guī)模，為未來(lái)的3nm和2nm等先進(jìn)工藝做準(zhǔn)備。
消息稱臺(tái)積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價(jià)，即日起效！
）計(jì)劃從2025年1月起對(duì)3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲，最高漲幅20% 其中，對(duì)3nm、5nm等先進(jìn)制程技術(shù)訂單漲價(jià)，漲幅在
蘋(píng)果iPhone 17或沿用3nm技術(shù)，2nm得等到2026年了！
有消息稱iPhone17還是繼續(xù)沿用3nm技術(shù)，而此前熱議的2nm工藝得等到2026年了……
臺(tái)積電產(chǎn)能爆棚：3nm與5nm工藝供不應(yīng)求
臺(tái)積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè)，其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息，臺(tái)積電的3nm和5nm工藝產(chǎn)能利用率均達(dá)到了極高水平，其中3nm將達(dá)到100%，而5
最新SOC芯片技術(shù)發(fā)展
制程技術(shù)的進(jìn)步 制程技術(shù)是SOC芯片發(fā)展的核心。隨著制程技術(shù)的進(jìn)步，芯片上的晶體管數(shù)量不斷增加，性能也隨之提升。 5nm和3nm制程技術(shù)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論