18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET 為各類電源應(yīng)用提供更好的支持

      21克888 ? 來源：廠商供稿 ? 作者：貿(mào)澤電子 ? 2022-06-09 16:44 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      2022年6月9日– 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。

      貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SCSiC FET為設(shè)計人員提供了多種導(dǎo)通電阻和封裝選項。1200 V SiC FET的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 值為23mΩ至70mΩ，可采用三引線TO-247-3L封裝或四引線TO-247-4L封裝。TO-247-4L封裝采用開爾文柵極，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，非常適合開關(guān)感性負載，以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。

      UF4C/SC系列所有器件都可以用標準的0V至12V或15V柵極驅(qū)動電壓安全驅(qū)動，從而在不改變柵極驅(qū)動電壓的情況下，成為硅IGBT、FET或超級結(jié)器件的合適替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括：通過真正的5V閾值電壓保持良好的閾值噪聲容限、出色的反向恢復(fù)特性和內(nèi)置ESD柵極保護箝位。

      如需更多信息，敬請訪問https://www.mouser.cn/new/unitedsic/unitedsic-uf4csc-1200v-gen4-sic-fets/。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • 電子元器件
        +關(guān)注

        關(guān)注

        134

        文章

        3701

        瀏覽量

        112496
      • 電源應(yīng)用
        +關(guān)注

        關(guān)注

        1

        文章

        15

        瀏覽量

        9873
      • 貿(mào)澤電子
        +關(guān)注

        關(guān)注

        16

        文章

        1193

        瀏覽量

        98949
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關(guān)推薦
        熱點推薦

        派恩杰第四代碳化硅產(chǎn)品在AI基建的應(yīng)用

        在 AI 基建中，碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性，成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數(shù)據(jù)中心的電源系統(tǒng)到邊緣 AI 設(shè)備的穩(wěn)定運行，派恩杰第四代碳化硅正深度滲透到 AI 基建
        的頭像 發(fā)表于 08-18 15:56 ?688次閱讀

        Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

        Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環(huán)境設(shè)計。
        的頭像 發(fā)表于 08-11 16:54 ?2044次閱讀

        派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品

        近日，派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達7mΩ，達到國際領(lǐng)先水平。相比上一
        的頭像 發(fā)表于 08-05 15:19 ?964次閱讀
        派恩杰發(fā)布<b class='flag-5'>第四代</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET系列產(chǎn)品

        新唐科技發(fā)布第四代Gerda系列車用HMI顯示IC

        新唐科技日本有限公司 （NTCJ） 將于 2025 年 5 月開始量產(chǎn)第四代 Gerda 系列車用HMI[1]顯示IC，共三款型號（Gerda-4M、Gerda-4L 和 Gerda-4C
        的頭像 發(fā)表于 07-24 17:41 ?713次閱讀

        瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

        近期，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)
        的頭像 發(fā)表于 07-16 14:08 ?682次閱讀
        瞻芯電子第3<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>1200V</b> 35mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

        高通推出第四代驍龍7移動平臺

        高通技術(shù)公司今日推出最新驍龍7系產(chǎn)品——第四代驍龍7移動平臺。這一全新平臺旨在增強用戶喜愛的多媒體體驗并提供全面的穩(wěn)健性能。無論是利用先進圖像處理功能拍攝珍貴瞬間，還是借助精選的Snapdragon
        的頭像 發(fā)表于 05-19 15:02 ?1318次閱讀

        高通推出第四代驍龍8s移動平臺

        今日，高通技術(shù)公司宣布推出第四代驍龍8s移動平臺，該平臺專為追求出色娛樂體驗和創(chuàng)作體驗的用戶打造，旨在將旗艦性能和先進特性帶給更多消費者，并為手游玩家和創(chuàng)作者提供強勁支持。第四代驍龍8
        的頭像 發(fā)表于 04-03 17:44 ?1409次閱讀

        曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片

        據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4
        的頭像 發(fā)表于 03-12 16:07 ?1.3w次閱讀

        TCL 再掀電視革新風(fēng)暴，第四代液晶電視震撼登場

        前段時間在網(wǎng)上看到消息，說TCL最近有大動作，即將揭曉第四代液晶電視，當(dāng)我還在好奇第四代液晶電視是啥概念的時候，沒想到這么快，就在今天下午14:30，TCL召開了“華曜之上 盡是極景”QD-Mini
        的頭像 發(fā)表于 03-11 14:59 ?607次閱讀

        高通躍龍第四代固定無線接入平臺至尊版發(fā)布

        高通技術(shù)公司今日宣布推出高通躍龍第四代固定無線接入平臺至尊版，這是全球首款5G Advanced FWA平臺。
        的頭像 發(fā)表于 03-04 16:27 ?937次閱讀

        第四代核電堆型：鈉冷快堆設(shè)計的流體仿真技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案

        第四代核反應(yīng)堆是目前核能技術(shù)發(fā)展的前沿方向，具有更高的安全性、經(jīng)濟性、可持續(xù)性以及防擴散能力等特點。
        的頭像 發(fā)表于 02-24 11:17 ?1511次閱讀
        <b class='flag-5'>第四代</b>核電堆型：鈉冷快堆設(shè)計的流體仿真技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案

        高通發(fā)布第四代驍龍6移動平臺

        近日，高通技術(shù)公司在圣迭戈宣布，其最新的第四代驍龍?6移動平臺已正式面世。該平臺旨在為全球廣大用戶帶來前所未有的性能提升與更持久的電池續(xù)航能力，并開創(chuàng)性地首次將生成式AI技術(shù)融入驍龍6系。 第四代驍
        的頭像 發(fā)表于 02-17 10:38 ?2577次閱讀

        AN65-第四代LCD背光技術(shù)

        電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN65-第四代LCD背光技術(shù).pdf》資料免費下載
        發(fā)表于 01-09 14:12 ?0次下載
        AN65-<b class='flag-5'>第四代</b>LCD背光技術(shù)

        三菱電機1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析

        1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器
        的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?2284次閱讀
        三菱電機<b class='flag-5'>1200V</b>級<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET技術(shù)解析

        ROHM推出第四代1200V IGBT

        全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等應(yīng)用，開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IG
        的頭像 發(fā)表于 11-13 13:55 ?1198次閱讀
        ROHM推出<b class='flag-5'>第四代</b><b class='flag-5'>1200V</b> IGBT