引言

半導(dǎo)體制造過(guò)程中，在每個(gè)過(guò)程前后實(shí)施的清洗過(guò)程約占整個(gè)過(guò)程的30%，是重要的過(guò)程之一。特別是以RCA清潔為基礎(chǔ)的濕式清潔工藝，除了化學(xué)液的過(guò)度使用、設(shè)備的巨大化、廢水造成的環(huán)境污染等問(wèn)題外，重要的是有效地沖洗，防止清潔化學(xué)液在道工序后在晶片表面殘留，以及防止水斑點(diǎn)等污染物再次污染。因此，最近在濕清洗過(guò)程中，正在努力減少化學(xué)液和超純水的量，回收利用，開(kāi)發(fā)新的清洗過(guò)程，在干燥過(guò)程中，使用超純水和IPA分離層的marangoni干燥方法正在引入。本研究考察了不同于傳統(tǒng)的marangoni方法，利用超純水和IPA的混合溶液表面進(jìn)行干燥和去除污染顆粒的效果。

實(shí)驗(yàn)方法

自制了超純水和IPA混合溶液安裝在室內(nèi)，為了制造一定濃度的混合溶液，我們先在單獨(dú)的容器中混合，并保持混合溶液在bath內(nèi)以3 LPM的流量恒定地投入。此外，為了方便晶片的干燥，還采取了其他措施。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

根據(jù)IPA的濃度變化，觀察晶片表面污染顆粒的增減情況，在IPA添加量為低濃度和高濃度的情況下，可以觀察到良好的結(jié)果。而且，將晶片從bath內(nèi)取出到大氣中時(shí)的解除速度對(duì)晶片表面的污染粒子數(shù)沒(méi)有太大影響，但對(duì)晶片底部的water droplet形成有很大影響，結(jié)論表明與GAN有密切關(guān)系。另外，繼續(xù)反復(fù)使用超純水和IPA混合溶液進(jìn)行工藝，表明晶片表面存在的粒子數(shù)量沒(méi)有增加，而是保持在一定水平。干燥過(guò)程中吹的hot N2的溫度變化，晶片表面溫度在各部分觀察不一樣，但沒(méi)有特別的影響。