榮湃半導(dǎo)體始終以保證信號傳輸可靠性為第一要務(wù)，榮湃隔離驅(qū)動器出色的產(chǎn)品性能表現(xiàn)具體體現(xiàn)在哪些方面？讓我們一起走進(jìn)榮湃「技術(shù)課堂」，聽資深技術(shù)專業(yè)解說

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榮湃隔離驅(qū)動器在大功率隔離式DC-DC電源應(yīng)用中

在大功率隔離式DC-DC電源應(yīng)用中，由隔離驅(qū)動器直接控制的上橋和下橋開通、關(guān)斷的時間點是否精準(zhǔn)，直接影響到電源系統(tǒng)的性能表現(xiàn)，所以隔離驅(qū)動器的時序特性非常關(guān)鍵。傳播延時對稱性好、脈寬失真小的隔離驅(qū)動器，可以有效提高電源系統(tǒng)的運行效率，降低開發(fā)階段的調(diào)試難度。

榮湃半導(dǎo)體實驗室實測結(jié)果顯示，Pai8233C雙通道隔離驅(qū)動器的傳播延時小于20納秒，脈寬失真小于1納秒，通道間時序性能差異小于1納秒，優(yōu)于同類產(chǎn)品。

隨著電源功率密度的要求不斷提高，電源內(nèi)的磁性元件體積必須縮小，硅功率管開關(guān)損耗過大，無法通過提高開關(guān)頻率減小磁性元件、碳化硅、氮化鎵等新材料功率器件。由于其開關(guān)損耗小、適應(yīng)頻率高，能夠有效縮小電源系統(tǒng)的體積。而功率器件開關(guān)頻率提高，會導(dǎo)致電源系統(tǒng)邏輯側(cè)參考地和驅(qū)動側(cè)參考地之間的電壓變化率顯著增加，對隔離驅(qū)動器的抗共模干擾能力提出了新的要求。

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榮湃隔離驅(qū)動器在典型的碳化硅電源應(yīng)用中

在典型的碳化硅電源應(yīng)用中，隔離驅(qū)動器需要承受超過80kV/us的共模干擾，而在硅MOS電源中，這一數(shù)值僅為15~30kV/us。

在開發(fā)隔離驅(qū)動器的過程中，榮湃始終以保證信號傳輸可靠性為第一要務(wù)。實驗室實測結(jié)果顯示，在電路兩側(cè)參考地之間施加高達(dá)167kV/us的共模干擾時，Pai8233C的輸出波形和共模干擾施加前完全一致，沒有發(fā)生錯誤。

在橋式電路中，一旦上管和下管同時導(dǎo)通，功率管上的電流會急劇增加，導(dǎo)致器件燒毀，系統(tǒng)失效。設(shè)計人員會通過在PWM控制器軟件中，增加上下管同時關(guān)斷的死區(qū)時間去避免直通。但是在使用分離式解決方案時，由于不具備硬件死區(qū)功能，上下管直通的風(fēng)險依然存在。Pai8233系列隔離驅(qū)動器具有可編程的硬件死區(qū)功能，通過調(diào)整DT引腳對地的電阻大小，就能輕松調(diào)整Pai8233系列隔離驅(qū)動器的死區(qū)時間長度。

在外接20K歐姆電阻時，Pai8233C的死區(qū)時間約為178納秒，表現(xiàn)穩(wěn)定。實測結(jié)果顯示，從零下40攝氏度到125攝氏度的溫度區(qū)間范圍內(nèi)，Pai8233C的死區(qū)時間變化率低于2%，溫漂現(xiàn)象很小。

Pai8233C的時序性能表現(xiàn)好，抗共模干擾性能強(qiáng)，硬件死區(qū)時間功能可靠性高，能夠滿足電源系統(tǒng)設(shè)計的需求。