18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

二氧化硅層在芯片中有何作用

工程師鄧生 ? 來(lái)源:xpw432、yeumgixun、sedic ? 作者:xpw432、yeumgixun、 ? 2021-12-21 15:30 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

二氧化硅它是屬于光纖的主要制作材料,屬于光波導(dǎo),不屬于半導(dǎo)體也不屬于導(dǎo)體,導(dǎo)體就是我們通常所說(shuō)的電導(dǎo)體。其二氧化硅膜可以制作成一種集成電路器件。

二氧化硅在晶體管和集成電路中主要作雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽膜和保護(hù)層。二氧化硅在集成電路制作的過(guò)程中,可以阻止雜質(zhì)擴(kuò)散。

二氧化硅主要的作用是隔離( isolation),例如在mos和mos之間,metal和metal之間的隔離就需要二氧化硅。

另外就是IC生產(chǎn)過(guò)程中的imp blocking.

本文綜合整理自xpw432、yeumgixun、sedic

審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    462

    文章

    53252

    瀏覽量

    455455
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5442

    文章

    12341

    瀏覽量

    371591
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10103

    瀏覽量

    145204
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    為什么LED芯片正電極要插入二氧化硅電流阻擋,而負(fù)極沒(méi)有?

    為什么LED正電極需要二氧化硅阻擋?回答:LED芯片正極如果沒(méi)有二氧化硅阻擋,芯片會(huì)出現(xiàn)電流
    的頭像 發(fā)表于 07-14 17:37 ?615次閱讀
    為什么LED<b class='flag-5'>芯片</b>正電極要插入<b class='flag-5'>二氧化硅</b>電流阻擋<b class='flag-5'>層</b>,而負(fù)極沒(méi)有?

    晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的原因

    集成電路生產(chǎn)過(guò)程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見(jiàn)但復(fù)雜的問(wèn)題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因,因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每個(gè)工藝參數(shù),尤其是對(duì)邊緣區(qū)域的處理,以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。
    的頭像 發(fā)表于 07-09 09:43 ?493次閱讀

    VirtualLab Fusion應(yīng)用:氧化硅的可變角橢圓偏振光譜(VASE)分析

    VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器二氧化硅(SiO2)涂層上的使用。對(duì)于系統(tǒng)的參數(shù),我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀(VASE)概述。I.
    發(fā)表于 06-05 08:46

    氧化制備芯片制造中的重要作用

    本文簡(jiǎn)單介紹了氧化制備芯片制造中的重要作用。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 09:58 ?973次閱讀
    <b class='flag-5'>氧化</b><b class='flag-5'>層</b>制備<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>芯片</b>制造中的重要<b class='flag-5'>作用</b>

    呼氣末二氧化碳監(jiān)測(cè)中的傳感器應(yīng)用

    01呼氣末二氧化碳呼氣末二氧化碳(ETCO2)是指呼氣終末期呼出的混合肺泡氣體中含有的二氧化碳?jí)海≒ETCO2)或二氧化碳濃度(CETCO2),已經(jīng)被認(rèn)為是除體溫、脈搏、呼吸、血壓、動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 05-19 13:20 ?567次閱讀
    呼氣末<b class='flag-5'>二氧化</b>碳監(jiān)測(cè)中的傳感器應(yīng)用

    二氧化碳光聲傳感技術(shù)

    室內(nèi)CO2濃度高通常是人類(lèi)存在的結(jié)果。我們的身體吸入氧氣并排放二氧化碳,如果環(huán)境通風(fēng)不暢,二氧化碳會(huì)在室內(nèi)積聚。而且,現(xiàn)代建筑密集的隔熱間接導(dǎo)致二氧化碳的增加。例如,減少消耗和加熱或
    的頭像 發(fā)表于 05-19 13:19 ?611次閱讀
    <b class='flag-5'>二氧化</b>碳光聲傳感技術(shù)

    芯片制造中的二氧化硅介紹

    二氧化硅芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見(jiàn)沉積方法與應(yīng)用場(chǎng)景,解析SiO?柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用
    的頭像 發(fā)表于 04-10 14:36 ?3144次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b>制造中的<b class='flag-5'>二氧化硅</b>介紹

    Low-K材料芯片中作用

    Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅(SiO?,k=3.9–4.2)的絕緣材料,主要用于芯片制造中的間電介質(zhì)(ILD)。其核心目標(biāo)是通過(guò)降低金屬互連線間的寄生電容,解決RC延遲(電阻-電容延遲)和信號(hào)串?dāng)_問(wèn)題,從而提升
    的頭像 發(fā)表于 03-27 10:12 ?3059次閱讀
    Low-K材料<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>芯片中</b>的<b class='flag-5'>作用</b>

    礦井下的“隱形守護(hù)者”:解碼礦用二氧化碳傳感器

    在數(shù)百米深的地層之下,煤炭開(kāi)采的轟鳴與礦工們的汗水交織成獨(dú)特的工業(yè)交響曲。而在這幽暗的巷道中,一種看不見(jiàn)的氣體——二氧化碳,正悄然威脅著礦工們的生命安全。據(jù)統(tǒng)計(jì),我國(guó)煤礦每年因有害氣體導(dǎo)致的安全事故
    的頭像 發(fā)表于 03-24 18:22 ?587次閱讀

    VirtualLab Fusion應(yīng)用:氧化硅的可變角橢圓偏振光譜(VASE)分析

    VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器二氧化硅(SiO2)涂層上的使用。對(duì)于系統(tǒng)的參數(shù),我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀(VASE)概述。I.
    發(fā)表于 02-05 09:35

    OptiFDTD應(yīng)用:用于光纖入波導(dǎo)耦合的硅納米錐仿真

    轉(zhuǎn)換器。[2] 錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過(guò)渡。 選擇Silicon-on-insulator(SOI)技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺(tái),因?yàn)樗峁└哒凵渎时龋?b class='flag-5'>二氧化硅作為光學(xué)緩沖器
    發(fā)表于 01-08 08:51

    紅外 CO2(二氧化碳) 氣體傳感器和分析模組

    隨著科技的進(jìn)步,人們對(duì)于生活以及身體健康關(guān)注越來(lái)越高。CO2(二氧化碳)是地球大氣的重要組成部分,與人類(lèi)生活息息相關(guān)。關(guān)注CO2(二氧化碳)氣體,監(jiān)測(cè)CO2(二氧化碳)氣體至關(guān)重要。CO2(
    的頭像 發(fā)表于 01-07 17:01 ?984次閱讀
    紅外 CO2(<b class='flag-5'>二氧化</b>碳) 氣體傳感器和分析模組

    OptiFDTD應(yīng)用:用于光纖入波導(dǎo)耦合的硅納米錐仿真

    轉(zhuǎn)換器。[2] 錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過(guò)渡。 選擇Silicon-on-insulator(SOI)技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺(tái),因?yàn)樗峁└哒凵渎时?,包?b class='flag-5'>二氧化硅作為光學(xué)緩沖器
    發(fā)表于 12-11 11:27

    高濃度二氧化硫環(huán)境下金屬及其鍍層腐蝕性能測(cè)試

    的嚴(yán)格性和條件,需要考慮使用的腐蝕性氣體類(lèi)型和暴露持續(xù)時(shí)間。為了復(fù)現(xiàn)自然環(huán)境中的腐蝕作用,金鑒實(shí)驗(yàn)室可以開(kāi)展包括一氧化氮(NO2)、二氧化硫(SO2)、二氧化碳(CO
    的頭像 發(fā)表于 11-01 14:24 ?938次閱讀
    高濃度<b class='flag-5'>二氧化</b>硫環(huán)境下金屬及其鍍層腐蝕性能測(cè)試

    偏硼酸鋰熔融-電感耦合等離子體發(fā)射光譜法測(cè)定有色金屬礦中二氧化硅

    存在,且金屬元素含量高、種類(lèi)多,具有較高的研究?jī)r(jià)值。除了需要對(duì)有色金屬礦石中的多種元素進(jìn)行研究外,作為組成礦石主要成分的二氧化硅含量的高低不僅決定著礦石的共生組合,也是影響礦石價(jià)格的主要參考指標(biāo)之一,因此,研究有色金屬礦中二氧化硅的測(cè)定方法對(duì)礦產(chǎn)勘查有著重要影響及指導(dǎo)意義
    的頭像 發(fā)表于 10-30 13:12 ?992次閱讀
    偏硼酸鋰熔融-電感耦合等離子體發(fā)射光譜法測(cè)定有色金屬礦中<b class='flag-5'>二氧化硅</b>