MediaTek 3nm 旗艦座艙芯片——天璣 座艙 S1 Ultra 正式亮相,以先進(jìn)的生成式 AI 技術(shù)和卓越的 3nm 制程,帶來(lái)遠(yuǎn)超同級(jí)的算力突破與智能座艙體驗(yàn)。
發(fā)表于 10-23 11:39
?233次閱讀
據(jù)外媒韓國(guó)媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報(bào)道稱(chēng)全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn);三星公司已確認(rèn) Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動(dòng) SoC 芯片,目
發(fā)表于 09-04 17:52
?1859次閱讀
,或者M(jìn)DP軟件。
現(xiàn)有可免費(fèi)試用的光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件,可實(shí)現(xiàn)最高1nm精度的大型圖形轉(zhuǎn)換,同時(shí)只需要的少量的電腦內(nèi)存就可以運(yùn)行。如需要請(qǐng)聯(lián)系我,謝謝!
發(fā)表于 05-02 12:42
%左右開(kāi)始,隨著進(jìn)入量產(chǎn)階段,良率會(huì)逐漸提高”。
星電子將在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 內(nèi)存芯片和 4nm 邏輯芯片
發(fā)表于 04-18 10:52
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中,無(wú)論是臺(tái)積電還是三星都在積極布局,或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋(píng)果A19 或A20 芯片
發(fā)表于 03-14 00:14
?2116次閱讀
據(jù)外媒曝料稱(chēng)三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱(chēng)三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái),每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm
發(fā)表于 03-12 16:07
?1.3w次閱讀
您好!請(qǐng)問(wèn)DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的損傷閾值是多少? 能否承受0.1GW/cm2量級(jí)的功率密度?
發(fā)表于 02-26 06:16
隨著科技的發(fā)展,高光譜成像技術(shù)因其能夠提供豐富的物質(zhì)信息而受到越來(lái)越多的關(guān)注。本文主要探討了1納米(nm)光譜分辨率和1200條光譜通道配置對(duì)于高光譜相機(jī)性能的影響及其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。 高光譜
發(fā)表于 02-21 14:46
?646次閱讀
的光譜分辨率相比多光譜相機(jī)更高,業(yè)內(nèi)高分辨率的高光譜相機(jī)VIX-N110P為1nm,而多光譜相機(jī)的光譜分辨率遠(yuǎn)大于1nm,一般為10~100nm。 2、波段數(shù)量 高光譜相機(jī)的波段數(shù)量非常多,通常可以達(dá)到數(shù)百個(gè)甚至上千個(gè),而多光譜
發(fā)表于 02-07 17:01
?671次閱讀
據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達(dá)到結(jié)束開(kāi)發(fā)工作、順利進(jìn)入量
發(fā)表于 01-22 15:54
?830次閱讀
高達(dá)14億美元,不僅將超越當(dāng)前正在研發(fā)的2nm工藝技術(shù),更將覆蓋從1nm至7A(即0.7nm)的尖端工藝領(lǐng)域。NanoIC試驗(yàn)線的啟動(dòng),標(biāo)志著歐洲在半導(dǎo)
發(fā)表于 01-21 13:50
?841次閱讀
來(lái)源:國(guó)際電子商情 國(guó)際電子商情31日獲悉,臺(tái)積電(TSMC)日前宣布了其2025年1月的漲價(jià)計(jì)劃,以應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的AI需求和先進(jìn)制程技術(shù)的成本壓力…… 據(jù)媒體報(bào)道,芯片代工龍頭臺(tái)積電(TSMC
發(fā)表于 01-03 10:35
?895次閱讀
臺(tái)積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè),其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息,臺(tái)積電的3nm和5nm工藝產(chǎn)能利用率均達(dá)到了極高水平,其中3nm將達(dá)到100%,而5
發(fā)表于 11-14 14:20
?1212次閱讀
近日,聯(lián)發(fā)科在AI相關(guān)領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)力引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。據(jù)悉,聯(lián)發(fā)科正采用新思科技以AI驅(qū)動(dòng)的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)流程,用于2nm制程上的先進(jìn)芯片設(shè)計(jì),這一舉措標(biāo)志著聯(lián)發(fā)科正朝著2nm芯
發(fā)表于 11-11 15:52
?2033次閱讀
1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī),加快開(kāi)發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道,三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA EUV(極紫外)光刻機(jī)設(shè)備,這標(biāo)志著這家韓國(guó)
發(fā)表于 10-31 10:56
?1398次閱讀
評(píng)論