18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

比亞迪半導體成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動芯片BF1181

比亞迪半導體 ? 來源:比亞迪半導體 ? 作者:比亞迪半導體 ? 2021-12-16 10:52 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近期,比亞迪半導體基于先前研發(fā)成果的穩(wěn)固基礎上,繼續(xù)整合自身優(yōu)勢,成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動芯片——BF1181,今年12月實現(xiàn)向各大廠商批量供貨。

BF1181是一款磁隔離單通道柵極驅(qū)動芯片,用于驅(qū)動1200V功率器件,同時具有優(yōu)異的動態(tài)性能和工作穩(wěn)定性,并集成了多種功能,如故障報警,有源密勒鉗位,主次級欠壓保護等。BF1181還集成了模擬電平檢測功能,可用于實現(xiàn)溫度或電壓的檢測,并提高芯片的通用性,進一步簡化系統(tǒng)設計,優(yōu)化尺寸與成本等。

比亞迪半導體成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動芯片BF1181

為了安全可靠地使用功率器件,并實現(xiàn)將MCU的低壓驅(qū)動信號實時控制功率器件的開啟與關斷,功率器件驅(qū)動芯片必不可少,它將驅(qū)動功能和各種保護功能集成于一體??梢哉f每個功率器件都需要一個驅(qū)動芯片——合適的驅(qū)動芯片可讓電力電子系統(tǒng)事半功倍。

然而,我國車用功率器件驅(qū)動芯片目前主要依賴進口,此前國內(nèi)基本還沒有滿足應用的車規(guī)級高壓功率器件驅(qū)動芯片。

比亞迪半導體成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動芯片BF1181

新能源汽車功率器件驅(qū)動芯片分布圖

比亞迪半導體深耕功率半導體和集成電路領域17載,充分發(fā)揮微電子技術和電力電子技術相結(jié)合的突出優(yōu)勢,于2011年成功開發(fā)出600V 功率器件驅(qū)動芯片,批量應用于智能功率模塊產(chǎn)品,并在變頻家電領域得到廣泛應用。

比亞迪半導體成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動芯片BF1181

比亞迪半導體2011年已量產(chǎn)600V 功率器件驅(qū)動芯片

如今,自主研發(fā)的1200V驅(qū)動芯片BF1181,其應用范圍更廣,可應用于EV/HEV電源模塊、工業(yè)電機控制驅(qū)動、工業(yè)電源、太陽能逆變器等領域。在此之前,功率器件驅(qū)動芯片因其單顆價值小,在汽車電子系統(tǒng)成本占比較低容易被忽略,但它在汽車電子系統(tǒng)中卻是與功率器件并駕齊驅(qū),在新能源汽車中發(fā)揮至關重要作用。

1200V功率器件驅(qū)動芯片——BF1181

BF1181的研發(fā)成功及批量供貨,無論是在質(zhì)量把控上還是技術發(fā)展上皆是極賦意義的飛躍,推動比亞迪半導體在功率器件驅(qū)動芯片領域上邁出了堅實的一大步。此外,比亞迪半導體還實現(xiàn)了關鍵產(chǎn)品核心技術的自主可控,極大地帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈并進行成果共享,促進新能源汽車關鍵零部件技術發(fā)展,最終推動新能源汽車產(chǎn)業(yè)長足發(fā)展。

往期推薦

●創(chuàng)“芯”驅(qū)動發(fā)展 比亞迪半導體榮獲“GDSIA 2021年度貢獻獎”

●創(chuàng)新引領未來,比亞迪半導體SiC功率模塊斬獲2021年度“全球電子成就獎”

●喜訊!比亞迪半導體參與完成的項目榮獲國家科技進步二等獎

●喜訊!比亞迪半導體再次榮登2021全球獨角獸企業(yè)500強榜單

●比亞迪半導體駐順德辦事處正式掛牌成立 順德核“芯”圈成型

原文標題:比亞迪半導體新款功率器件驅(qū)動芯片自主研發(fā)告成!12月實現(xiàn)批量供貨

文章出處:【微信公眾號:比亞迪半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
責任編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    462

    文章

    53252

    瀏覽量

    455413
  • 半導體
    +關注

    關注

    336

    文章

    29632

    瀏覽量

    253816
  • 比亞迪
    +關注

    關注

    19

    文章

    2512

    瀏覽量

    55881

原文標題:比亞迪半導體新款功率器件驅(qū)動芯片自主研發(fā)告成!12月實現(xiàn)批量供貨

文章出處:【微信號:BYD_Semiconductor,微信公眾號:比亞迪半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    基本半導體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術,在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎上,通過創(chuàng)新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感,使碳化硅MOSFET的高頻性能得
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?687次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>1200V</b>工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應用

    近期,中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單,已量產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 07-16 14:08 ?681次閱讀
    瞻芯電子第3代<b class='flag-5'>1200V</b> 35mΩ SiC MOSFET<b class='flag-5'>量產(chǎn)</b>交付應用

    功率半導體器件——理論及應用

    結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導體器件的應用到各類重要功率半導體
    發(fā)表于 07-11 14:49

    聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET

    在全球新能源汽車加速普及的今天,續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點,高功率電壓系統(tǒng)對1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切,1200V
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:55 ?809次閱讀

    龍騰半導體推出1200V 50A IGBT

    功率器件快速發(fā)展的當下,如何實現(xiàn)更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋,成為行業(yè)關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品
    的頭像 發(fā)表于 04-29 14:43 ?865次閱讀

    驅(qū)動電路設計(七)——自舉電源在5kW交錯調(diào)制圖騰柱PFC應用

    隨著功率半導體IGBT,SiCMOSFET技術的發(fā)展和系統(tǒng)設計的優(yōu)化,電平位移驅(qū)動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英
    的頭像 發(fā)表于 03-24 17:43 ?7901次閱讀
    <b class='flag-5'>驅(qū)動</b>電路設計(七)——自舉電源在5kW交錯調(diào)制圖騰柱PFC應用

    比亞迪全新1500V車規(guī)級SiC功率芯片解讀

    2025年3月17日,比亞迪集團執(zhí)行副總裁廉玉波正式宣布,比亞迪發(fā)布了其自主研發(fā)的全新一代1500V車規(guī)級碳化硅(SiC)
    的頭像 發(fā)表于 03-19 14:08 ?2915次閱讀

    砥礪創(chuàng)新 芯耀未來——武漢芯源半導體榮膺21ic電子網(wǎng)2024年度“創(chuàng)新驅(qū)動獎”

    殊榮不僅是業(yè)界對武漢芯源半導體技術突破的認可,更是對其堅持自主創(chuàng)新、賦能產(chǎn)業(yè)升級的高度肯定。 作為國產(chǎn)半導體領域的生力軍,武漢芯源半導體始終將“創(chuàng)新”視為企業(yè)發(fā)展的核心
    發(fā)表于 03-13 14:21

    濕度大揭秘!如何影響功率半導體器件芯片焊料熱阻?

    。特別是濕度對功率半導體器件芯片焊料熱阻的影響,已成為學術界和工業(yè)界關注的焦點。本文將深入探討濕度對功率
    的頭像 發(fā)表于 02-07 11:32 ?1235次閱讀
    濕度大揭秘!如何影響<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>芯片</b>焊料熱阻?

    遠山半導體1700V GaN器件的特性測試方案

    遠山半導體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決
    的頭像 發(fā)表于 01-14 09:42 ?1694次閱讀
    遠山<b class='flag-5'>半導體</b>1700<b class='flag-5'>V</b> GaN<b class='flag-5'>器件</b>的特性測試方案

    功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計

    /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?1566次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設計基礎(十二)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>器件</b>的PCB設計

    PCB嵌入式功率芯片封裝,從48V1200V

    我們也發(fā)現(xiàn)Schweizer在更早前其實就已經(jīng)推出了名為P2的封裝方案,這個方案同樣是將功率半導體嵌入PCB中。他們在2023年開始與英飛凌合作開發(fā),將英飛凌1200V CoolSiC芯片
    的頭像 發(fā)表于 01-07 09:06 ?3910次閱讀
    PCB嵌入式<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>芯片</b>封裝,從48<b class='flag-5'>V</b>到<b class='flag-5'>1200V</b>

    功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件功率端子

    /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?1117次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設計基礎(十一)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析

    1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應用于工業(yè)、汽車等領域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品,本文主要介紹三菱電機
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?2284次閱讀
    三菱電機<b class='flag-5'>1200V</b>級SiC MOSFET技術解析

    深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

    采用這些技術擴大芯片面積,第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現(xiàn)了1800A的額定電流,是傳統(tǒng)1200V
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:59 ?2404次閱讀
    深度了解第8代1800A/<b class='flag-5'>1200V</b> IGBT<b class='flag-5'>功率</b>模塊