51CTO 張誠

今天，隨著智能手機應用與數據量的高速增長，用戶對于閃存存儲的性能和容量要求越來越高。芯片制程、架構和算力算法的精進也讓嵌入式存儲器在性能和容量上不斷實現突破。近期，西部數據正式對外發(fā)布了iNAND MC EU551嵌入式閃存器件，這款專門為智能手機定制的新產品，在為用戶提供了超高分辨率相機、增強現實/虛擬現實、游戲和8K視頻等新興應用所需的高性能存儲的同時，也以最大512GB的存儲容量，很好的滿足了用戶的存儲需求。

西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件

西部數據公司中國及亞太區(qū)副總裁Stefan Mandl表示，隨著5G、人工智能、創(chuàng)新傳感器等新興技術的應用普及，用戶對于智能手機的性能和容量提出了更高的要求。借助UFS 3.1 iNAND解決方案和 iNAND MC EU551 嵌入式閃存器件，西部數據助力用戶自如運行大數據量的應用并實現更快的傳輸，充分享受游戲、工作和學習的全新體驗。

新技術新應用加持，嵌入式閃存迎來新挑戰(zhàn)

如果說智能手機處理器芯片上的突破使得其具備了更強的算力，那么5G、AI等新興技術也讓智能手機的應用范圍更加廣泛，同時也給用戶帶來了更好的使用體驗。不過，不斷增長的應用程序和爆炸式增長的海量數據，也給手機存儲的性能和容量提出了更高的挑戰(zhàn)。

西部數據公司中國區(qū)智能終端產品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳表示，隨著5G的迅速普及，越來越多的應用會被開發(fā)出來，對閃存提出了更高的要求。她表示，在智能手機的隨機讀寫上，閃存性能將會直接影響到開關機、APP啟動和系統調用三大典型應用；在順序寫入上，閃存性能將直接影響APP的下載與安裝，此外對于諸如視頻剪輯等應用，也會產生較大的影響。

西部數據公司中國區(qū)智能終端產品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳女士；

西部數據公司產品市場部高級產品市場經理宋學紅先生

在容量方面，4K、8K等視頻文件，對于存儲容量提出了更高的要求。除此之外，越來越多的游戲、APP等等，也對手機存儲容量帶來了更高的挑戰(zhàn)。文芳表示，雖然用戶可以把數據搬到云上，但這樣會極大的影響用戶的使用體驗，況且大部分用戶即使將數據存放在云中，也是為了對數據進行備份，這也是手機存儲容量從之前的4GB、8GB到現在主流的128GB、256GB，甚至512GB的根本原因所在。

實際上，這也是西部數據正式推出全新iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的主要原因。不過，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件并不僅僅應用于智能手機這一產品中，在諸如物聯網等設備當中，都能夠為其提供更高的性能和更大的容量，很好地滿足用戶的各種苛刻需求。

隨機性能提升100%，帶來更佳用戶體驗

西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件基于第二代UFS 3.1規(guī)范，融入了第六代iNAND SmartSLC緩存加速技術和Write Booster寫入加速技術，可實現令人驚嘆的1550MB/s順序寫入速度，且容量滿載時也不會掉速。

為了保證擁有更高的性能，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件還采用了更高效的控制器和優(yōu)化的固件設計，擁有雙電壓、熱保護以及HBP2.0 （主機性能加速器）等諸多先進特性。數據顯示，和上一代產品相比，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的隨機讀取性能提升約100% ，隨機寫入性能提升約40%，順序寫入性能提升約90%，順序讀取性能則提升了約30%。

西部數據公司產品市場部高級產品市場經理宋學紅表示，閃存的性能包括順序讀寫和隨機讀寫兩個部分。與上一代產品相比，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件順序讀從1500MB/s提升至2000MB/s，順序寫從800MB/s提升至1550MB/s。另外，在隨機讀方面，從60K IOPS 上升到 140K IOPS ，在隨機寫方面，從90K IOPS 上升到140K IOPS，都有大幅度地提升。

由于隨機讀取和隨機寫入衡量的是混合工作負載也就是多應用并行處理的速度，因此有了如此大的性能提升，用戶在使用智能手機進行各種操作時，能夠得到更好的使用體驗。比如，同時運行微信、office和支付寶，能夠獲得更流暢的體驗。另外，由于順序寫入有利于以更快的速度下載超大文件或者視頻，還能有效提升拍照的連拍性能，因此用戶在下載、安裝APP和游戲時，或者是在用手機拍攝高清照片時，能夠帶來更好的響應速度。

除此之外，由于iNAND MC EU551嵌入式閃存器件擁有驚人的1550MB/s順序寫入速度，這就意味著其可大幅提升5G和Wi-Fi 6的下載速度，尤其是應對8K視頻等富媒體文件時擁有更好的體驗。而順序讀取性能則直接關系到應用的啟動和加載速度。諸如游戲和視頻處理等超大型的APP，內置了很多插件和特效，加載時要等上較長的時間，這時候順序讀取性能強的，就能以更快的速度打開和啟動，從而減少等待時間。

談到兼容性問題，宋學紅表示， 在iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的產品測試中，已經完全考慮到了游戲手機，大型游戲、主流游戲都經過運行測試，保證所有游戲能夠非常流暢地使用。

文芳則表示，在iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的研發(fā)過程中，西部數據就已經與很多客戶進行了溝通，并在性能上跟他們的產品進行了充分的匹配。目前，西部數據的頭部客戶都已經在測試iNAND MC EU551嵌入式閃存產品，西部數據將根據客戶產品發(fā)布時間，隨時進行量產。

借助第六代162層BiCS 3D閃存技術，容量高達512GB

此次西部數據發(fā)布的新一代iNAND MC EU551嵌入式閃存器件，共包含128GB、256GB和512GB三大容量標準，均采用了與Kioxia鎧俠聯合研發(fā)的第六代162層BiCS 3D閃存技術。

與其它3D閃存技術相比，雖然西部數據與Kioxia鎧俠聯合研發(fā)的第六代162層BiCS 3D閃存技術在層數上并不是最高的，但仍然是行業(yè)頂級的技術水平。正如文芳在采訪中強調的那樣，存儲性能和NAND的先進性并不只簡單取決于層數，準確的定義是，層數和每層更高效率的乘數，才是更為可靠的衡量方式。

從第六代162層BiCS 3D閃存技術特點來看，其相比上一代的112層，芯片尺寸減少了約40%，橫向密度增加了約10%，在同樣的300mm晶圓上可以多生產70%的容量，直接大幅降低了閃存成本。

宋學紅表示，西部數據擁有自己的閃存顆粒，從BiCS4到BiCS5再到BiCS6，除了單個die容量增加之外，通過對性能的調校，得到了最佳的性能表現。同時，通過對外圍電路設計的優(yōu)化，不斷提高閃存顆粒的I/O性能，讓其擁有更高的訪問速度。正是由于西部數據的技術創(chuàng)新和領先的閃存技術，才能真正驅動著數據和存儲性能不斷向更高層級邁進。

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