近日，據(jù)華爾街日報報道，知情人士指出，美光科技公司和西部數(shù)據(jù)公司都在探索與Kioxia Holdings Corp.（鎧俠）的潛在交易，該交易可能使這家日本半導體公司的估值達到300億美元左右。

鎧俠的前身是閃存領域老牌企業(yè)之一東芝存儲（Toshiba Memory），在日本、美國、英國、以色列和印度都設有研發(fā)機構，生產(chǎn)用于智能手機、計算機服務器和其他設備的NAND閃存芯片。

目前，鎧俠是全球第二大閃存芯片廠商，在全球閃存市場占據(jù)20%左右的市場份額，也是日本僅剩的存儲芯片廠商，若一旦收購成功，這將意味著：

日本存儲，已走向末路。

從輝煌到落寞

日本的DRAM基本與美國同時起步。1972年日本研制成功1 kB DRAM，基本與英特爾公司同時推向市場。

1976年，由日本通產(chǎn)省牽頭，以日立、三菱、富士通、東芝、NEC五大公司作為骨干，聯(lián)合通產(chǎn)省的電氣技術實驗室（EIL）、日本工業(yè)技術研究院電子綜合研究所和計算機綜合研究所，組建“VLSI聯(lián)合研發(fā)體”，投資720 億日元，共同研究集成電路的微細加工技術。

1980年，日本VLSI聯(lián)合研發(fā)體宣告完成為期四年的“VLSI”項目，研發(fā)的主要成果包括各型電子束曝光裝置，采用紫外線、X射線、電子束的各型制版裝置、干式蝕刻裝置等，各企業(yè)的技術整合，保證了DRAM量產(chǎn)良率高達80%，遠超美國的50%，構成了壓倒性的總體成本優(yōu)勢，奠定了當時日本在DRAM市場的霸主地位。

通產(chǎn)省電子所研制成功1M DRAM，三菱發(fā)布4M DRAM的關鍵技術，日立開始采用1.5微米工藝生產(chǎn)DRAM，1986年東芝1M DRAM月產(chǎn)能超過100萬片。1986年，日本DRAM企業(yè)的市場份額達到近80%。在很長一段時間，全球半導體企業(yè)排名前三位都是由NEC、東芝和日立包攬。

而美國企業(yè)的份額已不足20%，英特爾、AMD等科技創(chuàng)業(yè)公司在半導體存儲領域被日本企業(yè)驅離王座，半導體芯片領域（當時主要是半導體存儲占據(jù)主流）成為日本企業(yè)后花園。

美國政府第一次意識到，有可能失去計算機領域的戰(zhàn)略制高點。在這幾種因素之下，美國對日政策發(fā)生變化——從扶持變?yōu)槎糁啤?/p>

1986年，日本對美國出口的3億美元芯片被征收了100%的懲罰關稅。當年9月，日美雙方簽署了《日美半導體協(xié)議》，其中有一個秘密條款：日本承諾開放本國市場，5年之內(nèi)讓美國芯片在日本國內(nèi)占有20%的市場份額。

在這之后，韓國存儲產(chǎn)業(yè)趁勢崛起，使得90年代開始，日本半導體業(yè)急轉直下，到2001年，所占全球市場份額已損半壁。當時，有業(yè)內(nèi)人士指出，日本半導體產(chǎn)品過于集中在DRAM 上，而DRAM 并不是很高的技術，韓國和臺灣采用技術引進的發(fā)展模式，很快掌握了日本的技術，這時勞動力優(yōu)勢就突顯出來并對日本形成咄咄逼人的壓力。

面對這種情況，各大半導體公司也采取了應對措施，開始戰(zhàn)略大調整。努力的方向包括降低成本，轉移剩余生產(chǎn)線或外包業(yè)務，將戰(zhàn)略重點轉向上游設計等。有的集團為了集中經(jīng)營資源。建議電子企業(yè)將半導體業(yè)務獨立出去。

爾必達的末路，東芝的退路

爾必達和東芝則是其中兩家具有代表性的企業(yè)：前者本就是多家日本電氣巨頭各自剝離旗下存儲芯片業(yè)務的產(chǎn)物，其成立本身就具有強烈的政府保護色彩；后者在閃存誕生之初，員工發(fā)明的NOR和NAND兩種類型的閃存如今合計已占據(jù)存儲市場的45%。

1999年，在日本通商產(chǎn)業(yè)省（經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省前身）的主導下，NEC和日立分別剝離旗下DRAM業(yè)務，成立了新公司爾必達（Elpida），2004年三菱電機的DRAM業(yè)務部門也被并入，自此，曾在IC Insights 1993年的全球十大半導體廠商排名中分別位列第二、第五和第八的三家日本半導體廠商的DRAM業(yè)務匯集在了一起。

爾必達成立本身就帶有保護日本DRAM產(chǎn)業(yè)的政府意志。爾必達組建后迎來了一段短暫的回暖期。2004年，爾必達在東京證券交易所上市，在經(jīng)歷了早期的大舉擴張后，爾必達市場占有率和產(chǎn)能均大幅提升，并在2006年進入全球半導體廠商排名前20強。

但在經(jīng)歷早期的大跨度擴張后，爾必達出現(xiàn)產(chǎn)能過剩問題，導致2007年起DRAM市場價格急劇下跌。2008年金融危機中，DRAM全球需求繼續(xù)大幅減少，產(chǎn)品價格也進一步下滑，爾必達瀕臨死境。

盡管有政府注資和政策扶持，爾必達在接下來的經(jīng)營中遭遇日元升值、韓國同行強勢崛起、市場需求和產(chǎn)品價格雙雙下滑等影響，經(jīng)營始終沒有明顯起色。爾必達于2012年2月初發(fā)表的財報顯示，2011年4月－12月期決算中，公司虧損達989億日元（約合12億美元）。

2012年2月27日，爾必達申請破產(chǎn)保護。

2012年7月2日，被美國美光科技收購。2013年6月，爾必達正式成為美光科技子公司，其最后一期市場占有率統(tǒng)計定格在了2013年第二季度的15.2%。，標志著日本在DRAM的競爭中徹底被淘汰。

值得注意的是，2019年11月15日，紫光集團宣布正式，任命前爾必達CEO坂本幸雄（Yukio Sakamoto）為紫光集團高級副總裁兼日本分公司CEO，協(xié)助紫光在5年內(nèi)量產(chǎn)DRAM內(nèi)存的目標。

日本東芝公司同樣是日本半導體產(chǎn)業(yè)中閃耀的存在，閃存芯片就是東芝發(fā)明的。東芝也是全世界位列第一集團的閃存芯片制造商，閃存產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，離不開東芝存儲器的貢獻。

1993年、2000年、2006年和2016年，東芝分別在全球十大半導體廠商中位列第三、第二、第四和第八，是僅存的依然處于領導地位的日系半導體廠商。

東芝存儲曾創(chuàng)造了很多讓人矚目的成績。不僅發(fā)明了NAND閃存，還在1972年率先推出14寸硬盤產(chǎn)品，1991年推出世界上第一個使用玻璃碟片的硬盤，1997年推出全球第一款車用硬盤產(chǎn)品，1998年成為第一家生產(chǎn)使用巨磁阻磁頭制成的硬盤，2000年東芝1.8寸硬盤面市，2004年生產(chǎn)世界上第一個垂直磁紀錄硬盤，2009年東芝企業(yè)級硬盤面市，2010年推出獨家增強型安全技術WIPE，2012年成為全球唯一擁有全線存儲產(chǎn)品的硬盤廠家。

但之后，東芝實施了結構改革，一個最大的原因就是：DRAM業(yè)務的萎靡不振。2001財年（2001年4月1日~2002年3月31日）的聯(lián)合結算將虧損大約1000億日元，2002年，東芝賣掉了設在美國的工廠。

2018年，東芝將手中最有競爭力的閃存業(yè)務分拆為東芝存儲公司，并將其大部分股份出售給由貝恩資本領導的美國財團，由此獲得的收入避免了東芝公司資不抵債而從東京股票交易所下市。在出售給貝恩之后，東芝自身仍手握東芝存儲的40.2%股權。這也就是后來的鎧俠。

當然，除了這兩家企業(yè)，也有如日立公司，2012年將Viviti Technologies Ltd.（原日立環(huán)球存儲科技公司，HGST）出售給美國硬盤制造商西部數(shù)據(jù)公司，HGST成立于2003年，是IBM和日立將雙方存儲科技業(yè)務進行戰(zhàn)略合并后組成的公司。

獨苗不好賣

林林總總，賣的賣，轉型的轉型，破產(chǎn)的破產(chǎn)，日本存儲產(chǎn)業(yè)只剩下鎧俠這一支獨苗。

當然，這只是存儲產(chǎn)業(yè)，事實上，日本的半導體產(chǎn)業(yè)并沒有消亡，只是從臺前”轉到了“幕后”。在半導體材料和設備領域，日本企業(yè)在全球保持絕對優(yōu)勢。據(jù)SEMI推測，日本企業(yè)在全球光刻膠、大硅片等半導體材料市場上所占綜合份額約達到52%。

若鎧俠真的被賣，我們合理估計，日本的存儲產(chǎn)業(yè)將不復存在。

但這筆交易的推進并不容易。

在日本，鎧俠被認為是王冠，而且考慮到轉讓關鍵技術（如芯片）所有權的敏感性，任何交易都可能需要日本政府的加持。美國也可能會在其中發(fā)揮作用，因為這項交易可能符合美國推動其芯片制造能力以增強與中國的競爭力的推動。

一旦鎧俠被賣掉，不僅意味著日本僅存的大型存儲芯片公司所剩無幾，也代表著全球閃存業(yè)務基本上掌握在美國、韓國手中，這未來會面臨著嚴格的審查。

知情人士稱，如果鎧俠無法與其中任何一家收購方達成協(xié)議，該公司今年晚些時候仍有可能進行IPO。如果達成協(xié)議，可能會在今年春天晚些時候敲定。

在彭博社的跟進報道中同樣指出，鎧俠現(xiàn)正聚焦最快要在今年夏天首次公開發(fā)行股票（IPO），而不是跟外國公司談收購然后還要等候通過外國監(jiān)管機關的核準。

半導體行業(yè)觀察記者聯(lián)系了鎧俠，針對美光、西部數(shù)據(jù)有意收購鎧俠一事，鎧俠方面的負責人表示“我們也不清楚”。

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