新型100nF電容器帶來GaN及GaA放大器應(yīng)用中的旁路性能提升

樓氏集團(tuán)旗下業(yè)務(wù)單元樓氏電容事業(yè)部（Knowles Precision Devices）近期宣布推出V系列單層電容產(chǎn)品家族新成員——新型100nF容值電容器。該100nF、高頻、金絲鍵合裝配單層電容完美匹配GaN及GaA放大器應(yīng)用，其具備的小型尺寸和微波性能對此類應(yīng)用至關(guān)重要。

“我們很高興新上市的100nF單層電容將拓展我們的V系列產(chǎn)品家族，為我們的客戶帶來旁路性能和電路集成的提升”樓氏電容事業(yè)部產(chǎn)品經(jīng)理Ian Tovar 說，“該產(chǎn)品憑借緊湊的尺寸，X7R的溫度穩(wěn)定性以及金絲鍵合裝配成為高性能電路不可或缺的一部分。

V 系列單層電容（包括新推出的100nF單層電容）的設(shè)計旨在以更小的尺寸提供更高的容值。100nF單層電容采用具有 X7R溫度特性的 II 類電介質(zhì)材料，可在寬頻范圍內(nèi)作隔直和射頻旁路應(yīng)用。其他用途包括濾波、調(diào)諧和耦合應(yīng)用。100nF單層電容具備X7R的溫度穩(wěn)定性，符合RoHS規(guī)范，并提供最高等級的抗?jié)穸饶芰Γ∕SL-1）。它具有很高的電容密度，適用于導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或金錫焊接裝配。

在射頻旁路應(yīng)用中，100nF電容器有助于消除電源線噪聲?；趩纹⒉?a href="http://www.cshb120.cn/v/tag/123/" target="_blank">集成電路(MMIC) 的寬帶增益放大器需要防止供電線的射頻噪聲。電源噪聲會與射頻信號混合而影響信噪比，從而可能造成雜散輸出。旁路電容搭建一條有效的接地路徑，在進(jìn)入增益階段前濾除供電線的射頻噪聲能量。

樓氏電容事業(yè)部（Knowles Precision Devices）憑借50多年行業(yè)知識和專業(yè)技術(shù)，在高可靠性電容器設(shè)計方面積累了豐富的經(jīng)驗，充分滿足高可靠性要求應(yīng)用領(lǐng)域的需求。公司的單層電容器支持微波和高達(dá)100GHz的毫米波應(yīng)用，具體應(yīng)用包括通用隔直、低噪聲放大器、功率放大器和大功率放大器、振蕩器和濾波器等。

樓氏電容事業(yè)部（Knowles Precision Devices）是先進(jìn)的高性能專業(yè)元器件、電容器及微波元器件產(chǎn)品的創(chuàng)新者和制造商，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信5G、軍事、醫(yī)療和電動汽車市場等。如需了解更多樓氏電容事業(yè)部及其V系列單層電容器相關(guān)信息，請訪問knowlescapacitors.com。

關(guān)于樓氏電容事業(yè)部（Knowles Precision Devices）：樓氏電容事業(yè)部是樓氏集團(tuán)（NYSE：KN）旗下業(yè)務(wù)單元，總部位于紐約Cazenovia，集團(tuán)子品牌包括Dielectric Laboratories、Compex、Johanson Manufacturing、Novacap、Syfer和Voltronics。