近日，2021年國際固態(tài)電路會議正式召開。在會議上，臺積電董事長劉德音向外界公布了公司3nm工藝的研發(fā)進度。

據劉德音透露，目前臺積電3nm工藝技術的研發(fā)超出預期。此前預計的2022年量產節(jié)點有望提前。

要知道，在不久前多方媒體報道，臺積電和三星的3nm工藝研發(fā)陷入瓶頸。對此消息，業(yè)內外傳出不少認為兩巨頭3nm量產時間會延后的聲音。

就連也有這樣的看法，但出人意料的是，臺積電卻扭轉乾坤，非但沒有延后量產時間，反而有希望提前進入3nm時代。

臺積電的技術實力之強大可見一斑，不愧是中國第一大芯片代工巨頭。

世界第一芯片代工巨頭

值得注意的是，臺積電不僅在中國市場穩(wěn)居龍頭地位，在全球晶圓代工領域同樣是難以撼動的霸主。

公開資料顯示，臺積電還是全球第一家專業(yè)晶圓代工廠，堪稱晶圓代工領域的鼻祖。毫不客氣地說，是臺積電一手推動半導體芯片行業(yè)走向垂直分工。

自臺積電將業(yè)務規(guī)模擴張開來后，公司便一直占據著全球晶圓代工領域50%以上的市場份額。

而之所以臺積電的市場占有率在數十年來都遙遙領先，一方面得益于公司口碑，另一方面就要歸功于能夠長期引領整個行業(yè)的工藝精度。

以7nm時代和現如今正是市場主流的5nm工藝為例，臺積電都是全球第一家實現相關工藝芯片量產的晶圓代工廠。

尤其是在5nm時代，臺積電不僅領先三星近半年時間，而且制造出來的產品功耗穩(wěn)定性，遠超基于三星5nm工藝的芯片。

誠然，芯片的功耗穩(wěn)定性也與架構設計有關，但這也的確在一定程度上，受制作工藝的影響。

正因如此，蘋果、高通、華為之流的全球各大芯片設計商，才會將臺積電視為首選合作伙伴。

3nm節(jié)點戰(zhàn)況激烈

不過，像三星這樣的科技巨頭，自然不甘心一直戴著“萬年老二”的帽子。

了解到，早在2019年，三星就開始為趕超臺積電制定計劃；2020年，三星更是迫不及待地啟動了“半導體2030計劃”。

該計劃內容是，三星要在2030年之前投資133萬億韓元，并將全球最大的半導體公司視為現行目標。

同時，三星方面也屢屢透露出，要在3nm工藝節(jié)點追上臺積電的決心。為此，三星除了加大研發(fā)投入之外，還決定在3nm工藝上應用全新的GAA技術。

相比傳統(tǒng)的FinFET，GAA技術能夠更加精準地控制跨通道的電流，在縮小芯片面積的同時降低芯片功耗。

據悉，臺積電在3nm工藝上會保守采用成熟的FinFET技術。如果GAA技術能夠成功應用，屆時臺積電恐怕真的會被三星追平甚至趕超。

三星反超希望渺茫

不過，想要追上穩(wěn)居世界霸主之位多年的臺積電，并沒有那么容易。

雖然三星大膽采用新技術，但這項技術畢竟不成熟，量產的風險性相對較大。

對此，英哈大學材料科學與工程學教授崔瑞諾表示：如果三星在初始階段不能夠快速提高高級節(jié)點的產量，則可能會虧損。

反觀臺積電卻勝券在握。相比GAA技術，傳統(tǒng)FinFET的缺點確實明顯，但得益于技術的成熟度高，臺積電在3nm上的量產難度并不會太大。

而且，據劉德音透露，該公司在EUV光源上也獲得了較大突破，其電源功率被提升到350W。

需要注意的是，臺積電不僅在EUV光源技術有進展，EUV光刻機的擁有量也在三星之上。

寫在最后

隨著芯片制程的微縮，高端EUV光刻機的數量，也成為了高精度芯片能否順利量產的關鍵。更何況，如今臺積電的3nm研發(fā)進度已經超出預期。

綜合多方因素來看，認為，此次三星想要追平臺積電的希望又要落空。
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