在ISSCC 2021國際固態(tài)電路會議上，臺積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進展情況，指出3nm工藝超過預期，進度將會提前。

不過劉德音沒有公布3nm工藝到底如何超前的，按照他們公布的信息，3nm工藝是今年下半年試產，2022年正式量產。

與三星在3nm節(jié)點激進選擇GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝不同，臺積電的第一代3nm工藝比較保守，依然使用FinFET晶體管。

與5nm工藝相比，臺積電3nm工藝的晶體管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。

不論是5nm還是3nm工藝，甚至未來的2nm工藝，臺積電表示EUV光刻機的重要性越來越高，但是產能依然是EUV光刻的難題，而且能耗也很高。

劉德音提到，臺積電已經EUV光源技術獲得突破，功率可達350W，不僅能支持5nm工藝，甚至未來可以用于1nm工藝。

按照臺積電提出的路線圖，他們認為半導體工藝也會繼續(xù)遵守摩爾定律，2年升級一代新工藝，而10年則會有一次大的技術升級。
責編AJX