我國GaN產(chǎn)品逐步從小批量研發(fā)、向規(guī)?；?、商業(yè)化生產(chǎn)發(fā)展。GaN單晶襯底實現(xiàn)2-3英寸小批量產(chǎn)業(yè)化，4英寸已經(jīng)實現(xiàn)樣品生產(chǎn)。GaN異質(zhì)外延襯底已經(jīng)實現(xiàn)6英寸產(chǎn)業(yè)化，8英寸正在進行產(chǎn)品研發(fā)。 GaN材料應用范圍仍LED向射頻、功率器件不斷擴展。

射頻器件方面， GaN受到5G推動。GaN射頻器件襯底主要采用SiC襯底。Cree擁有最強的實力，在射頻應用的GaN HEMT、尤其是GaN-on-SiC技術(shù)方面，該公司處于領先地位，遠遠領先日系廠商住友電工和富士通。國內(nèi)主要的廠商是海威華芯、三安集成和華進創(chuàng)威。

功率器件方面，快充將成為最大推動力。2019年OPPO、小米在新機型中采用了GaN快充器件，隨著 終端客戶積極推進，消費級GaN手機電源市場起量。除消費電子領域外，歐洲車企積極采納，車規(guī)級GaN充電市場迎來需求增長。

一、GaN產(chǎn)業(yè)格局初成，國內(nèi)廠商加速布局

1.1 化合物襯底的功率半導體對比

GaN具備帶隙大（3.4eV）、絕緣破壞電場大（2×106V/cm）及飽和速度大（2.7×107cm/s）等Si及GaAs不具備的特點。 由于容易實現(xiàn)異質(zhì)結(jié)構(gòu)，因此在LED、半導體激光器、高頻及高功率元器件等領域的應用不斷擴大。

1.2 GaN結(jié)構(gòu)特性

GaN作為一種寬禁帶材料，和硅等傳統(tǒng)半導體材料相比，能夠在更高壓、更高頻、更高溫度的環(huán)境下運行。從結(jié)構(gòu)上看，Si是垂直型的結(jié)構(gòu)，GaN是平面型的結(jié)構(gòu)，這也使得GaN的帶隙遠大于Si。

SiC相比，GaN在成本方面表現(xiàn)出更強的潛力，且 GaN器件是個平面器件，與現(xiàn)有的Si半導體工藝兼容性強，這使其更容易不其他半導體器件集成。

二、器件發(fā)展，材料先行

2.1 GaN應用發(fā)展歷程

LED：GaN不可替代；以藍寶石為襯底；2000發(fā)展至今， 2014年推出藍光LED

射頻：GaN不硅基材料拉鋸；以SiC襯底為主；注重性能、穩(wěn)定性；2018年PA中GaN超過硅基使用量；

功率器件：GaN參不競爭；以Si襯底為主；成本敏感，注重實用、美觀；2020年打開快充市場；

2.1 GaN襯底與應用相關

襯底的選擇根據(jù)應用的需求而變化。目前市場上GaN晶體管主流的襯底材料為藍寶石、SiC和Si，GaN襯底由于工藝、成本問題尚未得到大規(guī)模商用。藍寶石襯底一般用于制造藍光LED，通常采用MOCVD法外延生長GaN。

SiC襯底一般用于射頻器件，Si則用于功率器件居多。除了應用場景外，晶格失配度、熱膨脹系數(shù)、尺寸和價格都是影響襯底選擇的因素之一。

2.2 GaN襯底發(fā)展歷程

SiC襯底應用較廣。SiC襯底在4G時代被逐步推廣和應用，由于 5G頻率高于4G，我們預計GaN-on-SiC將在Sub-6GHz得到廣泛應用。目前SiC襯底主要以4寸、6寸為主，隨著 8寸SiC晶圓生產(chǎn)工藝成熟，未來有望降低 SiC襯底的使用成本。GaN-on-Si主要用于功率器件，2019年Q1 GaN-on-Si仍處于小規(guī)模量產(chǎn)，但因為硅片尺寸已經(jīng)達到 12寸，未來有望依靠成本優(yōu)勢得到大規(guī)模推廣。

三、5G、快充推動GaN放量

3.1 藍光LED原理

LED最基本的結(jié)構(gòu)就是p-n結(jié)，由p型GaN和n型GaN組成。目前，商業(yè)化的GaN基藍光LED多采用InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)。在藍寶石襯底上先生長一層無摻雜的GaN作為緩沖層，再生長一層Si摻雜的GaN層作為n型區(qū)，緊接著生長多個周期的InGaN/GaN多量子阱作為復合發(fā)光區(qū)域，再生長 p型AIGaN作為EBL，然后再用Mg摻雜GaN層作為p型區(qū)，最后在p型層和n型層兩端分別形成兩個電極。

3.1 Micro LED未來可期

Micro LED市場規(guī)模將不斷擴大，全球市場收入快速增長 。據(jù)Statista預測，2026年全球MicroLED出貨量將達到0.15億片，2027年全球MicroLED市場收入將達到718億美元。Mini/Micro LED將成為LED未來的發(fā)展方向。 Micro LED適用于極小間距、高對比度和高刷新率的場景，例如智能手表、AR、VR等智能穿戴領域。

全球搶占Micro LED布局。晶電與環(huán)宇-KY合資設廠，而后與利亞德合資建立Mini/MicroLED量產(chǎn)基地，同時京東方與美國 Rohinni合資的BOE Pixey正式成立，將共同生產(chǎn)顯示器背光源的Micro LED。國內(nèi)三安光電、華燦光電等在Mini LED芯片外延，國星光電、瑞豐光電等在封裝等環(huán)節(jié)均有布局。上下游技術(shù)整合，Micro LED進展有望實現(xiàn)突破。

3.2 GaN工藝改進帶來新增長點

5G通信對射頻前端有高頻、高效率等嚴格要求，數(shù)據(jù)流量高速增長使得調(diào)制解調(diào)難度不斷增加，所需的頻段越多，對射頻前端器件的性能要求也隨之加高；載波聚合技術(shù)的出現(xiàn)，更是促使移動基站、智能手機對射頻前端器件的需求翻倍，給GaN發(fā)展帶來新契機。

目前在射頻前端應用電路中，硅基LDMOS器件和GaAs仍是主流器件，但在工作頻率、帶寬、功率等關鍵指標上明顯遜于GaN。雖然GaAs放大器在線性和失真度上有一定優(yōu)勢，但GaN器件可通過數(shù)字預失真等技術(shù)進行優(yōu)化，且隨著 GaN技術(shù)向更小的工藝尺寸演進，未來GaN將挑戰(zhàn)GaAs器件、硅基LDMOS器件主導地位。

3.2 GaN通信基站

GaN射頻器件主要為三種：（1）4G宏基站及CATV的大功率功放管；（2）Sub-6GHz 5G基站PA模塊；（3）5G高頻頻段的GaN MMIC。GaN的高頻、高功率、高效率、寬禁帶等特性能很好滿足5G基站及通信系統(tǒng)的需求。隨著 5G的高速収展，通信頻段不斷向高頻拓展，基站和移動終端的數(shù)據(jù)傳輸速率加快，調(diào)制技術(shù)所需的頻譜利用率更高，以及MIMO技術(shù)廣泛應用，對于半導體材料提出了更高的要求。

3.2 GaN包絡跟蹤技術(shù)

GaN器件具有較低的寄生電容和優(yōu)良的熱性能，適合高頻應用，其中應用于5G的包絡跟蹤技術(shù)將加速GaN的發(fā)展。5G通信對頻譜利用率要求高，5G基站部署密度大，因而對射頻信號的峰值平均功率比（PAPR）要求更高。但PAPR的增大會降低PA的效率，可通過包絡跟蹤技術(shù)改善這一問題——調(diào)制線性功放（LPA）的電源電壓以跟蹤射頻信號的包絡，仍而提高漏極能效，這對于包絡跟蹤的電源性能構(gòu)成相當?shù)奶魬?，為了提高能效，使用開關式轉(zhuǎn)換器代替線性轉(zhuǎn)換器，考慮到所跟蹤的無失真包絡信號的帶寬非常寬，因而需要極高開關頻率的轉(zhuǎn)換器，傳統(tǒng)硅基功率開關損耗高、能效低，很難達到要求。

3.2 GaN基站應用市場預期

GaN在基站中的應用比例持續(xù)擴大，市場增速可觀。預計2022年全球4G/5G基站市場規(guī)模將達到16億美元，值得關注的是，用于5G毫米波頻段的射頻前端模塊年復合增長率將達到119%，用于Sub-6GHz頻段的M-MIMOPA器件年復合增長率將達到135%，另外用于4G宏的GaN PA器件年復合增長率也將達到33%，用于4G/5G的小信號器件達到16% 。

3.2 GaN射頻應用市場及發(fā)展預期

GaN射頻設備市場規(guī)模持續(xù)增長，軍備國防、無線通信基礎設施為主要支柱以及主要增長動力。預計2018-2024年GaN射頻設備整體年復合增長率達到21%，2019-2025年封裝的GaN射頻設備整體年復合增長率達到12%。GaN將取代 GaAs在高功率、高頻率衛(wèi)星通信領域的應用，同時在有線電視（CATV）和民用雷達市場上提供比LDMOS或 GaAs更高的附加值。

在 GaN 射頻元器件市場，第一陣營的廠商是住友電氣、Cree/Wolfspeed和Qorvo。GaN射頻器件襯底主要采用SiC襯底。Cree擁有最強的實力，在射頻應用的 GaN HEMT、尤其是GaN-on-SiC技術(shù)方面，該公司處于領先地位，遠遠領先日系廠商住友電工和富士通。國內(nèi)主要的廠商是海威華芯、三安集成和華進創(chuàng)威。

3.3 GaN在功率器件應用

GaN功率器件通常采用HEMT（高遷移率晶體管）的設計，主要應用于高頻場景。相較于Si、SiC，GaN晶體管的源極、柵極、漏極均在同一個平面，因此使用存在與AlGaN和GaN層級間的2DEG（二維電子氣）作為電流路徑。異質(zhì)結(jié)導致的二維電子氣顯著提高遷移率，因此 GaN晶體管切換速度很快。在中高頻驅(qū)動逆變器的快速切換的場景中，如果采用傳統(tǒng)的MOSFET和IGBT會產(chǎn)生不可接受的損耗，而 GaN HEMT能夠克服這樣的損耗。但快速切換使得柵極電壓為0V時，也依舊會有電流通過，因此GaN HEMT也被稱為常開型元件。

高頻環(huán)境，GaN單位功率上優(yōu)于Si。當功耗和尺寸評判Si和GaN時，尤其是功率器件處在高頻環(huán)境下，GaN器件擁有更小的體積和更低的功耗。根據(jù)英飛凌的數(shù)據(jù)，目前GaN器件在單位功率上已經(jīng)能夠達到Si器件的200%。更大的單位功率能夠節(jié)省出更多的空間給電池以及其他電子元器件。這項特性能夠給電動汽車提供更長的續(xù)航時間，為服務器、基站提供更高的性能空間。

GaN主要適用于低壓、高頻領域，目前大部分產(chǎn)能都集中于0-250V和650V，商業(yè)化的Si基GaN功率器件最高電壓仍然是在 650V，900V GaN FET提供試樣，未來有望將電壓提升至1200V。

3.3 快充推動GaN 功率器件在消費電子領域應用

根據(jù) Global Market Insights的數(shù)據(jù)，GaN與SiC功率器件市場在2025年將達到30億美元，年復合增速達到30%。半導體區(qū)別于其它材料的主要特性是帶隙能—將材料仍絕緣體變?yōu)閷w所需的電壓跳變。GaN提供的帶隙能是Si的3倍，而更高的帶隙意味著較高溫度下的更佳性能電壓，因此GaN將會成為Si的理想替代品。隨著這些設備在光伏逆變器、混合動力和電動汽車、 UPS和其他電力應用領域的應用，該市場已經(jīng)初步顯現(xiàn) 。
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