18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IBM已解決QLC閃存壽命問題,實(shí)現(xiàn)1.6萬次擦寫

如意 ? 來源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2020-12-08 09:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

得益于容量大、價(jià)格低的優(yōu)勢(shì),如今越來越多的SSD硬盤轉(zhuǎn)向QLC閃存,大家擔(dān)心的主要是QLC閃存的壽命,具體來說就是P/E擦寫次數(shù),通常在1000次左右,而IBM現(xiàn)在解決了QLC壽命問題,做到了史無前例的16000次擦寫壽命,壽命比SLC還強(qiáng)。

據(jù)報(bào)道,在最近的一次會(huì)議上,IBM閃存產(chǎn)品線CTO、院士Andy Walls介紹了他們?cè)陂W存可靠性上的最新進(jìn)展。

大家都知道QLC閃存擦寫次數(shù)有限,為此IBM開發(fā)了專門的控制器以監(jiān)視、分類閃存,這個(gè)算法可以區(qū)分閃存的健康度,健康度越高的閃存可以存放那些經(jīng)常變動(dòng)的數(shù)據(jù)(意味著經(jīng)常寫入),而健康度較低的閃存則會(huì)存放變化最小的數(shù)據(jù)。

這種優(yōu)化算法就可以將QLC閃存的耐用性提升了一倍,不過這還不是唯一的技術(shù),IBM還開發(fā)了智能數(shù)據(jù)存放技術(shù)。

在QLC閃存的早期,他們將其定義為SLC,優(yōu)勢(shì)是速度快、性能強(qiáng),缺點(diǎn)就是容量只有20%的水平,但加上他們的壓縮技術(shù),而且壓縮比達(dá)到了3:1,那么就相當(dāng)于獲得了現(xiàn)在60%的容量。

只要有足夠的容量,那么QLC閃存的性能及可靠性也會(huì)大幅提升,而這些閃存如果轉(zhuǎn)換為QLC閃存,那么就可以克服QLC閃存的一些缺點(diǎn)。

根據(jù)他們的測(cè)試,如果是TLC閃存,那么優(yōu)化過后的閃存壽命可達(dá)18000次,QLC閃存也有16000次,這是其他公司做不到的,這樣的可靠性足以支持每天2次的全盤擦寫。
責(zé)編AJX

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1871

    瀏覽量

    116857
  • IBM
    IBM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    1848

    瀏覽量

    76656
  • qlc
    qlc
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    70

    瀏覽量

    12852
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MXIC MX25L25645GM2I-08G高速SPI NOR Flash

    范圍(-40°C至+85°C)和10萬次擦寫壽命,廣泛適用于工業(yè)控制、汽車電子及物聯(lián)網(wǎng)等高可靠性需求場景。
    的頭像 發(fā)表于 10-24 09:55 ?102次閱讀
    MXIC MX25L25645GM2I-08G高速SPI NOR Flash

    普冉P25Q128L-SUH優(yōu)化汽車電子性能

    普冉P25Q128L-SUH是一款128M-bit超低功耗SPI NOR Flash,工作電壓1.65-2.0V,支持104MHz高速讀取與XIP技術(shù)。具備10萬次擦寫壽命、-40℃~85℃工業(yè)級(jí)溫度范圍及硬件寫保護(hù)。
    的頭像 發(fā)表于 10-17 09:45 ?139次閱讀
    普冉P25Q128L-SUH優(yōu)化汽車電子性能

    FLASH模擬EEPROM入門指南

    0xFF,而EEPROM支持直接覆蓋寫入。 壽命考量:FLASH擦寫次數(shù)有限(約10萬次),需通過策略降低磨損;EEPROM則達(dá)百萬次以上。 關(guān)鍵技術(shù)路線 雙頁輪換機(jī)制:使用兩個(gè)固
    發(fā)表于 08-14 06:13

    低功耗設(shè)計(jì)中的EEPROM選型:1.2V接口與能效優(yōu)化實(shí)踐

    選型EEPROM需權(quán)衡容量K至M級(jí)、速度、電壓兼容與封裝尺寸,普冉全系2K–4Mbit寬壓1.2-5.5V多樣封裝,400萬次擦寫200年保存,工業(yè)車規(guī)認(rèn)證,小體積高可靠。
    的頭像 發(fā)表于 07-29 10:05 ?321次閱讀
    低功耗設(shè)計(jì)中的EEPROM選型:1.2V接口與能效優(yōu)化實(shí)踐

    什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

    處理三個(gè)方面來比較NOR和NAND的可靠性。 耐用性 在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次,而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存
    發(fā)表于 07-03 14:33

    QLC SSD在數(shù)據(jù)中心的用途

    QLC技術(shù)通過在HDD和TLC SSD之間形成中間層來解決這些挑戰(zhàn)。與現(xiàn)有的TLC SSD相比,QLC具有更高的密度、更高的功率效率和更低的成本。
    的頭像 發(fā)表于 05-14 09:02 ?802次閱讀
    <b class='flag-5'>QLC</b> SSD在數(shù)據(jù)中心的用途

    PCB飛針測(cè)試探針,針尖0.03mm,10-30萬次使用壽命,0-67GHz頻率

    提供PCB行業(yè)飛針測(cè)試用探針,間距0.2mm,針尖直徑0.03mm。頻率0-67GHz。使用壽命10-30萬次。
    的頭像 發(fā)表于 03-28 12:04 ?989次閱讀
    PCB飛針測(cè)試探針,針尖0.03mm,10-30<b class='flag-5'>萬次</b>使用<b class='flag-5'>壽命</b>,0-67GHz頻率

    拯救NAND/eMMC:延長閃存壽命

    的原因有物理損壞如雷擊損壞,也有可能因?yàn)轭l繁擦寫操作引起壽命到期損壞。下面就應(yīng)用軟件方面的可能性進(jìn)行探討,尋求延長NAND/eMMC使用壽命的方法。閃存
    的頭像 發(fā)表于 03-25 11:44 ?2008次閱讀
    拯救NAND/eMMC:延長<b class='flag-5'>閃存</b><b class='flag-5'>壽命</b>

    IC 燒錄概念不清?原理不明?這篇幫你搞定

    高壓(12~20V),通過F-N隧穿效應(yīng)將電子注入浮柵(數(shù)據(jù):電子保持壽命>10年)。 擦除時(shí)施加反向電壓,電子返回襯底(擦寫次數(shù)決定壽命,SLC NAND可承受10萬次
    的頭像 發(fā)表于 03-11 16:35 ?1018次閱讀
    IC 燒錄概念不清?原理不明?這篇幫你搞定

    嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的軟件優(yōu)化策略

    、QLC。嵌入式常用類型低存儲(chǔ)容量一般為SLC和MLC,高存儲(chǔ)容量一般是TLC。 SLC (Single-Level Cell) 速度快,壽命長,價(jià)格貴,理論擦寫次數(shù)在10萬次左右。
    發(fā)表于 02-28 14:17

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

    ”“11”,其它如TLC、QLC、PLC也按照相應(yīng)位數(shù)進(jìn)行以此類推。   不同的閃存類似,其性能、耐久性和價(jià)格是不同的。   在性能和耐久性方面,SLC>MLC>TLC>QLC>PLC。   在成本價(jià)格上,SLC>MLC>TLC
    發(fā)表于 01-15 18:15

    影響HT25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些?

    影響HT25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些?
    的頭像 發(fā)表于 01-08 16:05 ?1076次閱讀

    服務(wù)器選擇ssd固態(tài)硬盤有何缺點(diǎn)嗎?

    閃存顆粒理論擦寫壽命約為5000-10000。 2、芯片品質(zhì)參差不齊:閃存芯片可能存在品質(zhì)問題,一些不能達(dá)到出廠要求的產(chǎn)品可能流入市場,
    的頭像 發(fā)表于 12-18 13:05 ?4.9w次閱讀

    關(guān)于SD NAND 的概述

    的類型,擦寫次數(shù)可達(dá)5~10萬次,保證了SD NAND的耐用性。   高低溫測(cè)試:SD NAND通過10k隨機(jī)掉電和高低溫沖擊測(cè)試,證明了其在極端環(huán)境下的可靠性。   3. 容量與
    發(fā)表于 12-06 11:22

    鎧俠量產(chǎn)四層單元QLC UFS 4.0閃存

    近日,鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元(4LC)技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS,擁有更高的位密度,使其在存儲(chǔ)需求日益增長的移動(dòng)應(yīng)用程序領(lǐng)域具有更廣泛的應(yīng)用前景。
    的頭像 發(fā)表于 10-31 18:22 ?3222次閱讀