11月2日消息，近日，兆易創(chuàng)新在業(yè)績電話會議中表示，其Flash產(chǎn)品在TWS耳機(jī)當(dāng)中的導(dǎo)入容量確實(shí)在上升，目前256MB的產(chǎn)品正在導(dǎo)入中。此外，兆易創(chuàng)新還透露，其自研DRAM正按照原計(jì)劃進(jìn)行，目前研發(fā)進(jìn)度跟預(yù)期基本一樣，預(yù)期明年上半年會有產(chǎn)品出來。自研第一個(gè)產(chǎn)品會是DDR3 4Gb容量，面向利基市場。

雖然此前在DRAM內(nèi)存芯片布局上，兆易創(chuàng)新主要是通過其與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團(tuán)合作的長鑫存儲來進(jìn)行布局。但是，兆易創(chuàng)新的自研DRAM項(xiàng)目也早已開始。

在今年5月，兆易創(chuàng)新宣布與Rambus就RRAM （電阻式隨機(jī)存取存儲器） 技術(shù)簽署專利授權(quán)協(xié)議。同時(shí)，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)——合肥?？莆ⅲ≧eliance Memory）簽署了授權(quán)協(xié)議 。

根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兆易創(chuàng)新從Rambus和?？莆@得180多項(xiàng)RRAM技術(shù)相關(guān)專利和應(yīng)用，這將有助于兆易創(chuàng)新在新型存儲器RRAM 領(lǐng)域的前瞻性技術(shù)布局，從而為嵌入式產(chǎn)品提供更豐富的存儲解決方案。
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