10月28日消息，華瑞微第三代化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項(xiàng)目近日順利落戶安徽省滁州市南譙經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),該項(xiàng)目是南京市浦口區(qū)與滁州市南譙區(qū)簽署跨界一體化發(fā)展示范區(qū)合作框架協(xié)議后的首個(gè)招引項(xiàng)目。

據(jù)了解，該項(xiàng)目總投資10億元，占地100畝，建設(shè)周期3年，主要承擔(dān)第三代化合物半導(dǎo)體器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，建設(shè)SiC MOSFET生產(chǎn)線。項(xiàng)目建成后將形成年產(chǎn)1萬片第三代化合物半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)能力，完全達(dá)產(chǎn)后銷售額預(yù)計(jì)超10億元。目前，項(xiàng)目已經(jīng)完成相關(guān)審批，正式開工建設(shè)。

據(jù)該項(xiàng)目負(fù)責(zé)人介紹，第三代化合物半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、工業(yè)電源等高端領(lǐng)域，該項(xiàng)目的建成投產(chǎn)將助力國內(nèi)高端功率器件持續(xù)健康發(fā)展。同時(shí)，該項(xiàng)目的順利實(shí)施，將對(duì)浦口、南譙兩地的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響，推動(dòng)兩地進(jìn)一步補(bǔ)齊補(bǔ)強(qiáng)上下游產(chǎn)業(yè)鏈，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)核心競爭力，打造未來發(fā)展新優(yōu)勢。

南京華瑞微背景

南京華瑞微集成電路有限公司是一家專注于功率器件的設(shè)計(jì)企業(yè)， 2018年5月落戶江蘇南京浦口高新區(qū)（自貿(mào)區(qū)內(nèi)），創(chuàng)始人有近20年的晶圓廠和設(shè)計(jì)公司的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，管理過6英寸和8英寸晶圓廠的技術(shù)部門、研發(fā)部門，曾參與建設(shè)3座晶圓廠，創(chuàng)辦過芯片設(shè)計(jì)公司。核心團(tuán)隊(duì)數(shù)十人，均有十年以上的晶圓廠或功率器件設(shè)計(jì)公司的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)。

2019年南京華瑞微為市場貢獻(xiàn)了超過15萬片晶圓，通過了國家高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定，并且被評(píng)為2019年度“江蘇省專精特新（創(chuàng)新類）小巨人企業(yè)”、“江蘇省科技型民營企業(yè)”等一系列稱號(hào)，和知名高校共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室及研究生實(shí)訓(xùn)基地。華瑞微的產(chǎn)品正在從消費(fèi)級(jí)功率器件向工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)功率器件邁進(jìn)。超結(jié)MOS產(chǎn)品已經(jīng)穩(wěn)定向充電樁客戶供貨，第二代SiC MOSFET已研發(fā)成功，小批量試產(chǎn)。

什么是第三代化合物半導(dǎo)體

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個(gè)階段：第一代半導(dǎo)體材料以硅為代表；第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵也已經(jīng)廣泛應(yīng)用；而以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導(dǎo)體材料，相較前兩代產(chǎn)品性能優(yōu)勢顯著，是5G時(shí)代的主要材料。由于第三代半導(dǎo)體材料在應(yīng)用領(lǐng)域擁有前兩代半導(dǎo)體材料無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”。

從應(yīng)用范圍來說，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域還具有學(xué)科交叉性強(qiáng)、應(yīng)用領(lǐng)域廣、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性大等特點(diǎn)。在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景。

SiC的優(yōu)勢

對(duì)比傳統(tǒng)硅基功率器件，碳化硅有著無可比擬的優(yōu)勢：它能承受更大的電流和電壓、更高的開關(guān)速度、更小的能量損失、更耐高溫。因此用碳化硅做成的功率模組可以相應(yīng)的減少了電容、電感、線圈、散熱組件的部件，使得整個(gè)功率器件模組更加輕巧、節(jié)能、輸出功率更強(qiáng)，同時(shí)還增強(qiáng)了可靠性，優(yōu)點(diǎn)十分明顯。作為新一代的“黃金賽道”，業(yè)內(nèi)更是有“得碳化硅者得天下”的生動(dòng)比擬。

第三代化合物半導(dǎo)體的未來

碳化硅和氮化鎵是未來第三代化合物半導(dǎo)體的核心發(fā)展方向，是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者重點(diǎn)布局的研究領(lǐng)域。根據(jù)Omdia《2020年SiC和GaN功率半導(dǎo)體報(bào)告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體銷售收入預(yù)計(jì)將達(dá)到8.54億美元，并且在未來10年增長率都會(huì)保持在兩位數(shù)。

原文標(biāo)題：華瑞微第三代化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線落戶安徽滁州！

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