2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告
據(jù)Yole估計(jì)，在0~900V的低壓市場(chǎng)，GaN潛在市場(chǎng)約為105 億美元；
2019年全球GaN元件市場(chǎng)規(guī)模為5.6億美元，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)12億美元；
分類別來(lái)看，到2022 年，GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到7.45 億美元；GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到4.50億美元。
基于此，新材料在線特推出【2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告】，供業(yè)內(nèi)人士參考：
原文標(biāo)題：【重磅報(bào)告】2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告
文章出處：【微信公眾號(hào)：新材料在線】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
責(zé)任編輯：haq
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
336文章
29634瀏覽量
253924 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
64文章
1836瀏覽量
119028
原文標(biāo)題：【重磅報(bào)告】2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告
文章出處：【微信號(hào)：xincailiaozaixian，微信公眾號(hào)：新材料在線】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
納微半導(dǎo)體雙向氮化鎵開(kāi)關(guān)深度解析
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
光電耦合器行業(yè)研究報(bào)告
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《光電耦合器行業(yè)研究報(bào)告.docx》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 05-30 15:33
?0次下載
從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！
從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體
發(fā)表于 05-19 10:16
2025年汽車微電機(jī)及運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)行業(yè)研究報(bào)告
佐思汽研發(fā)布了《2025年汽車微電機(jī)及運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)行業(yè)研究報(bào)告》。
納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化
氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別？
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大
發(fā)表于 01-15 16:41
2025年功率半導(dǎo)體行業(yè):五大關(guān)鍵趨勢(shì)洞察
趨勢(shì)一：碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）宛如兩顆冉冉升起的新星，正以迅猛之勢(shì)
英諾賽科香港上市，國(guó)內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股誕生
近日，國(guó)內(nèi)氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者——英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司，在香港聯(lián)合交易所主板成功掛牌上市。此舉標(biāo)志著國(guó)內(nèi)氮化鎵
英飛凌全新一代氮化鎵產(chǎn)品重磅發(fā)布，電壓覆蓋700V！
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新，隨著
第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)
的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 氮化鎵是什么？氮化鎵可以被看作是一種新型的半導(dǎo)體材料，它由
德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體制造規(guī)模
近日，德州儀器（TI）宣布了一個(gè)重要的產(chǎn)能提升計(jì)劃。公司在日本會(huì)津工廠的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體已經(jīng)正式投產(chǎn)。
德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)能大幅提升
近日，美國(guó)芯片大廠德州儀器（TI）宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。其位于日本會(huì)津的工廠已經(jīng)正式投產(chǎn)基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在氮化
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試
氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵
日本羅姆半導(dǎo)體加強(qiáng)與臺(tái)積電氮化鎵合作,代工趨勢(shì)顯現(xiàn)
近日，日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體（ROHM）宣布，將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深化與臺(tái)積電的合作，其氮化鎵
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論