18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

博世:新一代碳化硅技術助力智慧出行

21克888 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:Leland ? 2020-07-14 09:23 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

7月3日,2020慕尼黑上海電子展盛大開幕,作為慕尼黑展唯一的視頻直播合作方,電子發(fā)燒友網(wǎng)在展會期間,通過現(xiàn)場直播方式采訪了物聯(lián)網(wǎng)、5G人工智能等領域內(nèi)眾多企業(yè),就相關的行業(yè)、技術、市場和產(chǎn)品等話題進行了廣泛的交流。

博世作為在汽車與智能交通領域深耕多年的產(chǎn)業(yè)巨擘,在家居和工業(yè)領域也能看到他們的身影。在智慧出行的迅速推行下,博世提出了哪些革新技術和解決方案呢?電子發(fā)燒友獨家采訪了博世碳化硅產(chǎn)品經(jīng)理朱曉鋒,由他來為我們解惑碳化硅是如何助力智慧出行的。

博世碳化硅產(chǎn)品經(jīng)理 朱曉鋒


貴司對于2020年本土碳化硅市場前景有何看法?

朱曉鋒: 受到高效電源、電動汽車等行業(yè)快速發(fā)展的驅動,國家政策的傾向和扶持,這些因素加快了碳化硅的市場化進程。大約從2015年開始,國家“大基金”一期已經(jīng)開始投資部分碳化硅相關的上下游企業(yè)。地方政府和民間投資也開始頻繁地參與其中。而且,半導體作為國家戰(zhàn)略,第三代半導體的發(fā)展變得越來越重要。

對于碳化硅未來市場,我們判斷,首先會在工業(yè)領域(光伏、UPS、電力電子)推廣,汽車因為有功能安全以及驗證的要求,廣泛共識是稍晚于工業(yè)領域,碳化硅將在2023年至2025年在汽車領域進入高速發(fā)展期,主要產(chǎn)品以二極管和場效應管為主。2025年以后進入成熟期,功率模塊將成為主要產(chǎn)品(基于銷售額)。電動汽車及相關領域是碳化硅最大的市場之一。


電子發(fā)燒友編輯 周凱揚(左) 博世碳化硅產(chǎn)品經(jīng)理 朱曉鋒(右)


相對傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品,碳化硅材料有何優(yōu)勢?

朱曉鋒:碳化硅作為新型的第三代半導體材料之一,在過去幾年當中受到了越來越多的關注。碳化硅相比于傳統(tǒng)的硅基材料,它具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率等明顯的優(yōu)勢,是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優(yōu)良半導體材料,也是目前綜合性能最好、商品化程度最高、技術最成熟的第三代半導體材料。 詳細來講,與硅材料的物理性能對比,主要特性包括:(1)臨界擊穿電場強度是硅材料近10倍;(2)熱導率高,超過硅材料的3倍;(3)飽和電子漂移速度高,是硅材料的2倍;(4)抗輻照和化學穩(wěn)定性更好。

目前碳化硅產(chǎn)品市場化量產(chǎn)的主要阻礙是什么?

朱曉鋒:目前阻礙碳化硅量產(chǎn)的主要是價格和技術兩個方面。

價格方面來說,晶圓(wafer)成本是最重要因素,現(xiàn)階段晶圓成本占到功率器件成本的50%左右,主要的晶圓供應又集中在少數(shù)幾家國外公司,訂單供不應求,以及現(xiàn)有晶圓片尺寸偏?。ㄖ饕?-6英寸),造成成本居高不下。現(xiàn)在國內(nèi)一些企業(yè)已經(jīng)開始重視并且加大在晶圓研發(fā)和生產(chǎn)方面的投入。

從技術層面,走的是由易到難,逐步發(fā)展的過程,大多數(shù)公司從二極管到MOSFET,功率模塊,從工業(yè)級到汽車級。在這個過程中,會遇到比較多的技術問題,舉兩個例子:目前制約碳化硅汽車級模塊發(fā)展的技術瓶頸,比如傳統(tǒng)封裝用于碳化硅時,耐久性和可靠性都有待改善。對于不同客戶要求需要獨立設計,測試,驗證。再比如,汽車級碳化硅器件要滿足AEC-Q101標準,但是實際案例中客戶需求遠遠超出規(guī)定的標準。

貴司在碳化硅領域的獨特優(yōu)勢在哪些方面?

朱曉鋒:博世作為全球領先的汽車技術供應商,深厚的汽車電子技術積累是博世很大的財富。博世擁有超過50年的汽車半導體經(jīng)驗以及覆蓋全價值鏈的研發(fā)和供應商體系,同時擁有汽車標準級的硅晶圓工廠和對于汽車客戶的快速響應能力,博世參與到汽車級碳化硅領域,將積極推動縮短技術摸索,提高產(chǎn)品性能上限。助力碳化硅在汽車領域更早的實現(xiàn)規(guī)?;慨a(chǎn)。

對于汽車領域來說,在碳化硅技術的助力下可以突破何種技術限制?

朱曉鋒:正因為前面提到的碳化硅的特點,使得:(1)更低的阻抗,帶來更小尺寸的產(chǎn)品設計和更高的效率;(2)更高頻率的運行,能讓被動元器件做得更?。唬?)能在更高溫度下運行,意味著冷卻系統(tǒng)可以更簡單;(4)更高的效率,可以提高電池效率,縮短充電時間。

總體來說,碳化硅在汽車領域,尤其是在新能源車的使用大有可為,不僅符合國家未來的發(fā)展要求和趨勢,,還可以降低零部件系統(tǒng)的復雜性,進而減小產(chǎn)品尺寸。同時進一步提高車輛的整體可靠性,穩(wěn)定性,提升效率,降低能量損耗,提升大約6%的行駛里程。目前碳化硅在新能源汽車及相關領域里被逐漸應用于各類車載充電器、直流-直流轉換器逆變器中,來替換傳統(tǒng)的硅基功率器件.

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 汽車電子
    +關注

    關注

    3042

    文章

    8470

    瀏覽量

    171856
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3223

    瀏覽量

    51497
  • 博世
    +關注

    關注

    11

    文章

    514

    瀏覽量

    76140
  • 智慧出行
    +關注

    關注

    0

    文章

    125

    瀏覽量

    8114
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    博世碳化硅MOSFET研究論文榮獲PCIM Asia 2025優(yōu)秀墻報獎

    MOSFET Characterization”榮獲 PCIM Asia 2025 “優(yōu)秀墻報獎(Excellent Poster Award)”,充分展現(xiàn)了博世碳化硅 MOSFET 領域的技術實力。
    的頭像 發(fā)表于 10-17 14:14 ?159次閱讀
    <b class='flag-5'>博世</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET研究論文榮獲PCIM Asia 2025優(yōu)秀墻報獎

    基本半導體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術,在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎上,通過創(chuàng)新的模塊設計顯著降低了模
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?687次閱讀
    基本半導體1200V工業(yè)級<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    碳化硅器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅是第三半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?877次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應用優(yōu)勢

    Wolfspeed推出第四高性能碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 推出第四 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴苛的汽車環(huán)境設計。Wolfspeed 第四高性能碳化硅 MO
    的頭像 發(fā)表于 08-11 16:54 ?2044次閱讀

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?667次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    博世碳化硅技術在新能源汽車領域的應用

    驚聞謠傳頭部碳化硅Tier 1玩家博世“被”退出碳化硅賽道,小編表示地鐵、老人、手機.jpg,火速去內(nèi)部打探消息——結果只想說句:別慌,博世
    的頭像 發(fā)表于 07-04 09:46 ?670次閱讀
    <b class='flag-5'>博世</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>技術</b>在新能源汽車領域的應用

    博世上海碳化硅功率半導體實驗室介紹

    隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動化、智能化轉型,碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性,正成為下一代電驅動系統(tǒng)的核心技術。在此背景下,2025年1月,在上海正式設立碳化硅功率半導
    的頭像 發(fā)表于 06-27 11:09 ?839次閱讀

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術應用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    比亞迪推出全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片

    在3月17日的超級e平臺技術發(fā)布會上,比亞迪發(fā)布了劃時代超級e平臺,推出閃充電池、3萬轉電機和全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片,核心三電全維升級,搭配全球首個電動車全域千伏架構,刷新多項全球之最。
    的頭像 發(fā)表于 03-24 17:10 ?1299次閱讀

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動汽車、可再生能源、高頻電源等領域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,隨著國產(chǎn)碳化硅MOSFET技術、成本及供應鏈都日趨完善,國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?1145次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    博世碳化硅功率模塊生產(chǎn)基地落成

    近日,博世汽車電子中國區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅(SiC)功率模塊生產(chǎn)基地,并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領域邁出了重要
    的頭像 發(fā)表于 03-06 18:09 ?1003次閱讀

    Wolfspeed第4碳化硅技術解析

    本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術?;谠?b class='flag-5'>碳化硅創(chuàng)新領域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:35 ?1463次閱讀
    Wolfspeed第4<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>技術</b>解析

    碳化硅薄膜沉積技術介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1545次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積<b class='flag-5'>技術</b>介紹

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們起跟隨基本半導體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術領域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅在半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅(SiC)在半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢,其獨特的物理和化學性質使其成為新一代高性能半導體材料的佼佼者。以下是對碳化硅在半導體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展的分析: 、
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?1309次閱讀