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QLC、PLC閃存有多坑?最快35次寫(xiě)完

如意 ? 來(lái)源:百家號(hào) ? 作者:太平洋電腦網(wǎng) ? 2020-06-30 15:54 ? 次閱讀
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SSD硬盤(pán)現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)始從TLC閃存向著QLC閃存升級(jí),未來(lái)很快還會(huì)升級(jí)到PLC,容量還會(huì)增加,但是代價(jià)就是寫(xiě)入壽命越來(lái)越低。從行業(yè)報(bào)告來(lái)看,PLC閃存的P/E壽命最短只有35次。

我們都知道NAND閃存的一些基本特性,那就是隨著TLC、QLC及PLC的升級(jí),P/E壽命會(huì)下降,同時(shí)制程工藝升級(jí)的話P/E壽命也會(huì)下降,雙重疊加之后先進(jìn)工藝的QLC、PLC壽命就會(huì)很難看。

那下降的到底有多嚴(yán)重,從行業(yè)報(bào)告來(lái)看,SLC閃存在5xnm工藝下壽命有11000次P/E,在3X、2X、1Xnm工藝下會(huì)下降到10000、7500、5000次,總體還是耐看的。

MLC閃存在1xnm下壽命會(huì)減少到1500次,TLC則會(huì)極速下滑到500次,QLC再次下降一個(gè)量級(jí)到70次,PLC閃存則是直接降至35次,理論上就是35次全盤(pán)寫(xiě)入就不行了。

從這些數(shù)據(jù)來(lái)看,QLC閃存及未來(lái)的PLC閃存顯然不夠看,不過(guò)也別擔(dān)心,上面的數(shù)據(jù)是2D NAND工藝下的,3D NAND閃存對(duì)工藝要求不高,P/E壽命還是可以看的。

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