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臺(tái)積電公布3nm工藝細(xì)節(jié),晶體管密度達(dá)2.5億/mm2

獨(dú)愛72H ? 來源:比特網(wǎng) ? 作者:比特網(wǎng) ? 2020-04-29 14:22 ? 次閱讀
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(文章來源:比特網(wǎng))

最近,臺(tái)積電5nm工藝已經(jīng)開始量產(chǎn),年底蘋果和華為已經(jīng)將其產(chǎn)能預(yù)定,而臺(tái)積電發(fā)展的步伐并沒有停歇,他們不久前正式披露了最新3nm公寓的詳情,根據(jù)公布的情況來看,3nm晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2。

目前,主流的麒麟990處理器采用了7nm工藝,其晶體管密度為103億,尺寸為113.31mm2,核算下來是0.9億/mm2,而3nm工藝晶體管密度為7nm的3.6倍。從數(shù)據(jù)上來看,臺(tái)積電5nm工藝較7nm性能提升了15%,能耗比提升30%,而3nm較5nm性能則提升7%,能耗比提升了15%。

臺(tái)積電表示,3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期,并沒有受到疫情的影響,預(yù)計(jì)將會(huì)在2021年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段,2022年下半年進(jìn)行量產(chǎn)。從工藝上看,臺(tái)積電評(píng)估多種選擇后,確定FinFET工藝在成本以及能效上更出色,所以,他們3nm首發(fā)會(huì)采用FinFET晶體管技術(shù)。

與臺(tái)積電在制程工藝上競(jìng)爭(zhēng)最激烈的三星,則希望在3nm節(jié)點(diǎn)上超越對(duì)手,所以,他們將會(huì)直接淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管,這也意味著三星將會(huì)采用更激進(jìn)的態(tài)度來面對(duì)3nm工藝。

從今年下半年開始,5nm就將正式服役,蘋果、華為、AMD等廠商將會(huì)把此工藝帶入到手機(jī)、PC處理器、服務(wù)器處理器等等各領(lǐng)域中,屆時(shí),無論是在性能還是在功耗上,這些產(chǎn)品又將更進(jìn)一步,此后,我們就要等待2022年3nm降臨了。
(責(zé)任編輯:fqj)

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