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全球首個,西數(shù)發(fā)布UFS3.1閃存芯片

汽車玩家 ? 來源:PCEVA ? 作者:PCEVA ? 2020-02-20 20:10 ? 次閱讀
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幾周前JEDEC宣布了UFS3.1標準,針對高性能、低功耗移動應用提供一系列增強特性。昨日西數(shù)搶先發(fā)布全球首個UFS3.1閃存芯片iNAND EU521,瞄準5G智能手機,提供128GB和256GB兩種容量。

根據(jù)西數(shù)的調(diào)研結(jié)果,UFS3.0以上規(guī)格才能實現(xiàn)5G時代所需數(shù)據(jù)吞吐量。UFS3.1標準在UFS3.0標準之上增加了寫入加速(SLC Cache)、深度睡眠(增強節(jié)能)和性能限制通知(讓CPU了解UFS閃存當前是否處于過熱狀態(tài))三種新特性。

在UFS閃存芯片中使用模擬SLC緩存提升寫入效能的方法已經(jīng)得到廣泛應用,UFS3.1實現(xiàn)了寫入加速的標準化。iNAND EU512使用了西數(shù)與鎧俠合作研發(fā)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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