如今科技能有如此巨大的發(fā)展，離不開(kāi)半導(dǎo)體材料。我們知道二極管、三級(jí)管是常用的一種，其實(shí)半導(dǎo)體材料的器件還有很多，今天我們就來(lái)講講其中的一種：晶閘管。

晶閘管的應(yīng)用場(chǎng)景非常廣泛，在發(fā)電站就是其中一個(gè)場(chǎng)景。在高壓直流輸電中，必須借助轉(zhuǎn)換站將大量的交流電轉(zhuǎn)換為直流電（為此，我找了一個(gè)發(fā)電廠交直流傳輸?shù)奈恼?，在今天?欄文章）。之后，直流電被傳輸?shù)接脩簟＿@項(xiàng)重要的轉(zhuǎn)換任務(wù)由稱為“晶閘管”的獨(dú)特半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)設(shè)備執(zhí)行，更具體地說(shuō)，由硅控整流器執(zhí)行。

學(xué)習(xí)晶閘管之前，可以先看下我之前寫(xiě)過(guò)的一篇文章：三極管來(lái)源，及NPN與PNP區(qū)別。

一、晶閘管介紹

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；

---來(lái)自百度百科

如下圖，不同的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，例如二極管和晶體管。同樣和這些器件一樣，晶閘管也是一種開(kāi)關(guān)器件。所有這些開(kāi)關(guān)裝置均由眾所周知的硅半導(dǎo)體材料制成，晶閘管由N和P區(qū)域的4個(gè)交替層組成。

要了解為什么使用晶閘管，讓我們看一下普通晶體管BJT）的工作原理。 二、BJT工作原理BJT：Bipolar Junction Transistor 雙極結(jié)型晶體管。 如下圖，當(dāng)連接主電源時(shí)，我們會(huì)觀察到晶體管的一個(gè)結(jié)點(diǎn)總是反向偏置。

要接通晶體管，我們只需在發(fā)射極和基極端子之間連接一個(gè)次級(jí)電壓源，就可以導(dǎo)通晶體管了。如下圖：

如果我們移除次級(jí)電源，則晶體管將關(guān)閉，因?yàn)樗枰B續(xù)的次級(jí)電源。

但是，在大功率應(yīng)用期間（比如發(fā)電站），需要連續(xù)的基本電流供應(yīng)，會(huì)導(dǎo)致巨大的功率損耗。

為了克服這個(gè)問(wèn)題，1950年，William Shockley提出了一種非常有趣的電源開(kāi)關(guān)，稱為晶閘管。

在晶閘管中，與晶體管不同，不需要這種連續(xù)的次級(jí)電源。觸發(fā)后，即使你移除次級(jí)電源，晶閘管仍將繼續(xù)工作（如下圖）。

要了解晶閘管的工作原理，需要了解一下晶體管的工作原理：

三、晶閘管工作原理有了晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)，我們就可以了解晶閘管的工作原理。

如果硅結(jié)構(gòu)晶片摻雜有四種交替形式的P和N型，則會(huì)產(chǎn)生晶閘管。在此，耗盡區(qū)的形成也發(fā)生在結(jié)處。無(wú)論采用哪種方式在晶閘管中施加電壓，總會(huì)有至少一個(gè)反向偏置結(jié)，如下圖：

門(mén)極觸發(fā)

在晶閘管中，一種有效且流行的方法稱為“門(mén)極觸發(fā)”。我們將次級(jí)電源連接到柵極和陰極端子。該次級(jí)電源將大量電子注入P區(qū)域。隨著該過(guò)程的繼續(xù)，P區(qū)變得充滿電子，如下圖：

現(xiàn)在，電子已成為該區(qū)域的多數(shù)電荷載流子。簡(jiǎn)而言之，P區(qū)域最終成為N區(qū)域，這個(gè)新的N區(qū)域?qū)?dǎo)致耗盡區(qū)域自動(dòng)減小。 由于P區(qū)域已成為新的N區(qū)域，由于柵極觸發(fā)，底側(cè)的三個(gè)區(qū)域共同成為一個(gè)大N區(qū)域?，F(xiàn)在，晶閘管的結(jié)構(gòu)看起來(lái)像一個(gè)PN結(jié)二極管。

四、如何關(guān)閉晶閘管？

關(guān)閉晶閘管的方法是在晶閘管兩端施加反向電壓，如下圖：

實(shí)現(xiàn)此目的的最有效方法是使用LC振蕩器。在LC振蕩器中，能量交換發(fā)生在電容器和電感器之間。