存儲芯片在電子產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著非常重要的角色，主要分為閃存和內(nèi)存，閃存包括 NAND Flash和NOR Flash，內(nèi)存主要為DRAM。2019年，由于市場低迷及產(chǎn)能過剩，存儲芯片價格一路走跌，2019年底稍有回暖跡象。

國產(chǎn)存儲芯片在剛剛過去的2019年成長顯著，兆易創(chuàng)新受益于TWS業(yè)績一路攀升，長江存儲64層256 Gb 3D NAND量產(chǎn)，長鑫存儲10納米級8Gb DDR4宣布投產(chǎn)等等。

隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、智能設(shè)備等市場需求強勁，預(yù)計2020年NOR、NAND和DRAM 將會迎來不同幅度的需求增長以及價格上浮。在市場需求推動和自身力量積蓄下，2020年國產(chǎn)存儲芯片有望迎來新拐點。

2020年兆易創(chuàng)新等NOR Flash廠商業(yè)績持續(xù)看好

目前，全球市場占有率排名靠前的有華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新、賽普拉斯、美光。其中國產(chǎn)廠商兆易創(chuàng)新2019年表現(xiàn)異常突出，市占排名一路攀升，到目前位列第三，占全球份額的18.3%，排名第一的華邦占26.2%，第二的旺宏占23.3%，預(yù)計未來兆易創(chuàng)新的市占排名還會進一步上升。

兆易創(chuàng)新成立于2005年，是國產(chǎn)領(lǐng)先的存儲芯片設(shè)計公司，其2019半年報顯示，公司NOR Flash 產(chǎn)品，累計出貨量已經(jīng)超過 100 億顆。受惠于打入國際領(lǐng)先TWS品牌的供應(yīng)鏈，公司業(yè)績持續(xù)呈現(xiàn)大幅上揚走勢，第三季的NOR Flash業(yè)績較第二季再度成長36%，創(chuàng)下連續(xù)兩個季度營收成長超過35%的成績，同時也創(chuàng)下單季NOR Flash達到1億美元。

在剛剛過去的2019年，兆易創(chuàng)新海推出全新小封裝尺寸系列產(chǎn)品，是業(yè)界首款采用 1.5mm×1.5mm USON8 最小封裝，支持 1.65V 至 3.6V 的低功耗寬電壓產(chǎn)品，以及全線產(chǎn)品支持 WLCSP 封裝，為物聯(lián)網(wǎng)、穿戴式、消費類及健康監(jiān)測等對電池壽命和緊湊型尺寸要求嚴苛的應(yīng)用提供了優(yōu)異的選擇。

在芯片制程工藝方面，目前公司 NOR Flash 產(chǎn)品工藝處于行業(yè)內(nèi)主流技術(shù)水平，工藝節(jié)點為65nm。隨著很多可穿戴產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)終端小型化發(fā)展，對其中的芯片面積、元器件尺寸要求非常嚴，兆易創(chuàng)新大容量55nm制程芯片開發(fā)進展比較順利， 預(yù)期2020年一季度起有望上量。

國內(nèi)NOR Flash廠商武漢新芯也在加快產(chǎn)品更新。近期，公司推出了基于50nm Floating Gate工藝的SPI NOR Flash產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該XM25QWxxC系列產(chǎn)品的讀速在1.65V至3.6V電壓范圍內(nèi)可達108MHz（在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持），在電源電壓下降后，時鐘速度沒有任何減慢。該系列產(chǎn)品支持SOP8和USON8封裝，支持客戶開發(fā)小尺寸的產(chǎn)品。產(chǎn)品適用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用中。

武漢新芯自主品牌市場銷售負責人馬珮玲此前表示，NOR Flash相對來說是一個比較成熟的市場，目前公司的NOR Flash產(chǎn)品容量覆蓋4Mbit到256Mbit，現(xiàn)在也正在加速研發(fā)，后續(xù)會有大容量的NOR Flash推出，以滿足5G基站市場的迅猛需求。據(jù)業(yè)界人士透露，武漢新芯的NOR Flash也應(yīng)用于TWS耳機上。

NOR Flash在經(jīng)過2018年的低谷后，2019年市場快速回溫，整個NOR Flash市場行情正在反彈，漲價趨勢較為明顯。預(yù)計2020年NOR將面臨率先漲價。其推動力主要來自于TWS耳機銷售強勁、OLED屏幕滲透加速。

TWS耳機在低端市場價格進入100元以內(nèi)，銷量快速滲透，致使Nor Flash供應(yīng)偏緊。此外，在高端安卓及蘋果市場，降噪功能的加入使得單機Nor容量翻倍，單機價值量大幅上升。IDC預(yù)計2019年TWS放量增長150%達1.1億對，2020年將會達1.5億對。

同時，AMOLED和TDDI在智能手機滲透率逐步提高，也推動NOR Flash的需求增長。2019年手機端AMOLED出貨量5.8億顆，2020年預(yù)計達6.92億顆。TDDI-COF在全面屏的解決方案越來越受歡迎，2019年出貨量達6.1億顆，預(yù)計2020年達7億顆。

事實上，不僅僅是TWS耳機和OLED屏幕，物聯(lián)網(wǎng)時代所有主動連接式的端設(shè)備實際上都需要 NOR Flash，需要運行代碼，這個需求非常大，實際上整個 NOR Flash 市場規(guī)模正在增長。只要物聯(lián)網(wǎng)趨勢往前發(fā)展，這樣的需求就存在，而現(xiàn)在萬物互聯(lián)還只是剛剛開頭。

5G商用帶來巨大需求，長江存儲64層3D NAND量產(chǎn)趕上好時機

SSD和移動終端為NAND Flash需求主要來源。根據(jù)DRAMexchange，2019年NAND Flash銷售額461億美元，同比下滑27.1%，預(yù)計2020年市場將回暖，銷售額將達550億左右。

5G時代，巨量數(shù)據(jù)將產(chǎn)生巨大的數(shù)據(jù)存儲需求。根據(jù)IDC預(yù)測，到2025年，全球數(shù)據(jù)圈將擴展至163ZB (1ZB等于1萬億GB)，相當于2018年的六倍。預(yù)估2019年產(chǎn)生35ZB數(shù)據(jù)，其中約58%來自于HDD，30%來自于閃存，主要是 NAND Flash，從目前NAND Flash出貨容量來看，存在巨大成長空間。

目前來看，NAND 市場占有率主要集中在三星、鎧俠（東芝）、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾、SK海力士等廠商手上。其中三星占33.0%，鎧俠（東芝）占18.8%，西部數(shù)據(jù)占13.8%，美光占12.9%，英特爾占10.9%，SK海力士占9.7%。

從技術(shù)來看，隨著5G及物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，數(shù)據(jù)正呈現(xiàn)出爆炸式的增長，由此對于存儲的需求也是越來越大，各大存儲廠商也是在不斷的研發(fā)更大容量的3D NAND。

據(jù)了解，三星已于2019年6月份推出128層256Gb 3D TLC NAND，8月份批量生產(chǎn)250GB SATA SSD，并現(xiàn)已可量產(chǎn)128層512Gb TLC 3D NAND。鎧俠/西部數(shù)據(jù)、美光等也將在2020年推進128層3D NAND技術(shù)發(fā)展，英特爾甚至將在2020年推出144層QLC NAND。

國產(chǎn)廠商NAND技術(shù)與國際廠商還存在差距，不過2019年8月26日，長江存儲64層3D NAND閃存芯片首次公開展出。隨后，公司在官方微信宣布，已經(jīng)量產(chǎn)64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。

這對于國產(chǎn)NAND來說具有里程碑意義，隨著長江存儲64層3D NAND宣布量產(chǎn)，國內(nèi)在NAND技術(shù)上正式開啟追趕態(tài)勢。長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品。而Xtacking架構(gòu)是長江存儲于2019年8月推出的全新3D NAND架構(gòu)，通過此架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，可以顯著提升產(chǎn)品性能、縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期。

據(jù)悉，2020年長江存儲64層3D NAND閃存開始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計2020年底可望將產(chǎn)能提升到月產(chǎn)6萬片晶圓的規(guī)模。此外，公司也將在2020年生產(chǎn)128層堆棧3D閃存。屆時隨著128層3D NAND投入生產(chǎn)，國內(nèi)在NAND上與國際廠商的差距將會再次縮小。

2019年和2020年5G商用正式開啟，大量數(shù)據(jù)的產(chǎn)生推動NAND需求增長，這對于長江存儲來說正是發(fā)力的好時機。

國產(chǎn)DRAM進展顯著：長鑫存儲已投產(chǎn)、兆易創(chuàng)新2020流片，紫光集團開始布局

目前，全球DRAM市場壟斷明顯，三星、SK海力士、美光三家占據(jù)全球95%以上的市場份額，三星占45%，SK海力士占29.2%，美光占21.2%。中國是DRAM芯片的最大市場，但三星、SK海力士、美光卻占據(jù)主導(dǎo)地位，這也使得DRAM成為我國受外部制約最為嚴重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一，DRAM是我們急需突破的一個領(lǐng)域。

值得關(guān)注的是，2019年國內(nèi)DRAM廠商長鑫存儲、兆易創(chuàng)新取得顯著進展，紫光集團也正式進軍DRAM領(lǐng)域。

長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目2019年9月20日宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相。長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目于2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產(chǎn)投與細分存儲器國產(chǎn)領(lǐng)軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，一期設(shè)計產(chǎn)能每月12萬片晶圓。

目前，該項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構(gòu)中國電子技術(shù)標準化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示，投產(chǎn)的8Gb DDR4已經(jīng)通過多個國內(nèi)外大客戶的驗證，2019年底正式交付。

另外，兆易創(chuàng)新也于2019年12月27日透露，其首款DRAM芯片計劃于2020年展開流片試樣，并將于2021年進行封裝測試以及完成客戶驗證，測試成功后進行大批量產(chǎn)。除此之外，其多系列DRAM產(chǎn)品將在2025年之前陸續(xù)完成研發(fā)及量產(chǎn)。

兆易成長由16年 NOR 到 17 年 NAND 到近兩年切入 DRAM，目前在 DRAM 技術(shù)及研發(fā)方面，公司已組建由數(shù)十名資深工程師組成的核心研發(fā)團隊，涵蓋前端設(shè)計、后端產(chǎn)品測試與驗證，該團隊的核心技術(shù)帶頭人員從事 DRAM 芯片行業(yè)平均超過二十年，具備較強的技術(shù)及研發(fā)實力。

2019年9月30日，兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行A股股票預(yù)案，擬募集資金33.2億元用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目。據(jù)介紹，募投項目主要為消費型 DRAM 和移動型 DRAM，下游應(yīng)用主要包括電視機頂盒、路由器、車載電子、工控、手機、平板電腦、游戲機以及可穿戴設(shè)備等。與標準型 DRAM 相比，利基型 DRAM 以客制化為主，小眾市場，采用相對成熟的制程，以 DDR3/LPDDR3 為主，主流制程以 40+ nm、20+ nm 為主。

國盛證券表示，兆易創(chuàng)新作為合肥長鑫 DRAM項目產(chǎn)業(yè)運營方，未來有望深化 fabless+foundry合作模式。 長鑫晶圓項目由合肥產(chǎn)投和兆易創(chuàng)新合作投資，長鑫存儲技術(shù)有限公司負責管理和運營，是中國大陸唯一擁有完整技術(shù)、工藝和生產(chǎn)運營團隊的 DRAM 項目。

除了長鑫存儲和兆易創(chuàng)新，紫光集團于2019年6月30日正式宣布組建紫光集團事業(yè)群，為此紫光集團組建了DRAM事業(yè)群，由刁石京任事業(yè)群董事長，高啟全為事業(yè)群CEO。紫光集團此前一直以NAND Flash為存儲器重點發(fā)展方向，如今，DRAM事業(yè)群的組建意味著紫光集團正式進軍DRAM領(lǐng)域。

隨后，紫光迅速布局，并于8月27日與重慶市政府簽署了合作協(xié)議，將在重慶建設(shè)DRAM總部研發(fā)中心、紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠等。其中紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造，該工廠計劃于2019年底開工建設(shè)，預(yù)計2021年建成投產(chǎn)。

整體來看，2020年在5G、物聯(lián)網(wǎng)、智能設(shè)備等新興市場的推動下，存儲芯片市場需求將迎來較大增長，NOR、NAND、DRAM也會面臨一定幅度的價格上調(diào)，與此同時，相比以往小規(guī)模產(chǎn)能、研發(fā)為主的存儲產(chǎn)業(yè)格局而言，2020年國產(chǎn)存儲芯片有望迎來真正的量產(chǎn)階段，可見，不管是從外部市場還是內(nèi)部技術(shù)產(chǎn)能上，2020年都將是國產(chǎn)存儲芯片的新拐點。