AMD 7nm Versal系列器件引入了可編程片上網(wǎng)絡(luò)(NoC, Network on Chip),這是一個硬化的、高帶寬、低延遲互連結(jié)構(gòu),旨在實現(xiàn)可編程邏輯(PL)、處理系統(tǒng)(PS)、AI引擎(AIE)、DDR控制器(DDR
發(fā)表于 09-19 15:15
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(2330)長期規(guī)劃美國新廠后續(xù)將導(dǎo)入2nm與更先進制程,三星加入戰(zhàn)局加上英特爾獲得奧援,2nm以下制程
發(fā)表于 09-02 11:26
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Performance Body-bias)方案的驗證。Exynos 2600是全球首款2nm手機芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測試進展順利,三星將立即啟動量產(chǎn),
發(fā)表于 07-31 19:47
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在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中,三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進方面做出重大調(diào)整,原本計劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm
發(fā)表于 07-03 15:56
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深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上
發(fā)表于 04-18 10:52
次公開了?SF1.4(1.4nm?級別)工藝,原預(yù)計?2027?年實現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當時的說法,SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個增加到?4?個,有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ?
發(fā)表于 03-23 11:17
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次公開了 SF1.4(1.4nm 級別)工藝,原預(yù)計 2027 年實現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當時的說法,SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個增加到 4 個,有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ?
發(fā)表于 03-22 00:02
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據(jù)荷蘭科技媒體Galaxy Club報道,三星Galaxy S25系列旗艦手機迎來一個好消息——該系列手機可獲得長達7年的系統(tǒng)和安全更新支持,將
發(fā)表于 01-23 16:11
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據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm
發(fā)表于 01-22 15:54
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(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本,三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結(jié)束開發(fā)工作并進入量產(chǎn)階
發(fā)表于 01-22 14:27
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nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P,其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似,顯示出三星在半導(dǎo)體
發(fā)表于 01-22 14:04
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SF4X制程即4HPC,是4nm系列節(jié)點演進新一步,主要面向AI/HPC所需芯片。Blue Cheetah在三星SF4X上制得的D2D PHY支持高級2.5D和標準2D芯粒封裝,總吞吐
發(fā)表于 01-22 11:30
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與成熟制程的并重發(fā)展。他指出,當前三星代工部門最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實力。 同
發(fā)表于 12-10 13:40
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據(jù)預(yù)計,三星電子將在2025年初隆重推出其旗艦系列——Galaxy S25。此次,三星顯示(SDC)將采用一種新型材料組合“M13”來為其供
發(fā)表于 10-31 13:48
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