加利福尼亞州圣何塞＆＃151; MagnaChip半導(dǎo)體有限公司和Tezzaron半導(dǎo)體公司預(yù)計將宣布合作伙伴關(guān)系，該公司聲稱這些產(chǎn)品是世界上第一個真正的三維（3D）芯片。預(yù)計Tezzaron還將宣布該公司聲稱是世界上第一個可重新編程的3D RAM芯片。該器件由Tezzaron銷售和銷售，已經(jīng)過高于500-MHz的時鐘速率測試，延遲小于2 ns。

該器件基于Tezzaron的3D晶圓堆疊技術(shù)（伊利諾伊州內(nèi)珀維爾），一家無晶圓廠芯片設(shè)計公司。 RAM設(shè)備以及來自Tezzaron的未來3D芯片將由MagnaChip（韓國首爾）在鑄造廠生產(chǎn)。

新形成的MagnaChip研發(fā)部高級副總裁Jeong-Gun Lee表示，3D RAM目前正在采用標(biāo)準(zhǔn)的0.18微米鑄造工藝制造。 MagnaChip是韓國海力士半導(dǎo)體公司的前非存儲芯片部門。海力士的非存儲芯片部門最近被出售給由花旗集團(tuán)風(fēng)險資本股權(quán)合伙公司LP和CVC亞太有限公司組建的新成立的韓國公司。見10月5日的故事）。

最初，MagnaChip在代工廠的基礎(chǔ)上為Tezzaron構(gòu)建了一個基于RAM的寄存器文件。 “這是一種相對原始的設(shè)備，”Tezzaron首席技術(shù)官羅伯特帕蒂說。 “但我們相信這將迎來半導(dǎo)體的新時代?！?/p>

Tezzaron本身計劃開發(fā)和銷售一系列3D“定制設(shè)備”，Patti說。 3D芯片在手機(jī)，手持設(shè)備和其他產(chǎn)品的速度，密度和低功耗要求方面都有很大前景，他告訴 Silicon Strategies。。

其他人也在奔波開發(fā)和運送3D芯片。例如，MagnaChip發(fā)布了關(guān)于開發(fā)3D零件的提示。 “我們的主要興趣是開發(fā)3D IC的工藝技術(shù)，”Lee說。 “我們也對3D傳感器感興趣。”

本月早些時候，3D半導(dǎo)體存儲器開發(fā)商Matrix Semiconductor公司表示，它已經(jīng)遷移了多層，基于反熔絲的ROM，從0.25微米制造工藝到0.15微米工藝。

Matrix已推出采用0.25微米制造工藝制造的基于8層反熔絲的512-Mbit PROM，運行時間約為一年。該公司補(bǔ)充說，它在不到四個月的大規(guī)模生產(chǎn)中已經(jīng)出貨了100萬臺3D內(nèi)存（見11月8日的報道）。

堆疊甲板

Tezzaron聲稱需要另一種3D設(shè)計方法。該公司的FaStack技術(shù)通過堆疊整個半導(dǎo)體晶圓并將其與銅結(jié)合以在電路層之間建立連接來構(gòu)建3D芯片。目前的工藝將8英寸晶圓與小于1微米的精度對齊，從而實現(xiàn)極高密度的晶圓間連接。

然后將晶圓堆疊切割成單獨的芯片，每個芯片都是完全集成的3D IC。該過程可以擴(kuò)展到多個晶圓。因為每個添加的晶圓都被減薄到僅僅10微米，所以多達(dá)32層可以適合標(biāo)準(zhǔn)芯片封裝。

該公司的可重新編程RAM器件是作為3D IC構(gòu)建的 - 兩層電路具有垂直互連，允許它們作為單個器件運行。據(jù)該公司稱，該技術(shù)預(yù)計比現(xiàn)有芯片的性能提高3到10倍，因為垂直互連很小，只有10微米長。

MagnaChip在標(biāo)準(zhǔn)“批量”半導(dǎo)體晶圓上構(gòu)建了Tezzaron的RAM設(shè)計，并根據(jù)需要提供了額外的處理。 Tezzaron董事長兼首席執(zhí)行官詹姆斯·艾爾斯（James Ayers，Jr。）表示，兩家公司打算繼續(xù)建立更多3D設(shè)備。 “除了3D RAM之外，我們的產(chǎn)品路線圖還包括許多其他商業(yè)3D設(shè)備，這些設(shè)備將在FaStack大規(guī)模生產(chǎn)時宣布推出?！彼f。

MagnaChip總裁兼首席執(zhí)行官Youm Huh也是看好3D芯片。 “隨著數(shù)碼相機(jī)應(yīng)用，手機(jī)和便攜式消費電子產(chǎn)品的增長，3D RAM有望成為增長最快的IC領(lǐng)域之一，”他說。 “制造商的好處包括提高性能，降低擁有成本，縮短產(chǎn)品上市時間和提高產(chǎn)品性能。”