東芝存儲公司6日宣布推出一種新的存儲器（SCM）——XL-FLASH，并開始提供樣品。該產(chǎn)品使用1位/單元SLC技術，使用96層堆疊工藝實現(xiàn)3D閃存BiCSFLASH的高速讀寫。128Gbit芯片的樣品出貨將于9月開始，大規(guī)模生產(chǎn)將于2020年開始。

XL-FLASH采用16物理平面結(jié)構(gòu)，具有出色的并行處理能力，以及與現(xiàn)有TLC（3位/單元）BiCSFLASH相比可實現(xiàn)高速處理的電路技術。它實現(xiàn)了5μs或更短的讀取延遲，速度提高了10倍，并且定位為新的存儲器層次結(jié)構(gòu)，填補了DRAM和NAND閃存之間的性能差異。

此外，與傳統(tǒng)DRAM相比，該產(chǎn)品可降低每比特成本，并且是支持NAND閃存等大容量的非易失性存儲器。東芝存儲將通過XL-FLASH響應不斷擴大的SCM市場的需求，包括用于數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲的高速SSD。