CoolMOS CFD7是英飛凌最新的具有集成快速體二極管的高壓技術，補全了CoolMOS 7系列。它是高功率SMPS應用（如服務器、電信設備和EV充電站等）中的諧振拓撲結構的理想選擇。

伴隨5G與物聯網時代的到來，全球市場的智能終端數量在急劇攀升，而為了確保高帶寬、高質量的5G通信傳輸，基站等電信設備的大規(guī)模鋪設成為了必要的措施。同時，云端的服務器需求也在增加，源于云計算、大數據、AI等前沿技術都與通信產業(yè)密不可分。更不用說無人駕駛、新能源興起帶來的EV充電站發(fā)展機遇。在一名電源工程師的眼中，這些場景都離不開高功率的SMPS應用。于是小編忍不住要馬上公開一個秘訣……

究竟是什么秘訣呢？

英飛凌高性能CoolMOS CFD7 系列，在高功率SMPS應用的諧振拓撲結構設計中搶占先機！

英飛凌最新推出的CoolMOS CFD7系列是CoolMOS CFD2系列的后繼產品。與競爭對手相比，CoolMOS CFD7 降低了門極電荷(Qg)，大大改善了關斷行為，反向恢復電荷(Qrr)降低了高達69%，而且反向恢復時間(trr)在業(yè)內上是最短的。由于這些特性，CoolMOS CFD7 在諸如LLC和ZVS相移全橋之類的軟開關拓撲中提供了最高的效率和一流的可靠性。此外，由于優(yōu)化了的RDS(on)，CoolMOS CFD7可實現更高的功率密度。

這些最新的快速體二極管系列通過將快速開關技術的優(yōu)點與卓越的換向穩(wěn)健性結合在一起，并保持在設計過程中的易實現性，因此與競爭對手產品相比，具有明顯的優(yōu)勢。

600V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET——英飛凌給諧振拓撲的解決方案

1主要特性

超快速體二極管

一流的反向恢復電荷 (Qrr)

改進的反向二極管dv/dt和dif/dt耐久性

極低的FOM RDS(on)x Qg和Eoss

一流的RDS(on)/封裝結合

2主要優(yōu)勢

流的硬換向穩(wěn)健性

在于諧振拓撲結構中具有最高可靠性

高效率與杰出的易用性/性能的平衡

提升的功率密度解決方案

都說英飛凌技術水平節(jié)節(jié)高，除了上邊提及的主要特性與優(yōu)勢外，600VCoolMOS CFD7 SJ MOSFET將之前CoolMOS CFD2系列世界領先的反向恢復電荷(Qrr)水平再降低32%，實現了裸開關拓撲領域的最高可靠性，避免了特定情況下可能發(fā)生的整流問題，能夠面向目標市場提供最優(yōu)匹配效率。

170 mΩ CFD與190 mΩ范圍內的競爭對手產品的Qrr比較

以600V的IPW60R070CFD7為例，我們從下圖顯示的應用測量結果也可以看出，最新的CoolMOS CFD7系列功能在諧振開關拓撲結構中可顯著提高效率。CoolMOS CFD7系列與市場上的主要競爭對手相比，能效可增加高達1.45%，而且超出目標應用的要求，這就是英飛凌業(yè)界領先技術的BIGGER所在。

CoolMOS CFD7系列與競爭對手產品的能效比較

600V CoolMOS CFD7產品系列全家福